半导体四大工艺部门

篇一：世界四大尴尬部门——中国环保部

黑龙江中公教育：

昨天，“中国特色社会主义与中国梦宣传教育系列报告会”第一场在人民大会堂举行，环境保护部部长周生贤围绕环境保护有关问题作了报告。报告中周生贤调侃中国环保部是世界四大尴尬部门之一。(7月10日，京华时报)

“水里和陆地的不是一个部门管，一氧化碳和二氧化碳不是一个部门管。”“我听说世界上有四大尴尬部门，中国的环保部就是其中之一。”环保部部长的一席话并非调侃，而是真实的透露出当前国内环保部门以及环保事业所面临的无奈。

近年来，伴随着环境污染问题接连浮出水面，环境保护成为热门词汇越来越受到公众的重视。正因如此，拿环保局长“开涮”逐渐开始流行网络，从“请环保局长下河游泳”到“悬赏游泳”，环保局长成为独自担当社会情绪的“出气筒”，环保部门也“荣膺”世界四大尴尬部门之一。

实际上，让我们平心静气地面对环保问题，便能发现治污重任绝不是环保部门一家能够独自完成的。来自职责定位和执行现实的错位，造成环保部门“看得见管不到”、“有问题治不了”的窘境；导致环保局长“站得住的顶不住，顶得住的站不住”的困境。在现实工作中，环保部门就像一个消防员，哪里起火了就去哪里。由此看来，荣膺“世界四大尴尬部门”绝不仅仅是环保局一家的尴尬！

统计“四大工程”以及它们的具体关系

“四大工程”实际上是指国家统计局从深化统计改革、推进统计事业的发展、提高统计数据质量、提高统计能力、提高政府统计公信力，推进统计工作的规范统一、改革创新和公开透明而采取的重要措施和重点推进的工作。

所谓“四大工程”包括：一是要建设一个真实完整、及时更新的统一的单位名录库；二是要建立统一规范、方便企业填报的企业统计报表制度；三是建设功能完善、统一兼容的统一数据采集处理软件系统；四是建立统一高效的统计联网直报系统。

这“四大工程”是国家统计局重点推进的几项重点工作。建设这四项工程是统计理念的重大革新，是统计流程的再造和升级，是统计数据生产方式的深刻变革，对于推进统计数据的采集、传输、汇总、加工等环节的科学化和规范化，提高统计数据的质量具有十分重要和现实的意义。

统计上的这“四大工程”是一个有机整体。分开来讲，基本单位名录库是基础，“企业一套表”改革是核心，统一的数据采集处理软件系统是平台，联网直报是手段。

这里讲到的“企业一套表”改革是“四大工程”的核心，是因为“企业一套表”改革的推行是一项覆盖国家、省、地（市）、县等各级统计机构和企业统计业务工作全流程的系统工程。从统计

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【海归就业】如何进四大实习？如何进四大工作？

题主目前大三，就读人大商学院会计专业。大学六级620分，托福107分。之前曾有半个月的某税务师事务所实习经历（暑假），另有半年海外学校交换经历和半年某咖啡厅打工经历，但gpa偏低，仅3.4（4.0为满）。9-11月间网申了四大会计师事务所的寒假实习项目，皆是通过各家的官网投递的。现在已是12月份，一直杳无音讯，没收到任何一家的笔试机会。但题主所在的学校的确有一些人已拿到四大实习offer，他们学分绩全在3.7（4.0为满）以上，这是否说明四大筛选实习生的时候以gpa为最重要的参考指标？但我在投递之前也了解过很多讯息，说四大对学校、英语成绩、实习经历什么的都很看重，为何连一次笔试机会都不给呢？诚心求教。

如今也即将跨入大四，未来规划上对于考内地的会计专硕、香港的授课型硕士还是直接参加工作一直犹豫不定，题主一直向往pwc，也想申请外企有关财务部门的工作岗位，但自申请四大失利以来，对拿到offer直接参加工作不敢再抱太大希望。现在感觉前景渺茫，必须快些下决定然后投入准备中去。能否恳请提供一些建议和意见？万分感谢。

半导体器件的检测和选用

(1)二极管的检测与选用 1)二极管的检测根据PN结的单向导电性原理，最简单的方法是用万用表测其正、反向电阻。用万用表红表笔接二极管负极、黑袁笔接二极管正极，测得的是正向电阻，将红、黑表笔对调，测得的是反向电阻。 正向电阻测量：小功率锗管的正向电阻一般为lOOfl～lkC/,之间，硅管的正向电阻一般为几百欧到几千欧之间。 反向电阻测量：锗管和硅管的反向电阻一般都在几百千欧以上，且硅管比锗管大。 根据二极管的单向导电性，即二极管的正向电阻小，反向电阻大的特性，可以通过测量的方法确定二极管的正、负极。 由于二极管的伏安特性的非线性，测量时用不同的欧姆挡或灵敏度不同的万用表，所得的数据不同。测量时，对于小功率二极管，通常可选用万用表R×100或R×lk挡；对于中、大功率二极管通常应选用万用表R×1。或R×10挡。 如果测得正向电阻为无穷大，说明二极管内部断线，如果反向电阻值近似为零，说明管子内部短路（击穿），如果测得正反向电阻相差不多，说明管子性能差或失效。以上三种情况的二极管皆不能使用。 实际使用中应注意，硅管和锗管不能替换。同类型管子可以代替，其原则是，对于检波管，只要工作频率高于原来的管子就可代换；对于整流管，只要反向

