电力电子技术期末考试试题及答案北京信息科技大学

西南科技大学 模拟电子技术试卷十

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分，共20分) （1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度 D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小

①

－2V －8V 图1

③ ② －2.2V

西南科技大学 模拟电子技术试卷十

C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路 C.

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_小于__Ubo。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、

预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大

①

－

－8V 图1

③ －2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

预测试卷;

西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十

O绝密启用前O

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管

(4 )温度上升时，半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大，uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大

①

－

－8V 图1

③ －2.2V

D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路

北京信息科技大学2014 ~2015学年第2学期

《电子技术基础》课程期末考试试卷A答案及评分标准

课程所在学院：适用专业班级： 考试形式：闭卷

一、单选、填空题（本题满分30分，共10题，每题3分）

1.图1中PNP晶体管的电路符号为 A 。

（A） （B） （C）

图1

2．两级放大器中，第二级的输入电阻相当第一级的 B 。 （A）输出电阻 （B）负载电阻（C）信号源内阻

3．在图2所示电路中，引入的负反馈是 C 。 （A）电压串联负反馈（B）电压并联负反馈

图2 （C）电流串联负反馈（D）电流并联负反馈

4．稳压管在正常工作时，必须在电路中串接一个限流电阻。 5．图3电路中，已知u1=3V，u2=0V，设二极管为理想二极管，则输出电压uo为 B 。 （A）0V （B）3V （C）－12V

D1 uo u1

A

u2

D2 B R F

-12V 图3

图4

6. 对于图4所示的波形, A、B为输入，F为输出，其反映的逻辑关系是 C 。

（A）异或关系 (B) 与非关系 (C) 无法判

北京交通大学电工电子技术期末考试试题A 北京交通大学考试试题A 课程名称：电工电子技术 出题人：电工基地 班级： 姓名： 学号： 题号 得分 签字 一 二 三 四 五 六 七 总分 考生注意：本试卷由闭卷和开卷两部分构成。考试时间为120分钟。闭卷部分满分为80分，答题时间为90分钟；考试进行90分钟后，交闭卷试题及答案，开始答开卷部分，开始部分满分为20分。

第一部分：闭 卷

一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内 (本大题分10小题, 每小题2分, 共20分)

1、电路如图1所示，已知US1= 4V，US2= 2V。若用图2所示的电路代替图1所示的电路，该等效理想电压源的参数US为( )。

(a) 4 V (b) -2 V (c) 2 V (d) -4 V

2、当三相交流发电机的三个绕组接成星形时，若线电压uBC=380

sinwtV，则相电压uB = ( )。

(a) (b)

(c) (

2006~2007学年 第1学期 建环05级 电工与电子学试题A

任课 教师 题号 得分 一 二 教研室 主任签名 三 四 五 教学院长 签名 六 七 八 合计 成 绩 统 计 表 阅卷人 专业班级____________ 考生姓名：____________ 学 号_______

请将选择题答案填入下表： 选择 答案 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 一． 选择（20分、2分/题）

1．变压器降压使用时，能输出较大的____b_____。 A、功率

B、电流

C、电能

D、电功

2．三相异步电动机旋转磁场的旋转方向是由三相电源的________b_决定。 A、相位 B、相序

C、频率

D、相位角

3．电气控制线路原理图中，触头的位置是处于______a___。 A、未通电状态

B、通电状态

C、根据情况确定状态

4．为保证机床操作者的安全，机床照明灯的电压应选____d_____。 A、380V B、220V C、110V D、36V以下 5．关于提高功率因数的说法，正确的是 （ c ）

微机原理与接口技术一

一、 单项选择题 (下面题只有一个答案是正确的，选择正确答案填入空白处) 1．8086CPU通过（ 1 ）控制线来区分是存储器访问，还是I/O访问，当CPU执行IN AL,DX指令时，该信号线为（ 2 ）电平。

（1） A. M/ B. C. ALE D. N/

(2) A. 高 B. 低 C. ECL D. CMOS 2．n+1位有符号数x的补码表示范围为（ ）。 A. －2n < x < 2n B. －2n ≤ x ≤ 2n -1 C. －2n -1 ≤ x ≤ 2n-1 D. －2n < x ≤ 2n

3．若要使寄存器AL中的高4位不变，低4位为0，所用指令为（ ）。 A. AND AL, 0FH B. AND AL, 0FOH C. OR AL, 0FH D. OR AL 0FOH 4．下列MOV指令中，不正确的指令是（ ）。 A. MOV AX, BX B. MOV AX, [BX] C. MOV AX, CX D