数字电子技术基础第四版答案余孟尝

第六章 脉冲波形的产生和整形

[题6.1] 用施密特触发器能否寄存1位二值数据，说明理由。 [解] 不能，因为施密特触发器不具备记忆功能。

[题6.2] 在图P6.2（a）所示的施密特触发器电路中，已知R1?10k?，R2?30k?。G1和G2为CMOS反相器，VDD=15Ｖ。

（1）试计算电路的正向阈值电压ＶＴ＋、负向阈值电压ＶＴ－和回差电压△VT。

（2）若将图P6.2（b）给出的电压信号加到P6.2（a）电路的输入端，试画出输出电压的波形。

［解］

?R1??10?15?VT???1?V??R?TH?1?30??2V?10V??2??(1)

?R1??10?15?VT???1?V??R?TH?1?30??2V?5V??2??

?VT?VT??VT??5V

(2)

见图A6.2。

［题6.3］ 图P6.3是用ＣMOS反相器接成的压控施密特触发器电路，试分析它的转换电平ＶT+、VT- 以及回差电压△ＶT与控制电压ＶCO的关系。

?,则根据叠加定理得到 [解] 设反相器G1输入端电压为?IR2//R3R1//R3R1//R2?VCO??0R1?R2//R3R3?R1//R2R2?R1//R3

??V

数字电子技术基础+阎石第四版课后习题答案详解

第一章

1.1二进制到十六进制、十进制

(1)(10010111)2=(97)16=(151)10 (2)(1101101)2=(6D)16=(109)10

(3)(0.01011111)2=(0.5F)16=(0.37109375)10 (4)(11.001)2=(3.2)16=(3.125)10 1.2十进制到二进制、十六进制

(1)(17)10=(10001)2=(11)16 (2)(127)10=(1111111)2=(7F)16

011 1101 0111 0000 1010 )=(0.63 D70A )(3)(0.39)10=(0.0110 0216

011 )=(19.B3 )(4)(25.7)10=(11001.1011 0216

1.8用公式化简逻辑函数

(1)Y=A

模拟电子技术基础

第1章 常用半导体器件

选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价

B. 四价

C. 三价

(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大

B.不变

C.减小

(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；

B.不变；

C.减小

电路如图 所示，已知10sin i

u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电压可忽略不计。

图 解图

解：i u 与o u 的波形如解图所示。

电路如图所示，已知t u i

ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =。试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。

图 解图

电路如图所示, 二极管导通电压U D =,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦

第一章 电力电子器件

1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im ，试计算各波形的电流平均值Id1、Id2、Id3与电流有效值I1、I2、I3。

1解：a) Id1=2????4Imsin(?t)?Im2(?1)?0.2717Im2?2

1 I1=2?1 b) Id2=????4(Imsin?t)2d(wt)?Imsin?td(wt)?Im31??0.4767Im242?

???4Im2(?1)?0.5434Im22

1I2=

?2??(Imsin?t)d(wt)?4?2Im31??0.6741Im242?

1 c) Id3=2???20Imd(?t)?1Im4

1 I3=2?

??20Im2d(?t)?1Im2

1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时，相应的电流最大值Im1、Im2、Im3各为多少?

解：额定电流IT(AV)=100A的晶闸管，允许的电流

模拟电子技术基础

第四版

清华大学电子学教研组 编

童诗白 华成英 主编

自测题与习题解答

第1章 常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )

(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。( √ )

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

(2)稳压管的稳压区是其工作在。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有

A.结型管

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 基本放大电路内容提要

第二章 内容提要

本章先以单管共射极放大电路为例，阐明放大电路的组成 原则以及实现放大作用的基本原理。然后介绍电子电路的 最常用的两种分析方法—图解法和微变等效电路法，并利 用上述方法分析单管共射极放大电路的静态工作点和动态 参数(电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。由于温度 变化将对半导体器件的参数产生影响，进而引起放大电路 静态工作点的变动，为此，介绍了一种分压式静态工作点 稳定电路。 此外，还介绍了共集电极和共基极放大电路。 在双极型三极管放大电路的基础上，介绍了 场效应管(单极型三极管)放大电路的特点 和分析方法。

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 目录

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10

放大的概念 放大电路的主要性能指标 基本共射极放大电路 放大电路的分析方法 工作点稳定的放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 三种接法的比较 复合管放大电路 场效应管放大电路

