单晶硅各向异性腐蚀

硅的各向异性腐蚀

维普资讯

第 4期

新型惯性器件

l 9

耦合效率有关。(撰写人：高峰审核人：闾晓琴 )

方法来获得作为结构单元的应力受控薄膜，这是整个工艺过程的精华所在；第二项是使用牺牲层技术来释放结构以允许其运动。为获得复杂的三维微结构，以连续添加牺牲层和结构层，可并分别采用恰当的光刻和刻蚀技术。硅表面工艺具有对微结构尺寸的控制较好，并且与 I c工艺兼容等优点。其缺点是纵向尺寸小。参考文献[][] t hnA C m le著 .微电子制造科学原理与 1美 Se e . o phl p l工程技术 .曾莹，严利人，纪民等译 .第二版 .北王京：电子工业出版社，0 3 55~ 6。 2 0. 5 52

光源相对强度噪声 (u n u nxagd i in u g agy a in u a gd qzos eg ( i t o reRe t eItni os ) a h n ) Lg u c l i ne s yN i hS av t e

光源相对强度噪声指光源输出能量的振荡，是宽带光源各种 Fuir量之间的拍频引起的附加 or分 e噪声，它用来描述光源的最大可用振幅范围，义为定均方光强度噪声 (方光强度在 lHz带宽内的波均

动，单位为 d

第四章 磁各向异性，磁畴和超顺磁

（Lisa Tauxe著，刘青松译）

推荐读物

关于专业背景知识，可以阅读Butler (1992) 第三章 (pp. 41?55)

关于统计力学的背景知识，参见http://en.wikipedia.org/wiki/Statistical mechanics 更多信息详见Dunlop and ?zdemir (1997) 第2.8和5章

4.1 前言

由第3章我们得知，即使在无外场的情况下，一些晶体中的电子自旋也会按照一定方式排列，从而产生自发磁化强度。这些铁磁性的颗粒能够携带古地磁场信息，这便是古地磁学的基础。到底是什么原因使得这些磁性颗粒能够沿着古地磁场方向排列并达到平衡状态？是什么原因使得岩石最终锁定这些剩磁，以至于在数百万甚至数十亿年后还能被地质学家测得？我们将再下面几章回答这些问题。

图4.1：a) 磁铁矿八面体。b) 晶体内部结构。大个的红球代表氧离子，蓝色和黄色小球是在八面体和四面体中的铁离子。在A区只有Fe3+，在B区有Fe3+和Fe2+。c) 在一个磁铁矿

1

晶体内部随方向变化的磁晶体各向异性能。易磁化轴(能量最低)沿着晶体对角线方向(改自Williams和Dunlop, 1995

第四章 磁各向异性，磁畴和超顺磁

（Lisa Tauxe著，刘青松译）

推荐读物

关于专业背景知识，可以阅读Butler (1992) 第三章 (pp. 41?55)

关于统计力学的背景知识，参见http://en.wikipedia.org/wiki/Statistical mechanics 更多信息详见Dunlop and ?zdemir (1997) 第2.8和5章

4.1 前言

由第3章我们得知，即使在无外场的情况下，一些晶体中的电子自旋也会按照一定方式排列，从而产生自发磁化强度。这些铁磁性的颗粒能够携带古地磁场信息，这便是古地磁学的基础。到底是什么原因使得这些磁性颗粒能够沿着古地磁场方向排列并达到平衡状态？是什么原因使得岩石最终锁定这些剩磁，以至于在数百万甚至数十亿年后还能被地质学家测得？我们将再下面几章回答这些问题。

图4.1：a) 磁铁矿八面体。b) 晶体内部结构。大个的红球代表氧离子，蓝色和黄色小球是在八面体和四面体中的铁离子。在A区只有Fe3+，在B区有Fe3+和Fe2+。c) 在一个磁铁矿

1

晶体内部随方向变化的磁晶体各向异性能。易磁化轴(能量最低)沿着晶体对角线方向(改自Williams和Dunlop, 1995

多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

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7 多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

名 称： 单晶硅

英文名： monocrystalline silicon 分子式： si

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分。硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅲa族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅴa族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于

英文翻译

（翻译中文）

2015年6月15日 译文题目 基于各向异性扩散的深度图像增强

学生姓名 张治安 学 号 2014110562 学院班级 计算机与信息学院10班

目录

摘要 (1)

1 引言 (2)

2 相关工作 (3)

2.1 指导深度上采样 (3)

2.2 引导深度图像修复 (3)

2.3 各向异性扩散 (3)

3 方法论 (4)

3.1 问题制定 (4)

3.2 数值方案 (4)

4 实验 (5)

4.1 实验在Middlebury数据集上 (6)

4.2 实验在Kinect数据集上 (6)

4.3 实验在雷达数据上 (8)

结论 (10)

参考文献 (10)

基于各向异性扩散的深度图像增强

摘要：在本文中，当对准的彩色图像被给出时我们对有缺陷的深度图像进行修复，并进行采样。

这些任务被称为引导深度增强。我们基于热扩散模型拟订该问题。已知深度值的像素被

视为热源并且深度增强是指通过将深度值从这些热源扩散到深度缺失的区域这个过程。

根据引导彩色图像我们设计扩散传导率，从而可以形成线性各向异性扩散的问题。我们

进一步将此扩散的稳态问题放到著名的随机游走模型中考虑，在这个模型

单晶硅太阳电池工艺

P型单晶硅太阳电池 工艺

单晶硅太阳电池工艺

目录 Test wafers Texturing Cleaning before diffusion Diffusion Edge isolation and remove PSG PECVD Screen printing and firing SE solar cells introduce

