晶体二极管整流电路

晶体二极管及应用电路测试题

一.选择题(60分)

1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调到V1=10V，则电流的大小将是___。

A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA

2.图1.1.1中，设电路中V1=5保持不变，当温度为20°C时，测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C时， 则Vd的大小将是___。 A、Vd=0.7V B、Vd>0.7V C、Vd<0.7V

3.如图1.1.2所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为20V, 当V1=5V、温度为20°C时,I=2uA。若电源电压增大到10V,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2uA D、1uA

4.上题中，若电源电压保持5V不变，温度由20°C下降到10°C时，则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2 uA D、1uA;

5.如图1.1.3所示电路中，D1-D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率相同，其中最暗的灯是___。

A、B B、C C、A

6.如图1.1.4所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6欧姆。当普通指针式万用表置于

晶体二极管-电容十倍升压电路图

C1

L C2 C3 C4 C5

图 1 晶体二极管-电容十倍升压电路

该电路可作为臭氧产生器、助燃器等直流电压电路。

在一些需用高电压、小电流的地方，常常使用倍压整流电路。倍压整流，可以把较低的交流电压，用耐压较低的整流二极管和电容器，“整”出一个较高的直流电压。倍压整流电路一般按输出电压是输入电压的多少倍，分为二倍压、三倍压与多倍压整流电路。

图2是二倍压整流电路。电路由变压器B、两个

整流 二极管D1、D2及两个电容器C1、C2组成。其

工作原理如下：

e2正半周（上正下负）时，二极管D1导通，D2

截止，电流经过D1对C1充电，将电容Cl上的电压

充到接近e2的峰值，并基本保持不变。e2为图

2 L C1 负半周（上负下正）时，二极管D2导通，Dl截止。

此时，Cl上的电压Uc1＝与电源电压e2串联相加，电流经D2对电容C2充电，

。如此反复充电，C2上的电压就基本上充电电压Uc2＝e2峰值＋1．2E2≈

是了。它的值是变压器电级电压的二倍，所以叫做二倍压整流电路。

在实际电路中，负载上的电压Usc=2X1.2E2 。整流二极管D1和D2所承受的最高反向电压均为。电容器上的直流电压Uc1=，Uc2=。可以据此设计电路和选择元件。

在二

晶体二极管及应用电路测试题

一.选择题(60分)

1.如图1.1.1所示电路图中,当电源V1=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调到V1=10V，则电流的大小将是___。

A、I=2mA B、I<2mA C、I>2mA

2.图1.1.1中，设电路中V1=5保持不变，当温度为20°C时，测得二极管的电压Vd=0.7V,当温度上升到40°C时， 则Vd的大小将是___。 A、Vd=0.7V B、Vd>0.7V C、Vd<0.7V

3.如图1.1.2所示的电路中，已知二极管的反向击穿电压为20V, 当V1=5V、温度为20°C时,I=2uA。若电源电压增大到10V,则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2uA D、1uA

4.上题中，若电源电压保持5V不变，温度由20°C下降到10°C时，则电流I约为___。 A、10uA B、4uA C、2 uA D、1uA;

5.如图1.1.3所示电路中，D1-D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率相同，其中最暗的灯是___。

