半导体蚀刻技术员累吗

簡介

在積體電路製造過程中，常需要在晶圓上定義出極細微尺寸的圖案(Pattern)，這些圖案主要的形成方式，乃是藉由蝕刻(Etching)技術，將微影

(Micro-lithography)後所產生的光阻圖案忠實地轉印至光阻下的材質上，以形成積體電路的複雜架構。因此蝕刻技術在半導體製造過程中佔有極重要的地位。 廣義而言，所謂的蝕刻技術，包含了將材質整面均勻移除及圖案選擇性部份去除的技術。而其中大略可分為濕式蝕刻(Wet Etching)與乾式蝕刻(Dry Etching)兩種技術。

早期半導體製程中所採用的蝕刻方式為濕式蝕刻，即利用特定的化學溶液將待蝕刻薄膜未被光阻覆蓋的部分分解，並轉成可溶於此溶液的化合物後加以排除，而達到蝕刻的目的。濕式蝕刻的進行主要是藉由溶液與待蝕刻材質間的化學反應，因此可藉由調配與選取適當的化學溶液，得到所需的蝕刻速率(Etching Rate)，以及待蝕刻材料與光阻及下層材質良好的蝕刻選擇比(Selectivity)。 然而，隨著積體電路中的元件尺寸越做越小，由於化學反應沒有方向性，因而濕式蝕刻是等向性(Isotropic)的，此時，當蝕刻溶液做縱向蝕刻時，側向的蝕刻將同時發生，進而造成底切(Undercut)現象，

簡介

在積體電路製造過程中，常需要在晶圓上定義出極細微尺寸的圖案(Pattern)，這些圖案主要的形成方式，乃是藉由蝕刻(Etching)技術，將微影

(Micro-lithography)後所產生的光阻圖案忠實地轉印至光阻下的材質上，以形成積體電路的複雜架構。因此蝕刻技術在半導體製造過程中佔有極重要的地位。 廣義而言，所謂的蝕刻技術，包含了將材質整面均勻移除及圖案選擇性部份去除的技術。而其中大略可分為濕式蝕刻(Wet Etching)與乾式蝕刻(Dry Etching)兩種技術。

早期半導體製程中所採用的蝕刻方式為濕式蝕刻，即利用特定的化學溶液將待蝕刻薄膜未被光阻覆蓋的部分分解，並轉成可溶於此溶液的化合物後加以排除，而達到蝕刻的目的。濕式蝕刻的進行主要是藉由溶液與待蝕刻材質間的化學反應，因此可藉由調配與選取適當的化學溶液，得到所需的蝕刻速率(Etching Rate)，以及待蝕刻材料與光阻及下層材質良好的蝕刻選擇比(Selectivity)。 然而，隨著積體電路中的元件尺寸越做越小，由於化學反應沒有方向性，因而濕式蝕刻是等向性(Isotropic)的，此時，當蝕刻溶液做縱向蝕刻時，側向的蝕刻將同時發生，進而造成底切(Undercut)現象，

第一章

2、列出20世纪上半叶对半导体产业发展做出贡献的4种不同产业。P2 答：真空管电子学、无线电通信、机械制表机及固体物理。 3、什么时间、什么地点、由谁发明了固体晶体管？P3

答：1947年12月16日在贝尔电话实验室由威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了固体晶体管。

5、列出5个集成时代，指出每个时代的时间段，并给出每个时代每个芯片上的元件数。P4 6、什么是硅片？什么是衬底？什么是芯片？

答：芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路），硅圆片通常被称为衬底 8、列出集成电路制造的5个重要步骤，简要描述每个步骤。P4

10、列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。P8 11、什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？P9

13、什么是摩尔定律？它预测了什么？这个定律正确吗？P10

14、自1947年以来靠什么因素使芯片价格降低？给出这种变化的两个原因。 16、描述硅片技师和设备技师的职责。P16

第三章

11.解释pn结反偏时发生的情况。P45

答：导致通过二极管的电流很小，甚至没有电流。

12.解释pn结正偏时发生的情况。P45

答：将一正偏施加于pn结，电路中n区电子从偏压电源负极被排斥。多余的电子从负

第一章

2、列出20世纪上半叶对半导体产业发展做出贡献的4种不同产业。P2

答：真空管电子学、无线电通信、机械制表机及固体物理。

3、什么时间、什么地点、由谁发明了固体晶体管？P3 答：1947年12月16日在贝尔电话实验室由威廉·肖克利、约翰·巴丁和沃尔特·布拉顿发明了固体晶体管。5、列出5个集成时代，指出每个时代的时间段，并给出每个时代每个芯片上的元件数。P4

