晶圆制造流程 英文

晶圆制造过程

集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的MOS栅极硅晶体管结构所需要的

基础工艺。每一步工艺生产的说明如下：

第一步：增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜，它

可作为掺杂的屏障。这层二氧化硅膜被称为场氧化层。 第二步：光刻工艺。光刻制程在场氧化层上开凹孔以定义晶体管

的源极、栅极和漏极的特定位置。

第三步：增层工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。 第四步：增层工艺。在第四步，晶圆上沉积一层多晶硅作为栅极

构造的。

第五步：光刻工艺。在氧化层/多晶硅层按电路图形刻蚀的两个

开口，它们定义了晶体管的源极和漏极区域。

第六步：掺杂工艺。掺杂加工用于在源极和漏极区域形成N阱。 第七步：增层工艺。在源极和漏极区域生长一层氧化膜。 第八步：光刻工艺。分别在源极、栅极和漏极区域刻蚀形成的孔，

称为接触孔。

第九步：增层工艺。在整个晶圆的表面沉积一层导电金属，该金

属通常是铝的合金。

第十步：光刻工艺。晶圆表面金属镀层在芯片和街区上的部分按照电路图形被除去。金属膜剩下的部分将芯片的每个元件准确无

误地按照设计要求互相连接

晶圆切片和线锯制造技术 一，高（PI）的

和五普拉萨德，j的李米Bhagavat

机械工程学系，纽约州立大学石溪分校，纽约11794-2300

摘要：线锯，其能力削减半导体材料非常薄硅片多晶硅铸锭从大直径， 已经成为一个领先的技术和光伏产业的晶圆生产半导体。 不过，该电线 锯切过程中仍缺乏理论方法和不正确的理解。 近代强制 更准确，高效的制造，使人们必须明白这研磨液和切削过程 优化它。 由于认识到这个续集，控制工具，可以发展成为监测的最佳工艺。 本文

之间作出比较，有丝锯和内径（ID）的锯已用于切割半导体晶片。 这种比较优势带出了线锯锯过身份证尊重多数。

简介：线锯，技术操作上的自由磨料加工（FAM的），是一种新兴技术 大直径薄壁晶体和晶圆生产半导体光电（PV）产业。 它的优点

跨度从生产产量和生产效率非常薄的硅片小切口损失高。 自中世纪时代 线锯已被认定的石头用于切割各种材料，如硬和其他花岗岩砖。

不过，线锯裁剪质量要求的条件，并在晶圆厚度是非常不同的电子产品 和光电应用的过程比传统的。

评价一个线锯切割过程表明，它是一个不好理解的现象，没有模型

存在的仿真

晶圆（Wafer） 制程工藝學習

晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8吋 硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料 晶圆片。

光 学 显 影

光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻 下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、 曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在 IC 制程的进步上，扮演着 最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为 黄光区。

干 式 蚀 刻 技 术

在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带

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非接触晶圆测试原理及应用

张林海 张俊 赖海波 无锡华润华晶微电子有限公司五分厂

摘 要：本文介绍非接触晶圆测试系统的原理和在半导体生产中的主要应用，包括以表面光电压测试（SPV）为基础的介质层可动电荷测试、C-V测试和I-V测试，体硅表面掺杂以及扩散长度、载流子寿命等应用。 关键词：非接触、电荷、SPV

Abstract：This paper introducing non-contact electrical measurement system produce a medium application in the semi-conductor, mainly include the test principle, Surface photo voltage，Mobile charge, C-V and I-V, at the same time still some applications aiming at other equipmentses and materials in the semi-conductor. Key word: non-contact charge SPV

一、 引言

随着非接触

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高频变压器的制作流程是什么？ [科技 工程 流程]

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九豸凝寒@天涯社区 о нарушении

高频变压器的制作流程是什么？

01.10.2008 23:39:10 Сообщить

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变 压 器 制 作 流 程 一.高频变压器制作流程图. ——— 领料

