热电材料原理及应用

热电材料综述

摘要:热电材料是一种利用固体内部载流子运动实现热能和电能直接转换的功能材料，也是一种极具发展前景的新能源材料。本文详述了目前热电材料研究的基本种类，影响热电优值的基本因素，探讨了提高热电性能的几条途径，并对近几年热电材料的研究发展趋势进行了分析与讨论。本文对近几年几大类热电材料的研究进展做了详细的分析，对其如何提高热电优值的各方面进行了剖析，并对热电材料的研究发展趋势做了分析与讨论。

关键词：热电材料 热电优值 热电性能

The development and research trends of thermoelectric materials

Abstract: Thermoelectric material is a functional material which takes advantage of the

movement of solid internal carriers to achieve the direct conversion of thermal and electrical energy, which is also a very promising new energy materia

热电偶传感器的原理与发展应用

温度是一个基本的物理量，自然界中的一切过程都与温度密切相关。常用的温度传感器有热电偶、热电阻传感器等。热电偶传感器是目前测温度中应用最广泛的热电式传感器，其中热电偶温度传感器是工业上最常用的温度检测元件。热电偶传感器属于自发电型传感器，测量时可以不需外加电源，可直接驱动动圈式仪表直接与被测对象接触，不受中间介质的影响，其具有结构简单，制造方便，测温范围宽，热惯性小，准确度高，输出信号便于远传等优点。鉴于上述优点，热电偶传感器在工业温度测量检测与控制系统中得到广泛的应用。

2 热电偶传感器的种类

常用热电偶可分为标准热电偶和非标准热电偶两大类。所谓标准热电偶是指按照国家标准，确定了其热电势与温度的关系，有统一标准的分度表。而非标准化热电偶在使用范围或数量级上均不及标准化热电偶，一般也没有统一的分度表，主要用于某些特殊场合的测量。通常所说的热电偶指的是标准热电偶，而在工业测量中使用得最多的标准热电偶主要有E （镍铬铜镍）、K （镍铬.镍硅）、J（铁一铜镍）、T（铜一铜镍）四种类型。每种热电偶材料都有常用的测温范围，如最常用的K型热电偶，其覆盖测量温区为；270～1370℃，常使用的温度范围为0～600。

3 热电偶传感器的应

薄膜材料制备原理、技术及应用知识点1

一、 名词解释

1. 气体分子的平均自由程:自由程是指一个分子与其它分子相继两次碰撞之间，经过的直线路程。对个别分子而言，自由程时长时短，但大量分子的自由程具有确定的统计规律。气体分子相继两次碰撞间所走路程的平均值。

2. 物理气相沉积（PVD）：物理气相沉积(Physical Vapor Deposition，PVD)技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。 物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。 3. 化学气相沉积（CVD）：化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术。它本质上属于原子范畴的气态传质过程。

4. 等离子体鞘层电位：等离子区与物体表面的电位差值ΔVp即所谓的鞘层电位。

原子层热电堆材料：物理特性与应用

新型的热电堆材料被各向异性的费米面很好的描述了，于是各向异性的seebeck效应又被人们重新重视起来。早期的研究表明：当用脉冲光照射高温超导氧化物时会产生诱导电压。后来的研究表明这是由seebeck张量的各向异性系数所导致的，所以此种材料被归为原子层热电堆材料（ALT）。我们最近的研究表明：纳米尺度的多层薄膜显示了更大的原子层热电堆特性。这也印证了人们试图在纳米结构的热电堆材料中寻找更大性能系数(ZT)的热电材料想法。对ALT材料的研究不仅提出了对这些材料各向异性的传输性质的深刻见解，而且为这些材料的应用提供可能性的因子。例如：光探测器，微冷却器。通过测量ALT材料在各种扰动下的性质，发现了各向传输异性的的信息，由于纳米态的共存，有时用别的工具很难发现这些材料中的这些信息，本文还讨论了一些有待解决的问题和此研究方向的未来发展。

1 引言

激光诱导电压的试验首先有常等人完成。在此试验中YBCO薄膜被用作光探测器，他们发现当有脉冲激光照射YBCO薄膜表面时就会产生诱导电压，，证明了这种LITV信号是由HTSC（高温超导）氧化物中的各向异性的热电性质所引起的。这些膜吸收入射光，使得薄膜上表面发热，很快它的上表面与下表面就

50 材料导报　　　　2006年2月第20卷第2期

纳米技术在提高热电材料性能上的应用现状及发展趋势3

罗　婷,任　山

(广州中山大学光电材料与技术国家重点实验室纳米技术研究中心,510275)

　　摘要　　综述了形成超晶格结构、纳米线(或纳米管)和纳米复合结构3种纳米技术在提高热电材料性能(ZT值)

上的研究现状、存在的困难及发展趋势,同时指出纳米技术在提高热电材料性能上的应用还需要进一步完善理论模型,优化样品制备的实验手段,了解材料微观结构以及确定结构与性能之间的关系。