6、什么是硅片？什么是衬底？什么是芯片？

答：芯片也称为管芯（单数和复数芯片或集成电路），硅圆片通常被称为衬底

8、列出集成电路制造的5个重要步骤，简要描述每个步骤。P4

10、列出提高微芯片制造技术相关的三个重要趋势，简要描述每个趋势。P8

11、什么是芯片的关键尺寸？这种尺寸为何重要？P9 13、什么是摩尔定律？它预测了什么？这个定律正确吗？P10

14、自1947年以来靠什么因素使芯片价格降低？给出这种变化的两个原因。

16、描述硅片技师和设备技师的职责。P16

第三章

11.解释pn结反偏时发生的情况。P45

答：导致通过二极管的电流很小，甚至没有电流。

12.解释pn结正偏时发生的情况。P45

答：将一正偏施加于pn结，电路中n区电子从偏压电源负极被排斥。多余的电子从负极注入到充满空穴的p区，使n区中

精品资料

可编辑修改 1. 分别简述RVD 和GILD 的原理，它们的优缺点及应用方向。

快速气相掺杂(RVD, Rapid Vapor-phase Doping) 利用快速热处理过程(RTP)将处在掺杂剂气氛中的硅片快速均匀地加热至所需要的温度，同时掺杂剂发生反应产生杂质原子，杂质原子直接从气态转变为被硅表面吸附的固态，然后进行固相扩散，完成掺杂目的。

同普通扩散炉中的掺杂不同，快速气相掺杂在硅片表面上并未形成含有杂质的玻璃层；同离子注入相比(特别是在浅结的应用上)，RVD 技术的潜在优势是：它并不受注入所带来的一些效应的影响；对于选择扩散来说，采用快速气相掺杂工艺仍需要掩膜。另外，快速气相掺杂仍然要在较高的温度下完成。杂质分布是非理想的指数形式，类似固态扩散，其峰值处于表面处。

气体浸没激光掺杂(GILD: Gas Immersion Laser Doping) 用准分子激光器(308nm) 产生高能量密度(0.5—2.0J/cm2)的短脉冲(20-100ns)激光，照射处于气态源中的硅表面；硅表面因吸收能量而变为液体层；同时气态掺杂源由于热解或光解作用产生杂质原子；通过液相扩散，杂质原子进入这个很薄的液体层，溶解在液体层中的杂质扩散速度比在固体

初试科目：半导体物理学

参考书：半导体物理学 顾祖毅 田立林 富力文 电子工业出版社 考试大纲：

第一章 半导体的晶格结构和缺陷 1 半导体的基本特性 2 常见半导体材料

3 主要半导体器件及其可选用的材料 4 常见半导体的结构类型 5 名词解释

化学键 共价键 离子键 分子键 金属键 晶格缺陷 间隙式杂质 代位式杂质 反晶格缺陷 层错 扩散系数 晶粒间界 第二章 半导体中的电子状态

1 在周期性势场中，电子薛定谔方程的解为布洛赫函数，即波函数：

?1(r)?uk(r)eik?r

uk(r)?uk(r?an)

布洛赫函数不是单色平面波。K为波矢，描述电子共有化运动。平面波因子e表明晶体中不再是局域化的，扩展到整个晶体之中，反映了电子的共有化运动。uk(r)反映了周期性势场对电子运动的影响，说明晶体中电子在原胞中不同位置上出现的几率不同。uk(r)的周期性说明晶体中不同原胞的各等价位置上出现的几率相同。

2 电子在周期场中运动的量子力学处理有几种近似的方法？试简述之。

（1）近自由电子近似 （2）紧束缚近似

3 由于共有化运动，晶体中电子可以看成是整个晶体共有的，因此孤立原子的能

钻井队技术员培训班

（如何当好钻井队技术员）

第一章 钻井队工程技术员工作的内容及基本要求 第一节 全面、严格的按设计要求进行施工 一、全面掌握设计内容 二、吃透理解设计精神 三、为贯彻设计要求创造条件 四、重视设计的重严肃性 五、把设计中的原则要求具体化 第二节 钻井队现场管理 一、钻具管理

