晶体二极管整流电路
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晶体二极管及应用电路测试题
晶体二极管及应用电路测试题
一.选择题(60分)
1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调到V1=10V,则电流的大小将是___。
A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA
2.图1.1.1中,设电路中V1=5保持不变,当温度为20°C时,测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C时, 则Vd的大小将是___。 A、Vd=0.7V B、Vd>0.7V C、Vd<0.7V
3.如图1.1.2所示的电路中,已知二极管的反向击穿电压为20V, 当V1=5V、温度为20°C时,I=2uA。若电源电压增大到10V,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2uA D、1uA
4.上题中,若电源电压保持5V不变,温度由20°C下降到10°C时,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2 uA D、1uA;
5.如图1.1.3所示电路中,D1-D3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡功率相同,其中最暗的灯是___。
A、B B、C C、A
6.如图1.1.4所示电路中,二极管是理想的,电阻R=6欧姆。当普通指针式万用表置于
2mA>晶体二极管-电容十倍升压电路图
晶体二极管-电容十倍升压电路图
C1
L C2 C3 C4 C5
图 1 晶体二极管-电容十倍升压电路
该电路可作为臭氧产生器、助燃器等直流电压电路。
在一些需用高电压、小电流的地方,常常使用倍压整流电路。倍压整流,可以把较低的交流电压,用耐压较低的整流二极管和电容器,“整”出一个较高的直流电压。倍压整流电路一般按输出电压是输入电压的多少倍,分为二倍压、三倍压与多倍压整流电路。
图2是二倍压整流电路。电路由变压器B、两个
整流 二极管D1、D2及两个电容器C1、C2组成。其
工作原理如下:
e2正半周(上正下负)时,二极管D1导通,D2
截止,电流经过D1对C1充电,将电容Cl上的电压
充到接近e2的峰值,并基本保持不变。e2为图
2 L C1 负半周(上负下正)时,二极管D2导通,Dl截止。
此时,Cl上的电压Uc1=与电源电压e2串联相加,电流经D2对电容C2充电,
。如此反复充电,C2上的电压就基本上充电电压Uc2=e2峰值+1.2E2≈
是了。它的值是变压器电级电压的二倍,所以叫做二倍压整流电路。
在实际电路中,负载上的电压Usc=2X1.2E2 。整流二极管D1和D2所承受的最高反向电压均为。电容器上的直流电压Uc1=,Uc2=。可以据此设计电路和选择元件。
在二
晶体二极管及应用电路测试题
晶体二极管及应用电路测试题
一.选择题(60分)
1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调到V1=10V,则电流的大小将是___。
A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA
2.图1.1.1中,设电路中V1=5保持不变,当温度为20°C时,测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C时, 则Vd的大小将是___。 A、Vd=0.7V B、Vd>0.7V C、Vd<0.7V
3.如图1.1.2所示的电路中,已知二极管的反向击穿电压为20V, 当V1=5V、温度为20°C时,I=2uA。若电源电压增大到10V,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2uA D、1uA
4.上题中,若电源电压保持5V不变,温度由20°C下降到10°C时,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2 uA D、1uA;
5.如图1.1.3所示电路中,D1-D3为理想二极管,A、B、C白炽灯泡功率相同,其中最暗的灯是___。
A、B B、C C、A
6.如图1.1.4所示电路中,二极管是理想的,电阻R=6欧姆。当普通指针式万用表置于
2mA>第一章 二极管及整流电路
二极管及整流电路
2010级电子⑤班单元测试考试卷
(满分100分 时间60分钟)
一、判断题(9分、每题1分)
1.用万用表测量二极管正反向电阻相同,说明二极管正常。 ( )
2.温度对半导体材料有重要影响,温度越高,则半导体中载流子越少。 ( )
3.电容滤波电路中,电容容量越大,负载阻值越大,则滤波效果越好。 ( )
4.杂质半导体中,多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少子的浓度主要取决于温度。( )
5.整体来看,不管是N型半导体,还是P型半导体都是电中性的。 ( )
6.Is是指室温条件下的反向漏电流,温度越低其值越小。且IR越小说明单向导电性越好。( )
7.通常锗二极管PN结温度达到150℃,硅管达到90℃以上时,会因反向电流过大造成热击穿。( )
8.桥式整流电路中,若有一只整流二极管接反,则电路可当成半波整流电路处理。 ( )
二、填空题(21分、每空1分)
1.二极管的重要特性是二极管和
2.PN结加一定的正向电压时,反偏时。
3.若变压器次级输出电压为15V,经桥式整流后,电压为500欧姆,则流过负载电阻的电流为 A,负载消耗的功率是
第一章 二极管及整流电路
二极管及整流电路
2010级电子⑤班单元测试考试卷
(满分100分 时间60分钟)
一、判断题(9分、每题1分)
1.用万用表测量二极管正反向电阻相同,说明二极管正常。 ( )
2.温度对半导体材料有重要影响,温度越高,则半导体中载流子越少。 ( )
3.电容滤波电路中,电容容量越大,负载阻值越大,则滤波效果越好。 ( )
4.杂质半导体中,多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少子的浓度主要取决于温度。( )
