hmc1001磁阻传感器参数
“hmc1001磁阻传感器参数”相关的资料有哪些?“hmc1001磁阻传感器参数”相关的范文有哪些?怎么写?下面是小编为您精心整理的“hmc1001磁阻传感器参数”相关范文大全或资料大全,欢迎大家分享。
HMC1001型磁阻式传感器的研究
HMC1001型磁阻式传感器的研究 程 星
( 长江大学 电子信息学院,湖北 荆州 434023
摘 要: 介绍了HMC1001 型磁阻传感器工作的原理, 设计了在标准直螺线圈中心磁场测
量中STC 单片机最小应用系统, 阐述了它在弱磁检测中的重要地位,给出了实验室测试结果, 分析得出HMC1001型磁阻传感器有体积小、精度高的特点,其应用将会越来越广泛。
关键词: 磁阻式传感器;STC 单片机;脉冲;电桥;弱磁检测; 引言
空间或磁性材料中磁通、磁通密度、磁通势、磁场强度等的测量是磁学量测量的内容之一。空间的磁通密度与磁场强度成比例关系,空间磁场强度的测量,实质上也是磁通密度的测量。因而用磁强计测量的实际上是磁通密度。 磁场测量主要利用磁测量仪器进行。按照被测磁场的性质,磁场测量分为恒定磁场测量和变化磁场测量。
随着科学技术的发展
, 人们在磁场测量方面作了大量的研究工作, 设计出了各种不同的磁场传感器, 并广泛应用于磁场测量之中。在探测磁场的大小、方向以及在探矿、录井、地下钻孔、位置检测、航海系统等方面往往需要测得一个准确度很高的磁场值。在这种情况下使用HMC1001型磁阻式传感器进行测量是非常合适的, 因为它不仅体积小、成本低,而且在-
HMC1001型磁阻式传感器的研究
HMC1001型磁阻式传感器的研究 程 星
( 长江大学 电子信息学院,湖北 荆州 434023
摘 要: 介绍了HMC1001 型磁阻传感器工作的原理, 设计了在标准直螺线圈中心磁场测
量中STC 单片机最小应用系统, 阐述了它在弱磁检测中的重要地位,给出了实验室测试结果, 分析得出HMC1001型磁阻传感器有体积小、精度高的特点,其应用将会越来越广泛。
关键词: 磁阻式传感器;STC 单片机;脉冲;电桥;弱磁检测; 引言
空间或磁性材料中磁通、磁通密度、磁通势、磁场强度等的测量是磁学量测量的内容之一。空间的磁通密度与磁场强度成比例关系,空间磁场强度的测量,实质上也是磁通密度的测量。因而用磁强计测量的实际上是磁通密度。 磁场测量主要利用磁测量仪器进行。按照被测磁场的性质,磁场测量分为恒定磁场测量和变化磁场测量。
随着科学技术的发展
, 人们在磁场测量方面作了大量的研究工作, 设计出了各种不同的磁场传感器, 并广泛应用于磁场测量之中。在探测磁场的大小、方向以及在探矿、录井、地下钻孔、位置检测、航海系统等方面往往需要测得一个准确度很高的磁场值。在这种情况下使用HMC1001型磁阻式传感器进行测量是非常合适的, 因为它不仅体积小、成本低,而且在-
遥感卫星传感器参数
SPOT卫星
SPOT卫星是法国空间研究中心(CNES)研制的一种地球观测卫星系统。―SPOT‖系法文Systeme Probatoire d’Observation dela Tarre的缩写,意即地球观测系统。
目 录
1卫星简介 2卫星参数
2.1 轨道参数 2.2 观测仪器 2.3 数据参数 2.4 谱段参数 2.5 数据应用范围
3传感器特点 4发展历程
4.1 SPOT-1 4.2 SPOT-4 4.3 SPOT-5
1卫星简介
Spot系列卫星是法国空间研究中心,(CNES)研制的一种地球观测卫星系统,至今已发射Spot卫星1-6号,1986年已来,Spot已经接受、存档超过7百万幅全球卫星数据,提供了准确、丰富、可靠、动态的地理信息源,满足了制图、农业、林业、土地利用、水利、国防、环境、地质勘探等多个应用领域不断变化的需要。[1]
2卫星参数
轨道参数
Spot卫星采用高度为830km,轨道倾角为98.7度的太阳同步准回归轨道,通过赤道时刻为地方时上午10:30,回归天数(重复周期)为26d。由于采用倾斜观测,所以实际上可以对同一地区用4~5d的时间进行观测。
观测仪器
Spot1,2,3上搭载的传感器HRV采用CCD(cha
磁阻传感器与地磁场实验仪
实验6—8 用磁阻传感器测量地磁场
地磁场的数值比较小,约10T量级,但在直流磁场测量,特别是弱磁场测量中,往往需要知道其数值,并设法消除其影响,地磁场作为一种天然磁源,在军事、工业、医学、探矿等科研中也有着重要用途。本实验采用新型坡莫合金磁阻传感器测定地磁场磁感应强度及地磁场磁感应强度的水平分量和垂直分量;测量地磁场的磁倾角,从而掌握磁阻传感器的特性及测量地磁场的一种重要方法。由于磁阻传感器体积小,灵敏度高、易安装,因而在弱磁场测量方面有广泛应用前景。 【实验目的】