02.10.2008 23:18:52 Сообщить о

——— 工程图及作业指导书确认 ——— 一次侧绕线 ——— 一次侧绝缘 ——— 二次侧绕线

CMOS反相器的制造工

艺流程

院系：交通科学与工程学院 学号: 11131066 姓名 ： 姬勃

2013年12月9

日

摘 要：虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了 CMOS反相器的主要工

艺流程,并对集成电路的主要制造工艺作了简要分析。 关 键 词： CMOS反相器 、工作原理、工艺流程

1.1 CMOS反相器 介绍

CMOS反相器由一个P沟道增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。通常P沟道管作为负载管，N沟道管作为输入管。这种配置可以大幅降低功耗，因为在两种逻辑状态中，两个晶体管 中的一个总是截止的。处理速率也能得到很好的提高，因为与NMOS型和PMOS型反相器相比，CMOS反相器的电阻 相对较低 1.1工作原理

两个MOS管的开启电压VGS(th)P<0， VGS(th)N >0，通常为了保证正常工作，要求VDD>|VGS(th)P|+V GS(th)N。若输入vI为低电平(如0V)，则负载管导通，输入管截止，输出电压接近VDD。若输入vI为高电平(如VDD)，则输入管导通，负载管截止，输出电压接近0V。

综上所述，当vI为低电平时vo为高电平；vI为高电平时vo

为低电平，

PCB制造各工艺流程详解

PCB制造流程及说明

一. PCB演变

1.1 PCB扮演的角色

PCB的功能为提供完成第一层级构装的组件与其它必须的电子电路零件接 合的基地以组成一个具特定功能的模块或成品所以PCB在整个电子产 品中扮演了整合连结总其成所有功能的角色也因此时常电子产品功能故 障时最先被质疑往往就是PCB图1.1

是电子构装层级区分示意

1.2 PCB的演变

1.早于1903年Mr. Albert Hanson首创利用"线路"(Circuit)观念应用于电话交换机系统它是用金属箔予以切割成线路导体将之黏着于石蜡纸上上面同样贴上一层石蜡纸成了现今PCB的机构雏型见图1.2

2. 至1936年Dr Paul Eisner真正发明了PCB的制作技术也发表多项专利而今日之print-etch (photo image transfer)的技术就是沿袭其发明而来的

1.3 PCB种类及制法

在材料层次制程上的多样化以适 合 不同的电子产品及其特殊需求 以下就归纳一些通用的区别办法来简单介绍PCB的分类以及它的制造方

法

1.3.1 PCB种类 A. 以材质分 a. 有机材质

酚醛树脂玻璃纤维/环氧树脂PolyamideBT/Epoxy

该文档详细介绍了LCD的制造工艺流程和所需的材料技术等

液晶显示器制造工艺流程基础技术

一．工艺流程简述：

前段工位：

ITO玻璃的投入（grading）玻璃清洗与干燥（CLEANING） 涂光刻胶（PR COAT）前烘烤（PREBREAK） 曝光（DEVELOP显影（MAIN CURE蚀刻（ETCHINGSTRIP CLEAN图检（INSP）

CLEAN涂布（TOP COAT）

烘烤（UV CURE固化（MAIN CURE）

CLEANPI PRINT）

MAIN CURE清洗（CLEAN）

（SEAL/SHORT PRINTING烘烤（CUPING FURNACE喷衬垫料（SPACER SPRAY对位压合（ASSEMBLY固化（SEAL MAIN CURING）

1． ITO图形的蚀刻：（ITO玻璃的投入到图检完成）

A． ITO玻璃的投入：根据产品的要求，选择合适的ITO玻璃装

入传递篮具中，要求ITO玻璃的规格型号符合产品要求，切记ITO层面一定要向上插入篮具中。

B． 玻璃的清洗与干燥： 将用清洗剂以及去离子水（DI水）等

洗净ITO玻璃，并用物理或者化学的方法将ITO表面的杂质和油污洗净，然后把水除去并干燥，保证下道工艺的加工质量。

C． 涂光刻胶： 在I

半导体制造工艺

1

NPN高频小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。

PNP小功率晶体管制造的工艺流程为：

外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC检查（tox）——一次光刻——QC检查——前处理——基区CSD涂覆——CSD预淀积——后处理——QC检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC检查（tox、R□）——二次光刻——QC检查——单结测试——前处理——POCl3预淀积——后处理（P液）——QC检查——前处理——发射区氧化——QC检查（tox）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——