关键词　　热电材料　纳米技术　超晶格结构　纳米线(或纳米管)　纳米复合结构中图分类号:TB34;O472.7　

TheApplicationofNanotechnologyinEnhancementofTEMaterials’Efficiency

LUOTing,RENShan

(TheCentreforNanotechnologyResearch,StateKeyLaboratoryofOptoelectronicMaterialsandTechnologies,

SunYet2senUniversity,Guangzhou510275)

Abstract　　Thispaperdiscus

50 材料导报　　　　2006年2月第20卷第2期

纳米技术在提高热电材料性能上的应用现状及发展趋势3

罗　婷,任　山

(广州中山大学光电材料与技术国家重点实验室纳米技术研究中心,510275)

　　摘要　　综述了形成超晶格结构、纳米线(或纳米管)和纳米复合结构3种纳米技术在提高热电材料性能(ZT值)

上的研究现状、存在的困难及发展趋势,同时指出纳米技术在提高热电材料性能上的应用还需要进一步完善理论模型,优化样品制备的实验手段,了解材料微观结构以及确定结构与性能之间的关系。

关键词　　热电材料　纳米技术　超晶格结构　纳米线(或纳米管)　纳米复合结构中图分类号:TB34;O472.7　

TheApplicationofNanotechnologyinEnhancementofTEMaterials’Efficiency

LUOTing,RENShan

(TheCentreforNanotechnologyResearch,StateKeyLaboratoryofOptoelectronicMaterialsandTechnologies,

SunYet2senUniversity,Guangzhou510275)

Abstract　　Thispaperdiscus

热电性材料的新况综述

摘要：

热电材料是一种能将电能与热能相互转换的功能材料,近年来备受关注。从

低维热电材料、热电器件及其应用等方面综述了热电材料研究的最新进展,并展望了今后的发展方向。

关键词：热电材料 热电性能 热电器件 前言

矿物当温度变化时，在晶体的某些结晶方向产生荷电的性质称为热电性。 矿物的焦电性主要存在于无对称中心、具有极性轴的介电质矿物晶体中。如电气石、方硼石。热电性是指矿物宝石在外界温度变化时，在晶体的某些方向产生荷电的性质。热电性最初发现于石英中(1824)。

某些晶体的电极化强度随温度变化而释放表面吸附的部分电荷的性质。它只能发生在不具有中心对称的晶体中。在32种晶体的宏观对称类型中，只有10种具有惟一的极轴；晶体中离子沿极轴正反两个方向的配置不完全相同而产生电矩，导致晶体沿极轴方向出现一个宏观不等于零的固有极化强度P。通常在晶体表面上总电矩的正负端容易吸附异性电荷直到完全抵消总电矩所产生的宏观电场,所以这种固有极化并不表露出来。但是P与温度有关;当温度变化时由于P的改变而释放出表面吸附的部分电荷，这种现象称为热电效应；国内亦

IGMP Snooping

原理及应用

目 录

第1章 IGMP ....................................................................................................................................... 1 1.1 多播组地址 .................................................................................................................................. 1 1.2 IP多播映射到以太网多播 ......................................................................................................... 2 1.3 IGMP协议 .........................................................................

《微机原理及应用》综合复习资料

一、填空题

1、 对于十六进制表示的数码26.8H，转换为十进制数时为： ；该数码用压缩BCD码表

示时数据为： 。

2、 设机器字长为8位，最高位是符号位。则十进制数–14所对应的原码为： 。 3、 可编程接口芯片8255A的I/O口可以通过编程的方式来设定其工作方式，其中B口工作

方式有 种。

4、 设AX=2000H，BX=2002H，则在执行了指令CMP AX，BX后，标志位CF为 ，AX= 。 5、 若AL＝10011000B，BL＝01100111B，则执行指令“ADD AL，BL”后，AL ＝ ；执行指

令“AND AL，BL”后，AL ＝ 。

6、 设DS=24E0H，SS=2410H，ES=2510H，DI=0206H，则指令“MOV AX，[DI+100H]”源操作数

的物理地址为 。

7、 要组成容量为8KB的存储器，需要 片1K×8位的静态RAM芯片串联。 8、 十六进制数2B.4H转换为十进制数为 。

9、 8086/8088 CPU从功能上分为 和指令执行部件EU两部分。 10、 11、 12、 13、 14、 1

一．填空题（本题总分12分，每空1分）

1．累加器A分为三个部分，分别为 ； ； 。 1．AG,AH,AL

2．TMS320VC5402型DSP的内部采用 条 位的多总线结构。 2．8,16

3．TMS320VC5402型DSP采用 总线结构对程序存储器和数据存储器进行控制。 3．哈佛

4．TMS329VC5402型DSP有 个辅助工作寄存器。 4．8个

5．DSP处理器TMS320VC5402中DARAM的容量是 字。 5．16K字

6．TI公司的DSP处理器TMS320VC5402PGE100有___________个定时器。 6．2

7．在链接器命令文件中，PAGE １通常指________存储空间。 7．数据

8．C54x的中断系统的中断源分为____ ___中断和____ ____中断。 8．硬件、软件

1．TI公司DSP处理器的软件开发环境是__________________。 1．答：CCS(Code Composer Studio)

2．DSP处理器TM