1. 掌握磁阻传感器的特性。 2. 掌握地磁场的测量方法。 【实验原理】
物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钴、镍及其合金等磁性金属,当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时,电阻几乎不随外加磁场变化;当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时,此类金属的电阻减小,这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。
HMC1021Z型磁阻传感器由长而薄的坡莫合金(铁镍合金)制成一维磁阻微电路集成芯片(二维和三维磁阻传感器可以测量二维或三维磁场)。它利用通常的半导体工艺,将铁镍合金薄膜附着在硅片上,如图6-8-1所示。薄膜的电阻率?(?)依赖于磁化强度M和电流I方向间的夹角?,具有以下关
磁阻传感器与地磁场实验仪
现代物理实验电磁学实验指导
实验6—8 用磁阻传感器测量地磁场
地磁场的数值比较小,约10T量级,但在直流磁场测量,特别是弱磁场测量中,往往需要知道其数值,并设法消除其影响,地磁场作为一种天然磁源,在军事、工业、医学、探矿等科研中也有着重要用途。本实验采用新型坡莫合金磁阻传感器测定地磁场磁感应强度及地磁场磁感应强度的水平分量和垂直分量;测量地磁场的磁倾角,从而掌握磁阻传感器的特性及测量地磁场的一种重要方法。由于磁阻传感器体积小,灵敏度高、易安装,因而在弱磁场测量方面有广泛应用前景。 【实验目的】
1. 掌握磁阻传感器的特性。 2. 掌握地磁场的测量方法。 【实验原理】
物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。对于铁、钴、镍及其合金等磁性金属,当外加磁场平行于磁体内部磁化方向时,电阻几乎不随外加磁场变化;当外加磁场偏离金属的内部磁化方向时,此类金属的电阻减小,这就是强磁金属的各向异性磁阻效应。
HMC1021Z型磁阻传感器由长而薄的坡莫合金(铁镍合金)制成一维磁阻微电路集成芯片(二维和三维磁阻传感器可以测量二维或三维磁场)。它利用通常的半导体工艺,将铁镍合金薄膜附着在硅片上,如图6-8-1所示。薄膜的电阻率 ( )依赖于磁化强度M和电流I方向间的
传感器介绍
最新传感器列表
遥感波段
? 紫外线:波长范围为0.01~0.38μm,太阳光谱中,只有0.3~0.38μm波长的光到达地面,对油污染敏感,但探测高度在2000 m以下。
? 可见光:波长范围:0.38~0.76μm,人眼对可见光有敏锐的感觉,是遥感技术应用中的重要波段。
? 红外线:波长范围为0.76~1000μm,根据性质分为近红外、中红外、远红外和超远红外。
? 微波:波长范围为1 mm~1 m,穿透性好,不受云雾的影响。 ? 近红外:0.76~3.0 μm,与可见光相似。 ? 中红外:3.0~6.0 μm,地面常温下的辐射波长,有热感,又叫热红外。 ? 远红外:6.0~15.0 μm,地面常温下的辐射波长,有热感,又叫热红外。 ? 超远红外:15.0~1 000 μm,多被大气吸收,遥感探测器一般无法探测。
大气窗口
大气窗口 紫外可见光 近红外 近红外 近-中红外 波段 透射率/% 应用举例 0.3~1.3 μm >90 TM1-4、SPOT的HRV 1.5~1.8 μm 2.0~3.5 μm 80 80 ??TM5 TM7 中红外 3.5~5.5 μm ㏒???琰茞??ü NOAA的AVHRR 远红外 微波 8~14 μm 0
传感器原理
《传感器原理及应用》试卷四
适用班级:(电子071 ,072,073,074,075) 题号 得分 一 二 三 四 五 六 总分 核分人 得分 评卷人
一、填空题:(共20空,每空1分,共20分)
1、传感器一般由 、 、 测量电路和辅助电源四个部分组成。
2、气敏电阻传感器是利用半导体对气体的__________作用而使其__________发生变化的现象来检测气体的成分和浓度。气敏电阻传感器通常由 、 和封装体等三部分组成。
3、为减少电容式传感器在使用中存在的______________,可以在结构上加保护电极,但要求保护电极和被保护电极要为______________。