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

2.1 放大的概念

要求——变化量幅度增大、波形失真小

放大

对象——变化量

实质——能量转换和控制

《模拟电子技术基础》(第四

模拟电子技术基础

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清华大学电子学教研组 编

童诗白 华成英 主编

自测题与习题解答

第1章 常用半导体器件

自测题

一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( √ )

(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。( × ) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。( √ )

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零，则其输入电阻会明显变小。( × ) 二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

(2)稳压管的稳压区是其工作在。

A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿

(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏 (4) UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有

A.结型管

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 基本放大电路内容提要

第二章 内容提要

本章先以单管共射极放大电路为例，阐明放大电路的组成 原则以及实现放大作用的基本原理。然后介绍电子电路的 最常用的两种分析方法—图解法和微变等效电路法，并利 用上述方法分析单管共射极放大电路的静态工作点和动态 参数(电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。由于温度 变化将对半导体器件的参数产生影响，进而引起放大电路 静态工作点的变动，为此，介绍了一种分压式静态工作点 稳定电路。 此外，还介绍了共集电极和共基极放大电路。 在双极型三极管放大电路的基础上，介绍了 场效应管(单极型三极管)放大电路的特点 和分析方法。

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

第二章 目录

2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9 2.10

放大的概念 放大电路的主要性能指标 基本共射极放大电路 放大电路的分析方法 工作点稳定的放大电路 共集电极放大电路 共基极放大电路 三种接法的比较 复合管放大电路 场效应管放大电路

《模拟电子技术基础》(第四版) 第2章

2.1 放大的概念

要求——变化量幅度增大、波形失真小

放大

对象——变化量

实质——能量转换和控制

《模拟电子技术基础》(第四

《数字电子技术基础》第二章习题(阎石主编,第四版)

[题2.5] 在图P2.5由74系列TTL与非门组成的电路中，计算门GM能驱动多少同样的与非门。要求GM输出的高、低电平满足

VOH 3.2V,VOL 0.4V。与非门的输入电流为

IIL 1.6mA,IIH 40uA。VOL 0.4V时输出电流最大值为

IOL(max) 16mA，VOH 3.2V时输出电流最大值为

IOH(max) 0.4mA。GM的输出电阻可以忽略不计。

答案：

当VO=VOL=0.4V时，可求得

n IOL(max)

IIL 16 10 1.6

当VO=VOH=3.2V时，可求得

n' IOH(max)

2IIH 0.4 5 2*0.04

故GM能驱动5个同样的与非门。

[题2.10] 试说明在下列情况下，用万用表测量图P2.10的v12端得到的电压各为多少：

（1）v11悬空；

（2）v11接低电平（0.2V）；

（3）v11接高电平（3.2V）；

（4）v11经51 电阻接地；

（5）v11经10K 电阻接地。

答案：

这时相当于v12端经过一个100K 的电阻接地。假定与非门输入端多发射极三极管每个发射结的导通压降均为0.7V，则有

（1）v12 1.4V

（2）v12 0.2V

（3）v12 1.4V

第3章 直流斩波电路

1．简述图3-1a所示的降压斩波电路工作原理。

答：降压斩波器的原理是：在一个控制周期中，让V导通一段时间ton，由电源E向L、R、M供电，在此期间，uo＝E。然后使V关断一段时间toff，此时电感L通过二极管VD向R和M供电，uo＝0。一个周期内的平均电压Uo＝

ton?E。输出电压小于电源电压，ton?toff起到降压的作用。

2．在图3-1a所示的降压斩波电路中，已知E=200V，R=10Ω，L值极大，EM=30V，T=50μs,ton=20μs,计算输出电压平均值Uo，输出电流平均值Io。

解：由于L值极大，故负载电流连续，于是输出电压平均值为

Uo=

输出电流平均值为

Io =

Uo-EM80?30==5(A) R10ton20?200E==80(V) T50

3．在图3-1a所示的降压斩波电路中，E=100V， L=1mH，R=0.5Ω，EM=10V，采用脉宽调制控制方式，T=20μs，当ton=5μs时，计算输出电压平均值Uo，输出电流平均值Io，计算输出电流的最大和最小值瞬时值并判断负载电流是否连续。当ton=3μs时，重新进行上述计算。

解：由题目已知条件可得：

EM10==0.1