半导体制造工艺期中复习重点

第一章 绪论

1. 集成电路：通过一系列特定的平面制造工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电

容等无源元件，按照一定的的电路互连关系，“集成”在一块半导体单晶片上，并封装在一个保护壳内，能执行特定功能的复杂电子系统。（P1）

2. 半导体工艺实质：重复清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂和平坦

化。（P1）

3. 集成电路电阻的结构：金属膜电阻、掺杂的多晶硅电阻、杂质扩散到衬底的特定区域电

阻。（P3）

4. 集成电路的电容结构：（平面型电容）金属膜电容、掺杂的多晶硅电容、杂质扩散到衬

底的特定区域电容。（P4）

5. 半导体集成电路制造：硅片（晶圆）的制备、掩膜版的制作、硅片的制造及元器件的封

装。（P11）图1-20

6. 集成电路发展趋势：a提高芯片性能b提高芯片的可靠性c降低芯片的成本（P13） 7. 特征尺寸:l构成芯片的物理尺寸特征，也是电路的几何尺寸。硅片上的最小特征尺寸被

称为关键尺寸活CD。（CD代表了制造商制造水平的高低和制造能力的大小。P14） 8. 集成电路和各种半导体制造材料：硅、锗、砷化镓等单晶体（P14）

9. 一个给定的电阻率，N型掺杂的浓度地低于P型的浓度，是因为移动的一个电

半导体制造工艺实验

姓名：章叶满 班级：电子1001 学号：10214021

一、氧化 E3:25.1:1.

go athena

#TITLE: Oxide Profile Evolution Example

# Substrate mesh definition line y loc=0 spac=0.05 line y loc=0.6 spac=0.2 line y loc=1

line x loc=-1 spac=0.2 line x loc=-0.2 spac=0.05 line x loc=0 spac=0.05 line x loc=1 spac=0.2

init orient=100

# Anisotropic silicon etch

etch silicon left p1.x=-0.218 p1.y=0.3 p2.x=0 p2.y=0

# Pad oxide and nitride mask deposit oxide thick=0.02 div=1 deposit nitride thick=0.1 div=1 etch nitrid

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication

----A Practical Guide to Semicondutor Processing

目录:

第一章:半导体工业[1] [2] [3]

第二章:半导体材料和工艺化学品[1] [2] [3]

第三章:晶圆制备[1] [2] [3]

第四章:芯片制造概述[1] [2] [3]

第五章:污染控制[1] [2] [3] [4] [5] [6]

第六章:工艺良品率[1] [2]

第七章:氧化

第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光

第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验

第十章:高级光刻工艺

第十一章:掺杂

第十二章:淀积

第十三章:金属淀积

第十四章:工艺和器件评估

第十五章:晶圆加工中的商务因素

第十六章:半导体器件和集成电路的形成

第十七章:集成电路的类型

第十八章:封装

附录:术语表

[4] [5] 1

芯片制造-半导体工艺教程

#1 第一章 半导体工业--1

芯片制造-半导体工艺教程 点击查看 章节目

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication

----A Practical Guide to Semicondutor Processing

目录:

第一章:半导体工业[1] [2] [3]

第二章:半导体材料和工艺化学品[1] [2] [3]

第三章:晶圆制备[1] [2] [3]

第四章:芯片制造概述[1] [2] [3]

第五章:污染控制[1] [2] [3] [4] [5] [6]

第六章:工艺良品率[1] [2]

第七章:氧化

第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光

第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验

第十章:高级光刻工艺

第十一章:掺杂

第十二章:淀积

第十三章:金属淀积

第十四章:工艺和器件评估

第十五章:晶圆加工中的商务因素

第十六章:半导体器件和集成电路的形成

第十七章:集成电路的类型

第十八章:封装

附录:术语表

[4] [5] 1

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#1 第一章 半导体工业--1

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1

现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学概论1现代半导体器件物理与工艺

概论

Physics and Technology of Modern

Semiconductor Devices

2004,7,30

现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学概论2/

课程概论

课程名：现代半导体器件物理与工艺 学分：4

时间：秋季学期1-16周 先修课程：

z 固体物理学z 半导体物理

z

热力学与统计物理学z 量子力学

z 模拟电子技术基础z

数字电子技术基础

现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学概论3/学习目标

掌握半导体物理基本理论

掌握基本器件物理知识 掌握IC制造工艺知识 Pspice建模

了解什么是微电子学和研究什么方面 了解微电子学的过去、现状和未来

初步了解集成电路设计、集成电路CAD方法等基本概念

现代半导体器件物理与工艺桂林电子科技大学概论4/

教材和参考资料

半导体器件物理与工艺施敏苏州大学出版社

半导体制造技术Michael Quirk et al. 电子工业出版社 微电子学概论张兴北京大学出版社

固体物理

黄昆高等教育出版社

Handbook of Semiconductor Fabrication Technology New York :Marcel Dekker,

半导体制造工艺

1

NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——