模拟电子技术是模电吗

模拟电路

复习预习方法：

1、 掌握基本理论：二极管、三极管的特点和用途，反馈的定义、分类、判断，功率放大的

原理与分类，滤波器的基本原理，波形发生器的原理与能否起震的判断，直流电源的基本原理及构成。

2、 掌握的计算：三极管放大电路的静态、动态分析，集成远放的相关计算，振荡电路频率

计算，直流电源的简单计算。

3、 除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。 习题一、半导体二极管及其应用

1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 a大于 b 小于 c 等于 答案：C

2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______ a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度 答案：B

3.在掺杂半导体中，少子的浓度受______的影响很大 a 温度 b掺杂工艺 c 掺杂浓度 答案：C

4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越______ a 高 b 低 c不变 答案：B

5.N 型半导体______

a 带正电 b 带负电 c 呈中性 答案：C

6.温度升高 N 型半导体的电阻率将______ a 增大 b 减小 c 不变 答案：C

7. 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将______ a 不变 b 变宽小于 c 变窄

第一章 半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降

华南理工大学

第一章 半导体二极管 一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性

《模拟电子技术》习题整理

第一章 1.1

（1）信号是反映 消息 的物理量，电信号是指随 时间 而变化的电压或电流。

（2）模拟信号在时间和数值上均具有 连续 性，数字信号在时间和数值上均具有 离散 性。 （3）模拟电路是处理 模拟 信号的电路。

（4）构成具有各种功能模拟电路的基本电路是 放大电路 。

1.2 （1）在设计电子系统时，应尽量可能做到哪几点？ 答：必须满足功能和性能的指标要求；

在满足功能和性能指标要求的前提下，电路要尽量简单，所用元器件尽可能少； 考虑电磁兼容性；

系统的调试应简单方便，而且生产工艺应简单。

第二章

2.9 求解电路输出电压与输入电压的运算关系式。

解：

2.13 求解电路的运算关系。

第三章 3.2

（1）N型半导体是在本征半导体中掺入 五价元素，如磷等 ；P型半导体是在本征半导体中掺入 三价元素，如硼等 。

（2）PN结加正向电压时，由 扩散运动 形成电流，其耗尽层 变窄 ；加反向电压时，由 漂移运动 形成电流，其耗尽层 变宽 。

第一章 半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。 7. PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性

二. 半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降-

大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题

一、填空题：（每空1分 共40分）

1、PN结正偏时（ 导通 ），反偏时（ 截止），所以PN结具有（ 单向 ）

导电性。

2、漂移电流是（ 温度 ）电流，它由（ 少数 ）载流子形成，其大小与（ 温

度 ）有关，而与外加电压（无关 ）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其

反偏时，结电阻为（ 无穷 ），等效成断开；

4、三极管是（ 电流 ）控制元件，场效应管是（ 电压 ）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏 ），集电结（ 反偏 ）。 6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ 变小 ），发射结压降（ 不变 ）。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是（ 共基 ）、（ 共射 ）、（ 共集 ）

放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（ 电压并联）负反馈，为了稳

定交流输出电流采用（ 串联 ）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F） ），对于深度负反馈放大电路

的放大倍数AF=（ 1/ F ）。

1

电子技术课程设计

数字电子设计部分1 / 22

电子技术课程设计

一、 课程设计的目的与作用

1.熟练掌握组合逻辑、时序电路的分析和设计方法；

2.综合运用数字电子技术课程中所学的理论知识完成课程设计； 3.通过查阅手册和文献资料，提高独立分析和解决问题的能力。

二、 设计任务、及使用仪器

设计任务

设计一个组合逻辑电路和一个时序逻辑电路，在实验箱上实现其功能。 使用仪器

（1） 数字原理实验系统一台

（2） 常用集成芯片：74LS00 74LS10 74LS08 74LS04

74LS86 74LS138 74LS112 74LS279 74LS47 74LS148

三、 实验内容及原理分析

1、 组合逻辑电路——代码转换电路

当控制信号K=1时，可将输入的3位二进制代码转换成循环码；K=0 时，能把3位循环码转换成二进制码。 分析：开关K为控制信号，根据真值表，

【1】将G2，G1，G0作为输出，则二进制码转换为循环码的表达式为

+B1，G0=B1○+B2 G2=B2，G1=B2○

即令电路在K=1时，可以正确实现三位二进制码到循环码的转换。

【2】将B2,B1,B0作为输出，则二进制码转

模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)希望能对大家有帮助~ -------来自肇庆学院某学子一下午的心血!

第1章 常用半导体器件

1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小

(3)工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时，IC 从lmA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。

A.83 B.91 C.100

(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。

A.增大； B.不变； C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知ui压可忽略不计。

10sin t(V)，试画出ui与uo的波形。设二极管导通电

图P1.2 解图P1.2

解：ui与uo的波形如解

第一章

一、选择题（请选择一个最合适的答案填入括号内） 1. P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体中的多数载流子是（ ）。

A. 自由电子 B. 空穴 C. 电荷

2. 当PN结正偏时，空间电荷区中载流子的扩散运动和漂流运动相比（ ）。

A. 前者强于后者 B. 后者强于前者 C.二者平衡 3. 二极管正向导通的条件是外加电压（ ）。

A. >0 B. >死区电压 C. >击穿电压 D. <死区电压 4. 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该管（ ）。

A. 击穿 B. 电流为零 C. 电流正常 D. 电流过大使管子烧坏 5. 在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体，加入_____元素可形成P型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 D. 二价 6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_____

A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零

7. 工作在放大区的某三极管，如果当I

《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习

填 空

1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极 。

6.PN结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN结的______________________________。 7.二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分