A、B B、C C、A

6.如图1.1.4所示电路中，二极管是理想的，电阻R=6欧姆。当普通指针式万用表置于

二极管及整流电路

2010级电子⑤班单元测试考试卷

（满分100分 时间60分钟）

一、判断题（9分、每题1分）

1.用万用表测量二极管正反向电阻相同，说明二极管正常。 （ ）

2.温度对半导体材料有重要影响，温度越高，则半导体中载流子越少。 （ ）

3.电容滤波电路中，电容容量越大，负载阻值越大，则滤波效果越好。 （ ）

4.杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少子的浓度主要取决于温度。（ ）

5.整体来看，不管是N型半导体，还是P型半导体都是电中性的。 （ ）

6.Is是指室温条件下的反向漏电流，温度越低其值越小。且IR越小说明单向导电性越好。（ ）

7.通常锗二极管PN结温度达到150℃，硅管达到90℃以上时，会因反向电流过大造成热击穿。（ ）

8.桥式整流电路中，若有一只整流二极管接反，则电路可当成半波整流电路处理。 （ ）

二、填空题（21分、每空1分）

1.二极管的重要特性是二极管和

2.PN结加一定的正向电压时，反偏时。

3.若变压器次级输出电压为15V，经桥式整流后，电压为500欧姆，则流过负载电阻的电流为 A，负载消耗的功率是

二极管及整流电路

2010级电子⑤班单元测试考试卷

（满分100分 时间60分钟）

一、判断题（9分、每题1分）

1.用万用表测量二极管正反向电阻相同，说明二极管正常。 （ ）

2.温度对半导体材料有重要影响，温度越高，则半导体中载流子越少。 （ ）

3.电容滤波电路中，电容容量越大，负载阻值越大，则滤波效果越好。 （ ）

4.杂质半导体中，多子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少子的浓度主要取决于温度。（ ）

5.整体来看，不管是N型半导体，还是P型半导体都是电中性的。 （ ）

6.Is是指室温条件下的反向漏电流，温度越低其值越小。且IR越小说明单向导电性越好。（ ）

7.通常锗二极管PN结温度达到150℃，硅管达到90℃以上时，会因反向电流过大造成热击穿。（ ）

8.桥式整流电路中，若有一只整流二极管接反，则电路可当成半波整流电路处理。 （ ）

二、填空题（21分、每空1分）

1.二极管的重要特性是二极管和

2.PN结加一定的正向电压时，反偏时。

3.若变压器次级输出电压为15V，经桥式整流后，电压为500欧姆，则流过负载电阻的电流为 A，负载消耗的功率是

2012 ~2013学年 第 1 学期

《 高频电子线路 》 课 程 设 计 报 告

题 目： 变容二极管直接调频电路的设计

专 业： 电子信息工程 班 级： 10信息（2）班

电气工程系 2012年12月17日

1

1、任务书 课题名称 指导教师（职称） 执行时间 学生姓名 设计目的 设计要求 学号 1．原理分析及电路图设计 变容二极管直接调频电路的设计 2012~2013学年第二学期 第 16 周 承担任务 2．用相关仿真软件画出电路并对电路进行分析与测试 (1)输入1KHz大小为200Mv的正弦电压（也可以用1KHz的方波）； (2)主振频率为f0大于15MHz； (3）最大频偏△fm=?20KHz。

1

变容二极管直接调频电路的设计

摘 要

调频电路具有

肖特基二极管整流的计算与测量

　第19卷　第11期

　2007年11月强激光与粒子束HIGHPOWERLASERANDPARTICLEBEAMSVol.19,No.11　Nov.,2007　文章编号:　100124322(2007)1121887204

肖特基二极管整流的计算与测量

黄建仁,　王秩雄,　陈绳乾,　王　挺

(空军工程大学电讯工程学院,西安710077)3

　　摘　要:　提出了改进型的肖特基二极管整流数理模型,用加速迭代法和四阶精度龙格2库塔法编制了计

算程序,并结合实验测量得到了整流效率与输入功率、频率和负载等关系曲线:负载一定时,增大,整流效率先快速上升,然后上升趋势变缓;,,,

对于某一固定的输入功率,存在着一个最佳负载值;,,整流效率上

升。型号为2DV10B的X2GHz时获得的整流效率

为75.2%;频率为10,。

　　关键词:　;;　微波输电;　无线输电;　太阳能电站

　　中图分类号:文献标识码:　A

　　微波二极管的整流效率是微波输电系统的关键因素。由于二极管整流的非线性,过分简化的近似不足以描绘整流的真实特性。到目前为止,已经提出了多种可能的整流电路模型,如桥式和半桥式整流电路等,但是单个二极管并联被证明是最实用、最经济的方式[1]。为了能

2012 ~2013学年 第 1 学期

《 高频电子线路 》 课 程 设 计 报 告

题 目： 变容二极管直接调频电路的设计

专 业： 电子信息工程 班 级： 10信息（2）班

电气工程系 2012年12月17日

1

1、任务书 课题名称 指导教师（职称） 执行时间 学生姓名 设计目的 设计要求 学号 1．原理分析及电路图设计 变容二极管直接调频电路的设计 2012~2013学年第二学期 第 16 周 承担任务 2．用相关仿真软件画出电路并对电路进行分析与测试 (1)输入1KHz大小为200Mv的正弦电压（也可以用1KHz的方波）； (2)主振频率为f0大于15MHz； (3）最大频偏△fm=?20KHz。

1

变容二极管直接调频电路的设计

摘 要

调频电路具有

习题６

基础知识部分：

6.1 选择题

1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（ ）

A、短路 B、 完好 C、 开路 D、无法判断

答案：C

2.二极管反偏时，以下说法正确的是（ ）

A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流；

B、在达到死区电压之前，反向电流很小；

C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关。

答案：A

3.图示电路，二极管导通时压降为0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（

A、VD导通，UAO=5.3V； B、VD导通，UAO=—5.3V；

C、VD导通，UAO=—6V； D、VD导通，UAO=6V；

）。

E、VD截止，UAO=—9V。

答案：C

4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（ ）。

A.半波整流电容滤波电路 B.全波整流电容滤波电路

C.桥式整流电容滤波电路

答案：C A

5. 图示电路，若变压器二次电压为10V，现测得输出电压为14.1V，则说明( )。若测得输出电压为

第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。

2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。 3、（1-1，低）利用二极管的 ，可将交流电变成 。

4、（1-1，低）根据二极管的 性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是 。 6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为 ，锗二极管的工作电压为 。 7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越 ，表明二极管的单向导电性能越好。

8、（1-1，低）杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有 、 ，此外还有 、 、 等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为