影像电子学基础第三版

影像电子学基础复习题

影像电子学基础复习题

一、名词解释：

1、支路：不含分支的一段电路（至少包含一个元件)

2、节点:三条或三条以上支路的连接点

3、闭合电路欧姆定律：闭合电路的电流跟电源的电动势成正比，跟内、外电路的电阻 之和成反比。公式为I=E/(R+r)，I表示电路中电流，E表示 电动势，R表示外总电阻，r表示电池内阻。

4、部分电路欧姆定律：导体中的电流跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻成反比, 公式：I=U/R

5、等效变换：在电路分析计算时，有时可以将电路某一部分用一个简单的电路代替，

使电路得以简化。

6、基尔霍夫电流定律：电路中任一个节点上，在任一时刻，流入节点的电流之和等于

流出节点的电流之和。

7、基尔霍夫电压定律：在任何一个闭合回路中，从一点出发绕回路一周回到该点时，

各段电压的代数和恒等于零，即∑U=0。

8、正弦交流电:电压与电流大小和方向随时间按照正弦函数规律变化。

9、直流电：大小和方向随时间周期性变化的电压和电流

二、填空题：

1、沿任何闭合回路绕行一周时，回路中各电阻的电压降中

各电源的 电动势 的代数和。

2、感抗的单位是欧（ 。

3、电感

影像电子学基础复习题

一、名词解释：

1、支路：不含分支的一段电路（至少包含一个元件) 2、节点:三条或三条以上支路的连接点

3、闭合电路欧姆定律：闭合电路的电流跟电源的电动势成正比，跟内、外电路的电阻 之和成反比。公式为I=E/(R+r)，I表示电路中电流，E表示 电动势，R表示外总电阻，r表示电池内阻。

4、部分电路欧姆定律：导体中的电流跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻成反比, 公式：I=U/R??

5、等效变换：在电路分析计算时，有时可以将电路某一部分用一个简单的电路代替，使电路得以简化。

6、基尔霍夫电流定律：电路中任一个节点上，在任一时刻，流入节点的电流之和等于流出节点的电流之和。

7、基尔霍夫电压定律：在任何一个闭合回路中，从一点出发绕回路一周回到该点时，各段电压的代数和恒等于零，即∑U=0。

8、正弦交流电:电压与电流大小和方向随时间按照正弦函数规律变化。 9、直流电：大小和方向随时间周期性变化的电压和电流

二、填空题：

1、沿任何闭合回路绕行一周时，回路中各电阻的 电压降 的代数和等于回路．中各电源的 电动势

1. 什么是晶体？晶体与非晶体有何本质区别？

答：晶体是内部质点在三维空间呈周期性重复排列的固体。本质区别：是否在三维空间呈周期型排列。

2. 对称要素：对称轴、对称面、对称中心、旋转反伸角。 3. 什么是晶体的结晶习性？

答：矿物晶体所具有的保存习见形态的性质，称之为该矿物的结晶习性。 4. 什么叫双晶？

答：双晶是指两个或两个以上的同种晶体，彼此间按一定的对称规律相互结合而成的规则连生。

5. 何为晶体的米氏符号？

答：用晶面在3个晶轴上的截距系数的倒数比来表示晶面在空间相对位置的符号的一种方法。

6. 完全类质同象系列的两端员矿物，它们的晶体结构为什么必定是等结构的？反之两种等结构的化合物是否都能形成类质同象混晶？为什么？

答：若两种质点可以任意比例相互取代，则称为完全的类质同象，它们可以形成一个连续的类质同象系列。不一定，形成类质同象混晶还包括内因离子半径电价类型还有外因温度压力组分浓度的影响。

7. 为什么同一元素在不同结构，甚至在同一结构中可以出现不同的配位数？ 答：一般情况是：温度升高使阳离子的配位数减小，而压力的增大使配位数增高。 8. 为什么有些离子如Ca和Hg，Cu和Na半径相近，电价一样，但不能进行类质同象置换？

1. 什么是晶体？晶体与非晶体有何本质区别？

答：晶体是内部质点在三维空间呈周期性重复排列的固体。本质区别：是否在三维空间呈周期型排列。

2. 对称要素：对称轴、对称面、对称中心、旋转反伸角。 3. 什么是晶体的结晶习性？

答：矿物晶体所具有的保存习见形态的性质，称之为该矿物的结晶习性。 4. 什么叫双晶？

答：双晶是指两个或两个以上的同种晶体，彼此间按一定的对称规律相互结合而成的规则连生。

5. 何为晶体的米氏符号？

答：用晶面在3个晶轴上的截距系数的倒数比来表示晶面在空间相对位置的符号的一种方法。

6. 完全类质同象系列的两端员矿物，它们的晶体结构为什么必定是等结构的？反之两种等结构的化合物是否都能形成类质同象混晶？为什么？

答：若两种质点可以任意比例相互取代，则称为完全的类质同象，它们可以形成一个连续的类质同象系列。不一定，形成类质同象混晶还包括内因离子半径电价类型还有外因温度压力组分浓度的影响。

7. 为什么同一元素在不同结构，甚至在同一结构中可以出现不同的配位数？ 答：一般情况是：温度升高使阳离子的配位数减小，而压力的增大使配位数增高。 8. 为什么有些离子如Ca和Hg，Cu和Na半径相近，电价一样，但不能进行类质同象置换？

