模拟电子技术基础第二版答案

第二章 电路的基本分析方法

2.1 求题2.1图所示电路的等效电阻。

a

Ω

a

7Ω

ba

(a)

d

b

(b)

c

6Ω

d

b

(c)

解：标出电路中的各结点，电路可重画如下：

b

(a)b

(c)

(d)

(b)Ω

(d)

4Ω

（a）图 Rab=8+3||[3+4||（7+5）]=8+3||（3+3）=8+2=10Ω （b）图 Rab=7||(4||4+10||10)=7||7=3.5Ω

（c）图 Rab=5||[4||4+6||(6||6+5)]=5||(2+6||8)=5||(2+3.43)=2.6Ω

（d）图 Rab=3||(4||4+4)=3||6=2Ω（串联的3Ω与6Ω电阻被导线短路）

2.2 用电阻的丫-△的等效变换求题2.2图所示电路的等效电阻。

a

a

bb

题2.2图

(a)(b)

解：为方便求解，将a图中3个6Ω电阻和b图中3个2Ω电阻进行等效变换，3个三角形连接的6Ω电阻与3个星形连接的2Ω电阻之间可进行等效变换，变换后电路如图所示。

(a)

a

Ω

b

b

(b)

（a） Rab=2+(2+3)||(2+3)=4.5Ω （b） Rab=6||(3||6+3||6)=6||4=2.4Ω

2.3 将题2.3图所示电路化成等效电流源电路。

(a)

题2.3

图

(b)

解：（a）两电源相串联

电子测量技术基础

习题 一

1.1 解释名词：① 测量；② 电子测量。

答：测量是为确定被测对象的量值而进行的实验过程。在这个过程中，人们借助专门的设备，把被测量与标准的同类单位量进行比较，从而确定被测量与单位量之间的数值关系，最后用数值和单位共同表示测量结果。从广义上说，凡是利用电子技术进行的测量都可以说是电子测量；从狭义上说，电子测量是指在电子学中测量有关电的量值的测量。

1.2 叙述直接测量、间接测量、组合测量的特点，并各举一两个测量实例。

答：直接测量：它是指直接从测量仪表的读数获取被测量量值的方法。如：用电压表测量电阻两端的电压，用电流表测量电阻中的电流。

间接测量：利用直接测量的量与被测量之间的函数关系，间接得到被测量量值的测量方法。如：用伏安法测量电阻消耗的直流功率P，可以通过直接测量电压U，电流I，而后根据函数关系P＝UI，经过计算，间接获得电阻消耗的功耗P；用伏安法测量电阻。

组合测量：当某项测量结果需用多个参数表达时，可通过改变测试条件进行多次测量，根据测量量与参数间的函数关系列出方程组并求解，进而得到未知量，这种测量方法称为组合测量。例如，电阻器电阻温度系数的测量。

