电力电子器件应用的共性问题

浅谈电力电子器件的发展和应用

电力电子技术包括功率半导体器件与技术、功率变换技术及控制技术等几个方面, 其中, 电力电子器件是电力电子技术的重要基础, 也是电力电子技术发展的“ 机车” 。现代电力电子技术无论对改造传统工业电力、机械、矿冶、交通、化工、轻纺等, 还是对高新技术产业航天、激光、通信、机器人等都至关重要。它已迅速发展成一门独立的学科, 其应用领域几乎涉及到国民经济的各个工业部门, 毫无疑问, 它将成世纪的关键技术之一。 “ 一代器件决定一代电力电子技术。”每一代新型电力电子器件的出现, 总是带来一场电力电子技术的革命。电力电子器件是指可直接用于处理电能的主电路中, 实现 电能的变换或控制的电子器件。

1.电力电子器件

自20 世纪50 年代末第一只晶闸管问世以来, 电力电子技术开始登上现代电气传动技术舞台, 以此为基础开发的可控硅整流装置, 是电气传动领域的一次革命, 使电能的变换和控制从旋转变流机组和静止离子变流器进入由电力电子器件构成的变流器时代, 这标志着电力电子的诞生。

进入70 年代晶闸管开始形成由低电压小电流到高电压大电流的系列产品, 普通晶闸管不能自关断的半控型器件, 被称为第一代电力电子器件。随着电

电力电子实验 王兆安

实验三 常用电力电子器件的特性和驱动实验

一、实验目的

(1) 掌握常用电力电子器件的工作特性。

(2) 掌握常用器件对触发MOSFET、信号的要求。 (3) 理解各种自关断器件对驱动电路的要求。 (4) 掌握各种自关断器件驱动电路的结构及特点。

(5) 掌握由自关断器件构成的PWM 直流斩波电路原理与方法。 二、预习内容

(1) 了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT的结构和工作原理。 (2) 了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT有哪些主要参数。 (3) 了解SCR、GTO、GTR、MOSFET、IGBT的静态和动态特性。 （4）阅读实验指导书关于GTO、GTR、MOSFET、IGBT的驱动原理。 三、实验所需设备及挂件

电力电子实验 王兆安

四、实验电路原理图

1、SCR、GTO、MOSFET、GTR、IGBT五种特性实验原理电路如下图X-1所示：

三相电

网电压

图 X-1特性实验原理电路图

X-2虚框中五种器件的1、2、3标号连接示意图

电力电子实验 王兆安

2、GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电路框图如下图X-3所示：

图X-3 GTO、MOSFET、GTR、IGBT四种驱动实验原理电

超导器件

摘要：对超导器件在国内外军事领域上的研究和应用进展进行了综述，分析了目前我国超导器件研制以及在武器装备上应用所面临的主要问题，提出了解决的办法。

关键词：超导；军事应用

科学发展史表明，一种新型材料的发现，将产生一系列的应用技术并推动相关的学科向前发展，而且其应用一般首先是从其军事应用开始的。1987 年发现的高温超导材料，把超导体的转变温度由液氦提高了液氮温度以上，大大降低了超导器件的运行成本，使得其在工程技术领域上的广泛应用成为了可能；到目前为止，全世界至少有 200多个科研单位和企业正在从事超导技术的研究，尤其是在军事应用领域，其角逐如火如荼。

由于超导材料在射频和微波波段内的表面电阻率比铜的要低 2 — 3 个数量级，射频损耗几乎可以忽略不计，因此采用超导材料研制的微波或者毫米波器件具有传统器件所无法比拟的性能优势，比如：高温超导滤波器具有极低的插人损耗和极优的频率选择性而且兼有平面器件小型化的优点，若把超导滤波器用于武器装备的接收机前端上，能大幅度提高接收系统的灵敏度、信噪比和抗干扰能力；还可增加雷达系统的探测距离，加长预警时间，增加通信系统的通信距离和抗干扰能力，提高导弹系统的制导精确度。超导滤波器是目前在军事上应

