ne555集成电路的工作原理

NE555时基集成电路的创新应用研究

王若麟，邱宗毓，符俊虎，李麒，王艺凯，郑培远，刘世源

（平顶山一中）

摘 要：NE555是555计时芯片中应用较广的一个型号，具有双稳态、单稳态、无稳态三种电路组织形式，工作电压范围达4.5~16V，输出电流最大可达225mA，工作频率范围宽，具有较好的兼容性。其双稳态电路可用于电子开关等，单稳态电路可用于定时器、延时器、分频器等，无稳态电路可用于逆变器、音频振荡器、PWM调压输出等。 关键词：NE555集成电路；R-S触发器；单稳态定时器；PWM调压输出；多谐振荡器

1 绪论

1.1 NE555简介

NE555是属于555系列的计时芯片中的一个型号，输入电压范围4.5~16V，输出电流最大225mA，只需简单的电容器、电阻与其配合，便可构成双稳态、单稳态、无稳态三大类电路，完成特定的振荡、锁存或延时作用，且定时范围极广，可由数微秒至数小时。它的操作电源范围大，可与TTL,CMOS等逻辑芯片配合，并且输出电流大，可直接推动多种负载。DIP封装的NE555的芯片引脚图和内部结构图如下所示

图1.1-1 DIP封装NE555引脚图1

图1.1-2 NE555内部结构示意图1

555定时器典型应用有单稳态电

555集成电路及其应用

一、555集成电路原理 ................................................................................ 1 二、多用途水位控制器 ............................................................................... 4 三、品名：JS-97A液位控制器 .................................................................. 5 四、555的应用 ............................................................................................. 7

一、555集成电路原理

在数字系统中，为了使各部分在时间上协调动作，需要有一个统一的时间基准。用来产生时间基准信号的电路称为时基电路。时基集成电路555就是其中的一种。它是一种由模拟电路与数字电路组合而成的多功能的中规模集成组件，只要配少量的外部器件，便可很方便的组成触发

电子制作,TI杯,电子爱好者,全国电子大赛

主要应用电路

2013年01月21日 18:13整理

NE555

电子制作,TI杯,电子爱好者,全国电子大赛

目录

D/A变换双相互补频率产生器 ................................................................................................................................ 3 555与积分器组成的长延时电路 ............................................................................................................................. 4 程序触发和长延时电路 ............................................................................................................................................ 5 0.1秒-6小时定

Harbin Institute of Technology

课程设计说明书（论文）

课程名称： 模拟集成电路课程设计 设计题目：采用电阻电容做miller补偿的二级运算放 大器的设计与实现

院 系： 航天学院 微电子科学与技术系 班 级： 设 计 者： 学 号： 指导教师： 王永生 设计时间： 2015年7月13日-2015年7月24日

哈尔滨工业大学

哈尔滨工业大学课程设计任务书 姓 名： 院 （系）：航天学院微电子科学与技术系 专 业： 电子信息科学与技术 班 号： 任务起至日期： 2015 年 7 月 13 日 至 2015 年

中国半导体行业协会公布2015年度中国十大半导体（集成电路）企业名单如下：

一、2015年度中国十大集成电路设计企业

1、深圳市海思半导体有限公司

2、清华紫光展锐

3、深圳市中兴微电子技术有限公司

4、华大半导体有限公司

5、大唐半导体设计有限公司

6、北京智芯微电子科技有限公司

7、敦泰科技（深圳）有限公司

8、杭州士兰微电子股份有限公司

9、北京中星微电子有限公司

10、格科微电子（上海）有限公司

二、2015年度中国十大半导体制造企业

1、中芯国际集成电路制造有限公司

2、三星（中国）半导体有限公司

3、SK海力士半导体（中国）有限公司

4、华润微电子有限公司

5、台积电（中国）有限公司

6、上海华虹宏力半导体制造有限公司

7、英特尔半导体（大连）有限公司

8、西安微电子技术研究所

9、上海华力微电子有限公司

10、和舰科技（苏州）有限公司

三、2015年度中国十大半导体封测企业

1、江苏新潮科技集团有限公司（长电科技600584）

2、威讯联合半导体（北京）有限公司

3、南通华达微电子集团有限公司

华南农业大学期末考试试卷

2009学年第1学期

考试类型：（开卷） 考试时间： 120 分钟

学号 姓名 年级专业

一、选择题（本大题共10小题，每题2分，总计20分）

1．为了提高集成度所采取的途径不合适。

A．提高微细加工技术；B. 晶圆大直径化；C. 芯片面积缩小；D. 简化电路结构 2．发明了世界上第一块集成电路，为此他在2000年获得诺贝尔物理

学奖。

A．William B. Shockley B．Walter H. Brattain C．Jack Kilby D．John Bardeen

3．在图案发生器法中，规定版图基本图形为矩形。每个矩形条用5个参数进行

A．矩形高度H B．矩形宽度W

C．矩形左下角坐标X、Y D．矩形宽度W 所在的直线与X轴夹角A 5．下列集成电路有源器件工艺中，潜在速度最高的是：

A． CMOS B．NMOS C．BiCMOS D．Ga

龙源期刊网 http://www.qikan.com.cn

集成电路的工作原理及其可靠性

作者：门 月

来源：《硅谷》2009年第04期

[摘要]通过分析集成电路失效类型与诸影响因素的关系，对集成电路可靠性进行理论的探讨，从而提高我国集成电路的竞争力，开创我国集成电路发展新局面。 [关键词]集成电路 可靠性 集成电路产业