1.3 解释偏差式、零位式和微差式测量法的含义，并列

《电工与电子技术》第二版 陶桓齐 课后习题答案

第1章 电路的基本概念与定律 练习题解答（6）

1-3 一只额定电压为220V，功率为100W的白炽灯，在额定状态下工作时的电阻和电流各为多少？

解：根据功率表达式 P?RLI2?UI

则此时流过白炽灯的电流和白炽灯中的电阻分别为

1-5 某一直流电源，其输出额定功率PN = 200W，额定电压UN = 50V，内阻R0 = 0.5Ω，负载电阻R

可以调节，其电路如图1-15所示。试求： （1）额定工作状态下的电流及负载电阻； IS（2）开路状态下的电源端电压；

??（3）电源短路状态下的电流。

E 解：（1）电路如解题图3所示，当S闭合时,根据

?RLU额定功率表达式

R0 PN?UNIN ? 则

P200?4A IN?N?解题图3UN50 又根据额定电压表达式

UN?RNIN 那么

U50?12.5? RN?N?IN4 （2）根据全电路欧姆定律和开路状态下电源端电压等于电动势电压，所以

U

模拟电子技术基础

一、基础题

1、在图中，RF反馈电路引入的是：

RFR1?ui?R2RLR A.并联电流负反馈 B.串联电压负反馈 C.并联电压负反馈 D.串联电流负反馈 答案A

2、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 答案×

3、在纯净的半导体中如果掺入三价元素，就是P型半导体。

答案√

4、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。 答案×

5、双极性三极管的电流不仅有多子的运动，也要考虑少子的运动； 答案√

6、二极管的伏安特性上有一个死区电压，这个电压的大小与半导体的材料有关； 答案√

7、NPN晶体管的发射区和集电区都是N型半导体，所以发射极和集电极可以调换使用； 答案×

8、晶体管是电流控制元件； 答案√

9、发光二极管（LED）发光时一定是正向导通的； 答案√

10、将PN结的N区接电源的正极，P区接电源的负极，则为PN结的_______偏置。 答案：反向。

11、本征半导体就是完全纯净的、具有_______结构的半导体；用得最多的半导体材料就是_______和_______； 答案：晶体；硅；锗；

12、二极管具有_______导电性；稳压二极管是一种特殊的二极管，它一般工作在____

模电课件

2.1 集成电路运算放大器

2.2 理想运算放大器2.3 基本线性运放电路

2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用

模电课件

2.1 集成电路运算放大器1. 集成电路运算放大器的内部组成单元

图2.1.1 集成运算放大器的内部结构框图

特点：电路 对称性，提 高整个电路 的性能

若干级电 压放大

带负载能力 强，电流放 大

模电课件

2.1 集成电路运算放大器1. 集成电路运算放大器的内部组成单元

图2.1.2 运算放大器的代表符号 (a)国家标准规定的符号 (b)国内外常用符号

特点：两个输入端(同相+、反相— ),一个输出端， 单向

模电课件

2. 运算放大器的电路模型通常(实际): 开环电压增益 Avo的≥105 (很高) 输入电阻

ri ≥ 106Ω (很大) 输出电阻

ro ≤100Ω (很小)

图2.1.3 运算放大器的电路模型

vO=Avo(vP-vN) ,当(V-< vO <V+) 注意输入输出的相位关系

模电课件

2. 运算放大器的电路模型当Avo(vP-vN) ≥V+ 时 vO= V+ 当Avo(vP-vN) ≤ V-时 vO= V-

电压传输特性 vO= f (vP-vN)线性范围内 vO=Avo(vP-vN) Avo——斜率

第1章 电路的基本概念与定律 练习题解答（6）

1-3 一只额定电压为220V，功率为100W的白炽灯，在额定状态下工作时的电阻和电流各为多少？

解：根据功率表达式 P?RLI2?UI

则此时流过白炽灯的电流和白炽灯中的电阻分别为

P100??0.45A U220P100 RL?2??484?

I0.452 I?

1-5 某一直流电源，其输出额定功率PN = 200W，额定电压UN = 50V，内阻R0 = 0.5Ω，负载电阻R

可以调节，其电路如图1-15所示。试求： （1）额定工作状态下的电流及负载电阻； IS（2）开路状态下的电源端电压；

??（3）电源短路状态下的电流。

E 解：（1）电路如解题图3所示，当S闭合时,根据

?RLU额定功率表达式

R0 PN?UNIN ? 则

P200 IN?N??4A 解题图3UN50 又根据额定电压表达式

UN?RNIN 那么

U50 RN?N??12.5?

IN4 （2）根据全电路欧姆定律和开路状态下电

《电力电子技术》(专科第二版)习题解答

第1章 思考题与习题

1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。

导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压UA决定。

1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?

答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流IA减小，IA下降到维持电流IH以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压UA决定。

1.3温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？

答：温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流IH会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。

1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种？

答：非正常导通方式有：(1) Ig=0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt过高；(3) 结温过高。

一、填空

1.杂质半导体分为 N 型和 P 型两种类型。 2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是 a 。

ＶＤ Ｒ＝１ＫΩ ＶＤ Ｒ＝１ＫΩ 20v 10v 10v 20v a b 3.在电路中测出某硅材料NPN三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于 放大 工作状态。

4.衡量双极型三极管放大能力的参数是 β ，衡量其温度稳定性的参数是__ICBO ___。

5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_ uds＞UGS（OFF）__，它的截止条件为__ uGs≤UGS（OFF）__。

6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻RL=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为 78.5%_。

7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为 偏置电路 和 有源负载 广泛使用。

8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是 抑制0点漂移 。

９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。

10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信

一、填空题（请将答案填在相应的答题线上。每空2分，共22分）

1．在本征半导体中加入 三 价元素可以形成P型半导体。

2．场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的，所以它是 电压 控型器件。 3．电路如图1-1所示，设二极管导通电压UD?0.7V，则该电路的输出电压值U? 0 V。 4．电路如图1-2所回示，则该电路输出电压uO与输入电压uI的关系为 uO???1RC?udt 。

I5．已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示，则其中频电压放大倍数|Aum|为 100 ，电路的上限频率fH? 105 Hz。

20lg|Au|/dB?C40uID2VRA30uO20100RU

R'

100101102103104105106f/Hz

图1-1 图1-2 图1-3

6．按照滤波电路的工作频率，阻止某一频率范围的信号，频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均能通过的滤波器称为 带阻

一、填空

1.杂质半导体分为 N 型和 P 型两种类型。 2.在下述电路中，能使二极管导通的电路是 a 。

ＶＤ Ｒ＝１ＫΩ ＶＤ Ｒ＝１ＫΩ 20v 10v 10v 20v a b 3.在电路中测出某硅材料NPN三极管的三个电极对地电位为Vb=1.3V、Ve=0.6V、Vc=5V，则该三极管处于 放大 工作状态。

4.衡量双极型三极管放大能力的参数是 β ，衡量其温度稳定性的参数是__ICBO ___。

5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_ uds＞UGS（OFF）__，它的截止条件为__ uGs≤UGS（OFF）__。

6.在基本OCL功放电路中，设电源电压为±15V，负载电阻RL=8Ω，则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W，理想效率为 78.5%_。

7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路，在实际电路中，经常作为 偏置电路 和 有源负载 广泛使用。

8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路，其主要目的是 抑制0点漂移 。

９.为了稳定放大电路的静态工作点，可以引入直流负反馈_，为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。

10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信