joe

单晶硅太阳电池工艺

来料检验

现在有的电池生产公司会有这 道生产工序，因为优质硅片在市场上 常常处于“有价无市”的状态，缺货 严重，许多硅片制造商经常会用硅棒 的“头尾料”来以次充好，卖给下游 电池制造商，所以加上这道工序用来 检验硅片的质量。 此道工序主要检验硅片的厚度、 少子寿命、表面平整度、是否有微裂 纹、电阻率、表面油污等，同时具有 插片功能，可将硅片插入25片一盒的 晶片盒中。我所知的设备供应商是韩 国的fortix公司。这种设备插片速度不 是很快，所以平时也只是用来做抽查 检验，大部分硅片还是手工插入晶片 盒流入下一工序。3

joe

单晶硅太阳电池工艺

texturing 第二道工序是制 绒。为了提高单晶硅 太阳电池的光电转换 效率,工业生产中通 常采用碱

南航复合材料力学课件,第二章

第二章

各向异性 弹性力学基础

§2.1 各向异性弹性力学基本方程 §2.2 各向异性弹性体的本构关系 §2.3 正交各向异性材料的工程弹性常数回总目录

南航复合材料力学课件,第二章

§2.1(1)

§2.1 各向异性弹性力学 基本方程各向异性弹性力学基本方程包括：1°工程应力方程 2°工程应变方程 3°平衡方程 4°几何关系方程 5°变形协调方程 6°物理方程

南航复合材料力学课件,第二章

工程应力

x xy xz yx y yz zx zy z

南航复合材料力学课件,第二章

工程应变

x yx zx

xy y zy

xz yz z

南航复合材料力学课件,第二章

几何关系方程

u x , x v y , y w z , z

yz zx xy

w v ; y z u w ; z x v u . x y

南航复合材料力学课件,第二章

变形协调方程 (1)6个应变分

常州单晶硅项目可行性报告

投资分析/实施方案

常州单晶硅项目可行性报告

单晶硅产品自2015年开始逐步扩大市场份额。近年来，单晶组件在我国光伏组件出口总量中所占比例逐渐增加的趋势开始得到遏制，目前单晶多晶出口比例基本维持在6：4的比例，单晶组件仍占据大部分市场份额。从主要出口目的地国家的角度来看，出口日本、荷兰、澳大利亚的光伏组件以单晶居多，这些国家更偏向高效组件产品，我国单晶出口比例的上升与荷兰市场的开辟有着直接关系。巴西、印度则具有价格导向型市场的特征，以多晶组件占据大多数。

该单晶硅棒项目计划总投资12647.05万元，其中：固定资产投资9557.86万元，占项目总投资的75.57%；流动资金3089.19万元，占项目总投资的24.43%。

达产年营业收入30764.00万元，总成本费用23417.97万元，税金及附加277.51万元，利润总额7346.03万元，利税总额8636.79万元，税后净利润5509.52万元，达产年纳税总额3127.27万元；达产年投资利润率58.08%，投资利税率68.29%，投资回报率43.56%，全部投资回收期3.80年，提供就业职位609个。

报告针对项目的特点，分析投资项目能源消费情况，计算能源消费量

并提出节能

单晶硅纳米力学性能的测试

　　　　　　　　　OpticsandPrecisionEngineering　　　　　　　

2009年7月　　　Jul.2009

文章编号　10042924X(2009)0721602207

第17卷　第7期

　光学精密工程

Vol.17　No.7

单晶硅纳米力学性能的测试

赵宏伟1,杨柏豪2,赵宏健3,黄　虎1

(1.吉林大学机械科学与工程学院,吉林长春130022;2.北京航天计量测试技术研究所力学室,北京100076;

3.浙江大学材料与化学工程学院,浙江杭州310027)

摘要:对材料纳米力学性能测试手段进行了研究,着重分析了纳米压痕技术的原理和方法。结合纳米压痕技术,采用尖端四面体Vickers型单晶金刚石压头对单晶硅(100)晶面进行了纳米压痕实验测试。实验发现,在载荷为1000mN时,晶体硅出现了明显的裂纹和脆性断裂;而在载荷低于80mN的情况下,晶体硅则表现出延性特性,在不同载荷条件下对晶体硅的硬度进行了实验测试,测试结果发现,,认为导致这种差异的原因在于压痕区域晶体硅所受压力不同,,为15.7GPa。

关　键　词:单晶硅薄片;纳米力学;纳米压痕;硬度;中图分类号:TN304.07　　文献标识码propertiesofsin

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第 j卷 .第璺 8期20年 8 08月

计算机技术与发展C OM P UTER TECI j AND - O【o(Y r DEVEL r OP￣f ENT

V0 . 8 No. 1j 8 Au g. 2 0 08

一

种基于各向异性扩散的图像处理方法汪继文，胜华，玉峰，剑锋林沈邱(安徽大学计算机科学与技术学院，安徽合肥 2 0 3 ) 30 9

摘

要：图像修复的方法有很多种，目前最常用的有基于偏微分方程 (D和基于纹理合成的修复方法。在图像的修复和 P E)

去噪上，微分方程都有很好的应用，对于含有噪声的破损图像的修复，统的方法是先去除噪声再进行修复。在偏但传

BC S B模型的基础上加以改进，出了一种新的修复方法，现有的图像修复和图像去噪两种技术的优势，图像破损提结合对区域修复的同时进行整幅图像的去噪，复和去噪的过程都是各项异性扩散的过程，修能很好地保留图像的边缘信息。通过数值实验也表明该方法的有效性。 关键词：图像处理；图像修复；图像去噪；向异性扩散各中图分类号： P 9 . 1 T 3 14 文献标识码： A文章编号：6 3 2 X 2 0 )8 0 8 3 1 7—6 9 (0