4、变隙式电感式传感器与螺线管式电感式传感器都可以用来测位移, _____________线性范围大,______________测量灵敏度高。
5、霍尔片越厚其霍尔灵敏度系数越__________(大或小),霍尔灵敏度系数的含义是指____________________________________________。 6、热电偶产生的热电势一般由
传感器题库 -
1、通常希望传感器的输入和输出之间具有一一对应关系,这样的传感器才能如实反映待测的信息。
16 在规定条件下,传感器校准曲线与拟合曲线间最大偏差与满量程输出值的百分比称为线性度。
15、传感器就是通过敏感元件、传感元件和电子线路把非电生物信息转化成电学量的装置
17、电阻应变片式传感器测量电路采用差动电桥时,不仅可以温度补偿,同时还能起到提高测量灵敏度的作用。
2、直流电桥的补偿包括零位补偿、温漂补偿、非线性补偿、灵敏度温漂补偿。
2、金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化,这种现象称应变效应;固体受到作用力后电阻率要发生变化,这种现象称压阻效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同,圆弧部分使灵敏度K下降了,这种现象称为横向效应。
16、在传感器测量电路中,应用电桥测量线路把电阻变化转化成电流或电压变化的线路。 20、电阻应变效应是指在一定的范围内,拉伸金属导体,金属导体的电阻变化和应变成正比。
电容传感器的输入被测量与输出被测量间的关系,除(①变面积型②变极距型③变介电常数型)外是线性的。
空气介质变隙式电容传感器中,提高灵敏度和减少非线性误差是矛盾的,为此实际中大都采用差动式电容传感器
3、一般电
传感器复习
传感器复习
一、填空题
1.在光的作用下,物质内的电子逸出物体表面向外发射的现象,称为外光电效应。 2.根据测量方式的不同,可分为偏差式测量零位式测量和微差式测量。
3.半导体材料受到光照时会产生电子空穴,光线愈强电阻值愈低,这种光照后电阻率发生变化的现象称为光电导效应。 4.常见的压电材料可分为压电晶体和压电陶瓷以及压电半导体。
5.电阻应变片的初始电阻R0是指应变片未粘贴时,在室温下测得的静态电阻。 6.金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在垂直于电流和磁场的方向将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。
7.工业和计量部门常用的热电阻,我国统一设计的定型产品是铂热电阻和铜热电阻。 8.磁栅式传感器信号处理方式可分为鉴相型和鉴幅型。
9. 机械干扰是指系统受到一定程度的振动或冲击时带来的干扰,对于这种干扰应采取减振措施,一般可设置减振弹簧或减振橡胶等。
10. 由于受到电阻丝直径的限制,绕线式电位计分辨率不高。
11.当声源和工件之间有相对运动时,反射回来的超声波的频率将与声源发射超声波的频率有所不同,这种现象称为多普勒效应。
12.为了使光电器件能很好的工作,需要选择合适的光源。常用的光源有:发光钨丝灯泡、电弧
传感器实验
实验一 金属箔氏应变片:单臂、半桥比较
一、实验目的:验证单臂、半桥的性能及相互之间关系。 二、所需单元和部件:直流稳压电源、差动放大器、电桥、F/V
头、双平衡梁、应变片、主、副电源。
表、测微
三、有关旋钮的初始位置:
档,差动放大器增益打到最大。
直流稳压电源打到±2V档,F/V表打到2V
四、实验步骤
(1)将差动放大器调零:用连线将差动放大器的正(+)、负(-)、地短接。将差动放大器的输出端与F/V表的输入插口Vi 相连;开启主、副电源;调节差动放大器的增益到最大位置,然后调整差动放大器的调零旋钮使F/V表显示为零,关闭主、副电源。
(2)根据图1接线R1、R2、R3为电桥单元的固定电阻。R4为应变片;将稳压电源的切换开关置±4V档,F/V表置20V档。调节测微头脱离双平行梁,开启主、副电源,调节电桥平衡网络中的W1,使F/V表显示为零,然后将F/V表置2V档,再调电桥W1(慢慢地调),使F/V表显示为零。
图 1
(3)调整测微头使双平行梁处于水平位置(目测),将直流稳压电源打到±4V档。选择适当的放大增益,然后调整电桥平衡电位器W1,使表头显示零(需预热几分钟表头才能稳定下来)。
(4)旋转测微头,使梁