5.整体来看,不管是N型半导体,还是P型半导体都是电中性的。 ( )
6.Is是指室温条件下的反向漏电流,温度越低其值越小。且IR越小说明单向导电性越好。( )
7.通常锗二极管PN结温度达到150℃,硅管达到90℃以上时,会因反向电流过大造成热击穿。( )
8.桥式整流电路中,若有一只整流二极管接反,则电路可当成半波整流电路处理。 ( )
二、填空题(21分、每空1分)
1.二极管的重要特性是二极管和
2.PN结加一定的正向电压时,反偏时。
3.若变压器次级输出电压为15V,经桥式整流后,电压为500欧姆,则流过负载电阻的电流为 A,负载消耗的功率是
变容二极管直接调频电路
2012 ~2013学年 第 1 学期
《 高频电子线路 》 课 程 设 计 报 告
题 目: 变容二极管直接调频电路的设计
专 业: 电子信息工程 班 级: 10信息(2)班
电气工程系 2012年12月17日
1
1、任务书 课题名称 指导教师(职称) 执行时间 学生姓名 设计目的 设计要求 学号 1.原理分析及电路图设计 变容二极管直接调频电路的设计 2012~2013学年第二学期 第 16 周 承担任务 2.用相关仿真软件画出电路并对电路进行分析与测试 (1)输入1KHz大小为200Mv的正弦电压(也可以用1KHz的方波); (2)主振频率为f0大于15MHz; (3)最大频偏△fm=?20KHz。
1
变容二极管直接调频电路的设计
摘 要
调频电路具有
肖特基二极管整流的计算与测量
肖特基二极管整流的计算与测量
第19卷 第11期
2007年11月强激光与粒子束HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMSVol.19,No.11 Nov.,2007 文章编号: 100124322(2007)1121887204
肖特基二极管整流的计算与测量
黄建仁, 王秩雄, 陈绳乾, 王 挺
(空军工程大学电讯工程学院,西安710077)3
摘 要: 提出了改进型的肖特基二极管整流数理模型,用加速迭代法和四阶精度龙格2库塔法编制了计
算程序,并结合实验测量得到了整流效率与输入功率、频率和负载等关系曲线:负载一定时,增大,整流效率先快速上升,然后上升趋势变缓;,,,
对于某一固定的输入功率,存在着一个最佳负载值;,,整流效率上
升。型号为2DV10B的X2GHz时获得的整流效率
为75.2%;频率为10,。
关键词: ;; 微波输电; 无线输电; 太阳能电站
中图分类号:文献标识码: A
微波二极管的整流效率是微波输电系统的关键因素。由于二极管整流的非线性,过分简化的近似不足以描绘整流的真实特性。到目前为止,已经提出了多种可能的整流电路模型,如桥式和半桥式整流电路等,但是单个二极管并联被证明是最实用、最经济的方式[1]。为了能
变容二极管直接调频电路
2012 ~2013学年 第 1 学期
《 高频电子线路 》 课 程 设 计 报 告
题 目: 变容二极管直接调频电路的设计
专 业: 电子信息工程 班 级: 10信息(2)班
电气工程系 2012年12月17日
1
1、任务书 课题名称 指导教师(职称) 执行时间 学生姓名 设计目的 设计要求 学号 1.原理分析及电路图设计 变容二极管直接调频电路的设计 2012~2013学年第二学期 第 16 周 承担任务 2.用相关仿真软件画出电路并对电路进行分析与测试 (1)输入1KHz大小为200Mv的正弦电压(也可以用1KHz的方波); (2)主振频率为f0大于15MHz; (3)最大频偏△fm=?20KHz。
1
变容二极管直接调频电路的设计
摘 要
调频电路具有
二极管习题
习题6
基础知识部分:
6.1 选择题
1.用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时,发现其正、反电阻均近于1000KΩ,这说明该二极管( )
A、短路 B、 完好 C、 开路 D、无法判断
答案:C
2.二极管反偏时,以下说法正确的是( )
A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小,称为反向饱和电流;
B、在达到死区电压之前,反向电流很小;
C、二极管反偏一定截止,电流很小,与外加反偏电压大小无关。
答案:A
3.图示电路,二极管导通时压降为0.7V,反偏时电阻为∞,则以下说法正确的是(
A、VD导通,UAO=5.3V; B、VD导通,UAO=—5.3V;
C、VD导通,UAO=—6V; D、VD导通,UAO=6V;
)。
E、VD截止,UAO=—9V。
答案:C
4.下列电路中变压器二次电压均相同,负载电阻及滤波电容均相等,二极管承受反向电压最低的是( ),负载电流最小的是( )。
A.半波整流电容滤波电路 B.全波整流电容滤波电路
C.桥式整流电容滤波电路
答案:C A
5. 图示电路,若变压器二次电压为10V,现测得输出电压为14.1V,则说明( )。若测得输出电压为
二极管习题
第一章 整流滤波电路
一、填空题
1、(1-1,低)把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成 。
2、(1-1,低)半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压 ,外加反偏电压 。 3、(1-1,低)利用二极管的 ,可将交流电变成 。
4、(1-1,低)根据二极管的 性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。
5、(1-1,低)锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ,死区电压是 。 6、(1-1,低)硅二极管的工作电压为 ,锗二极管的工作电压为 。 7、(1-1,中)整流二极管的正向电阻越 ,反向电阻越 ,表明二极管的单向导电性能越好。
8、(1-1,低)杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。
9、(1-1,低)半导体二极管的主要参数有 、 ,此外还有 、 、 等参数,选用二极管的时候也应注意。
10、(1-1,中)当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为