面试提问共性问题

一、责任

1. 家庭责任

? 请简单介绍一下你的家庭成员？（了解员工家庭背景） ? 父母的生日是什么时间？

? 多长时间给父母（已婚者包含双方父母）寄一次钱？ ? 多长时间给父母大一次电话？交流最多的是什么？

? 如果你有女朋友或妻子，请问你们平时沟通和交流最多的是什么？（了解家庭是否

支持他的工作）

? 配偶的生日是什么时间？你怎么给配偶过生日的？ ? 请问你配偶是做什么工作的？ ? 小孩多大？

? 平常怎样辅导教育小孩？

? 平常怎样培养孩子的劳动能力？

2. 企业责任 ? 团队意识

? 请说出你作为团队一员遇到的最困难的事，以及你是如何解决这个困难的？你在解

决这个困难中起了什么作用？

? 若某位员工经常迟到、早退、旷工，或不愿意干活，会给整个团队带来什么样的问

题？这些问题该怎样解决？或作为团队的一员，你是怎样改善这种情况的？

? 自我评估

你为什么认为你很胜任这个工作？

你认为自己最大的优点是什么？最大的缺点是什么？ 你的好友怎样评价你？

? 目标

? 你为什么对我们的工作职位感兴趣？ ? 哪些原因导致你考虑离开你目前的公司？

? 你想在我们公司找到哪些在你原来的公司找不到的东西？ ? 对你来说，什么样的工作氛围才是

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武汉交通业学职院电力电子术 技oPwer lEctreniosc海燕帅

02122..1

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学情境二习 电力子电件及器驱其动保护.2 电1电子器件力述概

22.电 力极二管23 晶.闸管SCR()2.4 极关门断闸管(GT晶)O25. 力晶电管体(GT)R

26.电力 场效晶体应管M(SFOE)T27 绝.栅缘双极晶体管I(BT)G2.8 GTO、TG、MRSOET、FGITB驱动与保护2

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21. 力电电器子概件述21..1 念 2概.1.2同 理处息信电子的件器比一相般征特 .2.1 电力电子器件的分类33

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2..11概 念力电子器电件(PowreEl etcornci Dveiec)—可直—接用于主电路中，现电实能 的换变控制和的电子件器

。主电路M(an Pioer Cwiructi)——电设备或气电系力中统直接承， 电能担变换的控制任或的务路电。4

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21.2 同.处信理的息电子件器比的相般特一征

能理电处功的能率，力般远大于一理信处息 的子电器。件电 力子电器件一都工般在开关状态作 电力。电子件器往往要需由息信电电子(路动

一、填空题

1.PN结中P区和N区的掺杂浓度分别为NA和ND,本征载流子浓度为ni，

kTNANDln则PN结内建电势Vbi的表达式Vbi?。 2qni2.对于单边突变结P?N结，耗尽区主要分布在N区，该区浓度越低，则耗尽区宽度值越大，内建电场的最大值越小；随着正向偏压的增加，耗尽区宽度值降低，耗尽区内的电场降低，扩散电流提高；为了提高

P?N结二极管的雪崩击穿电压，应降低N区的浓度，这将提高反向饱

和电流IS。

解析：?|E|xn?smaxqNDxp?xd??s|Emax|qNA?s|Emax|?s|Emax|qNDxn?qNA??s?111?)|Emax|?s|Emax|qNDNAqN0(?s11Vbi???Edx?(xn?xp)|Emax|?|Emax|2?xp22qN0|Emax|?(2qN0Vbi)?[122kTNANDln(?sNAND)12ni]2?s(NA?ND)

对于单边突变结，可通过适当降低轻掺杂一侧的掺杂浓度，使势垒区拉宽来提高雪崩击穿电压。反向饱和电流IS?(qDpLpDpqDnDn2pn?np)?qni(?)LnLpNDLnNA3.在设计和制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当增加发射区和基区的掺杂浓度的比值解析：

第一章 常用电子元器件知识

第一节、电阻器

1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor） 及排阻RN

1.3 电阻器在电路符号： R 或 WWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ） 1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧

1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。

表 1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。

1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。 1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。

a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未标偏差值的即为±20%.

b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表

一、化药共性问题解答——药学

仿制药相关解答

问题一：我公司现开发一种单剂量口服溶液，原研制剂的处方加入了防腐剂，考虑到防腐剂的加入对人体还是存在一定的危害性的，且此口服液中并未含有蛋白或多糖成分，甜味剂是三氯蔗糖，并不容易染菌。故我公司研发中去除了产品的防腐剂，同时加强了产品工艺过程的控制，1、溶液在灌装前进行0.22um的滤膜除菌过滤。2、对灌装后的溶液进行105℃ 30分钟的蒸汽灭菌。多批样品的检测结果，以及6个月的稳定性研究结果中微生物限度检查均合格。这种情况下，产品中不加防腐剂是否可行？

答：从目前口服溶液生产环境的控制要求、口服溶液剂型特点和处方特点考虑，口服溶液在生产和贮藏过程中，发生微生物污染及繁殖的可能性较大。

上述问题中，虽对产品的处方组成与是否易造成微生物污染进行了分析，但尚无充分的文献资料和试验资料的支持，同时也未对原研制剂的处方、以及原研制剂中使用防腐剂的情况进行深入的研究。对于上述问题中所提及的生产过程中所采取的降低微生物污染的各项措施，其有效性并未通过验证来加以确证。此外，微生物限度检查同无菌检查一样，由于微生物分布的不均匀性、微生物检验误差较大等原因，即便是样品的微生物限度检

目录

第一章绪论 (1)

1.1 光与半导体物质的相互作用概论 (1)

1.1.1 光与半导体中电子的相互作用 (1)

1.1.2 光伏效应简介 (2)

1.1.3 光电导效应简介 (5)

1.2 石墨烯材料性质概述 (7)

1.3 基于石墨烯材料的光电子器件研究进展概述 (9)

1.3.1 石墨烯/单晶硅肖特基结太阳能电池研究进展概述。 (9)

1.3.2 石墨烯光电探测器研究进展概述 (11)

1.4 有机-无机杂化钙钛矿材料简介 (13)

1.5 选题的意义和研究内容 (13)

第二章顶栅结构石墨烯/单晶硅太阳能电池研究 (15)

2.1 引言 (15)

2.2 实验部分 (15)

2.2.1 石墨烯材料的制备 (15)

2.2.2 器件制作 (17)

2.3 结果与讨论 (20)

2.3.1 石墨烯材料表征 (20)

2.3.2 石墨烯/硅太阳能电池性能分析 (21)

2.4 本章小结 (26)

第三章纳米钙钛矿颗粒/石墨烯光电探测器件研究 (27)

3.1 引言 (27)

3.2 实验部分 (28)

3.2.1 钙钛矿纳米颗粒的合成 (28)

3.2.2 器件制作 (28)

3.3 结果与讨论 (30)

万方数据

3.3.1 钙钛矿纳米颗粒/石墨烯复合材料的性质表征 (30)

3.3.2

第一章 常用电子元器件知识

第一节、电阻器

1.1 电阻器的含义:在电路中对电流有阻碍作用并且造成能量消耗的部分叫电阻. 1.2 电阻器的英文缩写：R（Resistor） 及排阻RN

1.3 电阻器在电路符号： R 或 WWW 1.4 电阻器的常见单位:千欧姆（KΩ）, 兆欧姆（MΩ） 1.5 电阻器的单位换算: 1兆欧=103千欧=106欧

1.6 电阻器的特性：电阻为线性原件，即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比，通过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律：I=U/R。

表 1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波（与电容器组合使用）和阻抗匹配等。

1.8 电阻器在电路中用“R”加数字表示，如：R15表示编号为15的电阻器。 1.9 电阻器的在电路中的参数标注方法有3种，即直标法、色标法和数标法。

a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其允许偏差则用百分数表示,未标偏差值的即为±20%.

b、数码标示法主要用于贴片等小体积的电路，在三为数码中,从左至右第一,二位数表示有效数字,第三位表示10的倍幂或者用R表