电子电路基础 科 课 时 计 划§ 第 1 章 常用半导体器件 § 1-1 晶体二极管 § 旧课回顾 ① 同学们还记得上学期我们有没有学过半导体器件 ? 我们学习过那些晶体 管？ ② 自然物质的铁和铜与塑料、玻璃在导电性能方面有何区别？ § 教学目的 (5 分钟) ① 了解本征、杂质半质体的导电特性及 PN 结中截流子的运动； ② 掌握半导体的伏安特性及其主要参数，理解稳压管的原理及应用，了解 PN 结的电容效应。 一、半导体的基础知识 1.什么是半导体 导体：铁、铝、钢(金属材料) 按导电能力分 绝缘体：木(塑料、木材、陶瓷等) 硅 Si 半导体：导电介于导体与绝缘体之间 锗 Ge 2.本征半导体 本征半导体--化学成分纯净的半导体。 自由电子(带负电，可移动) 内部存数量相等的两种截流子 空穴(带正电，不可移动) 3.杂质半导体 在纯净半导体(本征半导体)中掺入微量合适的杂质元素，可使半导体的 导电能力大大增强。 杂质半导体分： (1)N 型半导体-又称电子型半导体，其内部自由电子数量多于空穴数量，即 自由电子是多数截流子(多子) ,空穴是少数截流子(少子) 。 (负电多于正电) (2)P 型半导体

模拟电子技术基础第三版

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V

五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE

＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB

IC

VBB UBE

26μA

Rb

IB 2.6mA

UCE VCC ICRC 2V

UO＝UCE＝2V。

2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC

IB

VCC UCES

2.86mA

RcIC

28.6μA

Rb

VBB UBE

45.4k

IB

七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 ui和uo的波形如图所

模拟电子技术基础第三版

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、UO1≈1.3V UO2＝0 UO3≈－1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈－2V 四、UO1＝6V UO2＝5V

五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE

＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。

六、1、

IB

IC

VBB UBE

26μA

Rb

IB 2.6mA

UCE VCC ICRC 2V

UO＝UCE＝2V。

2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以

IC

IB

VCC UCES

2.86mA

RcIC

28.6μA

Rb

VBB UBE

45.4k

IB

七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 ui和uo的波形如图所

医学影像物理学复习资料

第一章

X射线的产生条件：

（1）电子源（阴极）发射电子

（2）加速电子增加动能的电位差（高管电压）

（3）一个高度真空（P<10-4Pa）的环境（玻璃外壳） ，使电子在运动过程中尽可能减少能量损耗，

保护灯丝不被氧化。 （4）一个受电子轰击而辐射X射线的物体（阳极靶）。

X射线管的结构:

1.X射线管的阴极（cathode）

? 发射电子的电子源，使电子聚焦后去撞击阳极； ? 组成:发射电子的灯丝和聚焦电子的凹面阴极体。 ? 圆焦点型：阴极灯丝绕成螺旋型，放在

碗状阴极槽中，散热差： ? 类型: 线焦点型：阴极灯丝绕成长螺线管型，

? 放在阴极体头部的长形凹槽中。

? 双焦点型：有大小不同的两组灯丝，可产生大 ? 小双焦点，若选用大焦点，只给长灯丝通电。 2.X射线管的阳极（anode） 产生X射线。

类型：

固定式：钨、钼制成，嵌在铜制阳极体上—衬底

特点：产热高，用于管电流小，曝光时间长的牙科和骨科X光机

（按结构分） 旋转式：将阳极和阳极体作成圆盘状，用小电机带动旋转； 特点：产热均匀分布，避免局部

1.电 路 如 图 所 示， D为 硅 二 极 管， 根 据 所 给 出 的 电 路 参 数 判 断 该 管 为 ( )。

(a) 正 偏 (b) 反 偏 (c) 零 偏

2.电路如图所示，RC＝3kΩ，晶体管的β＝50，欲使晶体管工作在放大区， RB 应调至( )。 (a) 10 kΩ (b) 100 kΩ (c) 300 kΩ (d) ∞

3. 在 运 算 放 大 器 电 路 中， 引 入 深 度 负 反 馈 的 目 一 是 使 运 放 ( )。

(a) 工 作 在 线 性 区 ， 降 低 稳 定 性

(b) 工 作 在 非 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性 (c) 工 作 在 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性 4.

的 之

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第一章

X射线的产生条件：

（1）电子源（阴极）发射电子

（2）加速电子增加动能的电位差（高管电压）

（3）一个高度真空（P<10-4Pa）的环境（玻璃外壳） ，使电子在运动过程中尽可能减少能量损耗，

保护灯丝不被氧化。 （4）一个受电子轰击而辐射X射线的物体（阳极靶）。

X射线管的结构:

1.X射线管的阴极（cathode）

? 发射电子的电子源，使电子聚焦后去撞击阳极； ? 组成:发射电子的灯丝和聚焦电子的凹面阴极体。 ? 圆焦点型：阴极灯丝绕成螺旋型，放在

碗状阴极槽中，散热差： ? 类型: 线焦点型：阴极灯丝绕成长螺线管型，

? 放在阴极体头部的长形凹槽中。

? 双焦点型：有大小不同的两组灯丝，可产生大 ? 小双焦点，若选用大焦点，只给长灯丝通电。 2.X射线管的阳极（anode） 产生X射线。

类型：

固定式：钨、钼制成，嵌在铜制阳极体上—衬底

特点：产热高，用于管电流小，曝光时间长的牙科和骨科X光机

（按结构分） 旋转式：将阳极和阳极体作成圆盘状，用小电机带动旋转； 特点：产热均匀分布，避免局部