中图分类号：TN4文献标识码：A文章编号：1671－7597（2009）0220033－01

一、集成电路工作原理及影响集成电路可靠性的主要因素

集成电路（Integrated Circuit，通常简称IC），又称为集成电路。是指将很多微电子器件集成在芯片上的一种高级微电子器件。通常使用硅为基础材料，在上面通过扩散或渗透技术形成N型和P型半导体及P-N结。在硅板上集合多种电子元器件实现某种特定功能的电路模块。它是电子设备中最重要的部分，承担着运算和存储的功能。集成电路是20世纪重要的发明之一。集成电路是半导体集成电路，即以半导体材料为基片，将至少有一个是有源元件的两个以上元件和部分或者全部互连线路集成在基片之中

电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期

集成电路工艺原理 课程考试题A卷（120分钟） 一张A4纸开卷 教师：

邓小川 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 评卷教师

1、 名词解释： (7分)

答：Moore law：芯片上所集成的晶体管的数目，每隔18个月翻一番。

特征尺寸：集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。 Fabless：IC 设计公司，只设计不生产。 SOI：绝缘体上硅。 RTA：快速热退火。 微电子：微型电子电路。 IDM：集成器件制造商。

Chipless：既不生产也不设计芯片，设计IP内核，授权给半导体公司使用。LOCOS：局部氧化工艺。 STI：浅槽隔离工艺。

2、 现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少，是何家企业生产？请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术（与亚微米工艺相比）？ (7分) 答：国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。 在这种工艺中所采用的新技术有：铜互联；Low-K材料；金属栅；High-K材料；应变硅技术。

3、 集成电路制造工艺中，主要有哪两种隔离工艺？目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺，为什么？(

Cfwtcpe集成电路制造工艺原理

七夕，古今诗人惯咏星月与悲情。吾生虽晚，世态炎凉却已看透矣。情也成空，

且作“挥手袖底风”罢。是夜，窗外风雨如晦，吾独坐陋室，听一曲《尘缘》，合

成诗韵一首，觉放诸古今，亦独有风韵也。乃书于纸上。毕而卧。凄然入梦。乙

酉年七月初七。

-----啸之记。

集成电路制造工艺原理

课程总体介绍：

1． 课程性质及开课时间：本课程为电子科学与技术专业（微电子技术方向和光电子技术

方向）的专业选修课。本课程是半导体集成电路、晶体管原理与设计和光集成电路等

课程的前修课程。本课程开课时间暂定在第五学期。

2． 参考教材：《半导体器件工艺原理》 国防工业出版社

华中工学院、西北电讯工程学院合编

《半导体器件工艺原理》（上、下册）

国防工业出版社 成都电讯工程学院编著

《半导体器件工艺原理》上海科技出版社

《半导体器件制造工艺》上海科技出版社

《集成电路制造技术-原理与实践》

电子工业出版社

《超大规模集成电路技术基础》 电子工业出版社

《超大规模集成电路工艺原理-硅和砷化镓》

电子工业出版社

3． 目前实际教学学时数：课内课时54学时

4． 教学内容简介：本课程主要介绍了以硅外延平面工艺为基础的，与微电子技术相关的

器件（硅器件）、集成电路

各种集成电路的代换

集成电路代换

集成块代换

各种集成电路的代换

BA2165 BA328 BA3308 BA3910 BA4220 BA422O BA4260 BA4260 BA4558 BA536 BA5402 BA6124 BA6137 BA6209 BA6238 BA6654 BH3856FS BH3856S BR24C04F-E 2 SMD BT9151-3 BU2741 BU2744 BU3856S CA1190 CA1310 CA1458 CA3045 CA3046 CA3065 CA3068 CA3080 CA3086 CA3089 CA3189 CA324 CA324 CA339 CA4000 CA555 CA741 CA741

KA287,LB1433 LA3161 KA22241 BA3918 HA12413 HA12413,KA2242, KA42243 KA22247,LA1260 KA2247 RC4558,CA1458 BA5402 BA536 KA2284,AN6884, LB1403 KA2285,KB1423 I281P KA8305 DBL1016 BU3856FS BU3856 CAR24WC08JI UM915