1、钻具管理使用规程（钻井现场常用技术） 2、钻具使用标准 3、钻具下井使用规程 4、钻具起出规程 5、钻具分级表示方法

二、井口工具管理（钻井测试手册） 1、吊环 2、吊卡 3、卡瓦 4、液压大钳 5、吊钳

三、动力钻具管理

1、动力钻具的分类：螺杆（尺寸、弯度）、减速涡轮（钻井院） 2、动力钻具使用技术 3、单弯螺杆优选技术 四、取芯管理 1、取芯技术规程

2、工具检查及装配 3、操作规程 五、测斜仪器管理

1、配套工具：测斜绞车（液压、电动无级变速）、钢丝绳、滑轮管理 2、测斜仪分类：机械式、电导式、自浮式； 3、测斜仪器的使用 六、钻头优选

1、牙轮钻头规范（钻井测试手册64-69页） 2、牙轮钻头使用-喷射钻井技术 3、PDC钻头优选使用技术

4、 特殊钻头-偏心钻头、取芯钻头简介 七、钻具组合简介 1、准备工作

扶正器 、螺旋、

技术员实习报告

一．实习概况

1. 实习时间：201年 月 —201 年 月 2. 实习单位：泰安航天特种车有限公司 3. 实习目的

(1)综合运用所学理论知识,方法和技能,开展实际工作,培养和强化社会沟通能力；(2)配合毕业论文写作,开展调查研究,培养面对实际问题的正面态度和独立分析解决问题的基本能力；(3)树立新的发展起点和目标,通过实习,认识社会的需要,发现自身差距,培养锐意创新进取的精神；(4)培养良好的职业精神,适应毕业后实际工作的要求。 4．实习单位概况

泰安航天特种车有限公司坐落在雄伟壮丽的泰山脚下，隶属于中国航天科技集团有限公司一院（中国运载火箭技术研究院），是国家定点生产特种汽车的国有企业，注册资本4.6亿元，拥有总资产超过30亿元。

公司占地872亩，员工总数1800余人，各类专业技术人员470余名。已具备年产各类特种车10000辆的生产能力，通过军品、民品质量体系双认证，是国内重型军用特种汽车的领军企业。承担了军用车辆装备以及油田、矿山等系统重型专用特种车的科研生产任务，以及国家重大技术装备国产化创新研制项目、国家级火炬计划项目等多项国家级重大科研生产项目。

公司研制的TA系列特种车均为自主研发，填补多项国家空白，具

脱硫单元技术员应聘试题库

1、简述灰斗气化风机的停止操作？

1、接到班长通知，或值班员根据运行情况对气化风机进行停止操作。 2、停止加热器后按下气化风机的停止按钮，观察风机的惰走时间及倒转时间是否正常。

3、待风机停运后，视情况关闭去相应电除尘的管线手动阀门。 2、简述干灰散装机的停止操作？

1、当料罐装满时，散装头上的料位计发出信号。 2、自动关闭气动插板门和给料机。

3、延时一段时间（一般为4～6秒），停止排尘风机。 4、散装头自动提升，完成一次卸料过程。 5、操作完毕，通知司机。 3、分析排污水泵泵不上水的原因？

1、水池水位过低。

2、入口管路法兰，阀门漏气。 3、盘根老化或未压紧，漏入空气。 4、泵壳或入口管路有积渣或异物堵塞。 4、简述捞渣机的启动操作？

1、锅炉点火前一小时，即投入除渣装置运行。

2、全面检查各部分无异常后，打开刮板捞渣机进水手动阀，启动渣水冷却循环系统，投入捞渣机)水槽补充水和链条冲洗水。

3、 将捞渣机调速旋钮调至低速位置。操作启动按钮，启动捞渣机运行。 4、根据工作需要调节捞渣机(10HZA10AG001)转速，以满足出力需求。 5、简述捞渣机故障时的停止操作？

1、发现捞渣机故障不能运行时，立即停止捞渣机

发光材料的发展及研究

庞雪

（贵州大学 大数据与信息工程学院）

摘要： 发光材料是光电信息功能材料领域的研究热点之一。本文着重是关于现有的纳米发光材料、小分子有机电致发光材料、树枝状有机电致发光材料、芴类电致发光材料的发展与研究情况。介绍了国内外在研究发光材料方面所取得的一些最新进展,并对一些有待进一步研究的问题做了展望。 关键词： 发光材料

Abstract： The development of luminescent materials is one of the forefronts and hot areas of the optoelectronic information materials. This paper is about the existing

luminescence

surface

modification,

organic

small

molecular

electroluminescent materials, dendrimers electroluminescent materials, fluorene-based electroluminescent materials develop