双mos管推挽驱动电路

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MOS管驱动电路

标签:文库时间:2024-07-09
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MOS管驱动电路

首先,这都是由于疏忽造成的,一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误,所以就贴出来了!不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的,电路方面基础较差,可能分析不太正确,请见谅!

两幅图中,PWM为幅值为2.8V的方波信号,两幅图中,不同之处就是:负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1,而我由于疏忽,再绘制电路原理图的时候就弄成了图2,那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢?

图1中,PWM信号为高时(即VGS=2.8V),MOS管导通,MOS管D端同电源地导通,4.2V电压全部加载在负载上,这就是我们想要的。图2中,PWM信号为高时(MOS管G极电压为2.8V),MOS管部分导通,MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右(不同MOS管,有所不同,也就是MOS管最小导通电压),也就是说VS=2.2V左右,那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了,这肯定不是我们想要的了。至于为什么,我觉得是:MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压(SI2302就是0.6V),而当VGS=0.6V左右时,只能部分导通,故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时,要多加小心,

MOS管驱动电路

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MOS管驱动电路

首先,这都是由于疏忽造成的,一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误,所以就贴出来了!不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。

我是学机械的,电路方面基础较差,可能分析不太正确,请见谅!

两幅图中,PWM为幅值为2.8V的方波信号,两幅图中,不同之处就是:负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1,而我由于疏忽,再绘制电路原理图的时候就弄成了图2,那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢?

图1中,PWM信号为高时(即VGS=2.8V),MOS管导通,MOS管D端同电源地导通,4.2V电压全部加载在负载上,这就是我们想要的。图2中,PWM信号为高时(MOS管G极电压为2.8V),MOS管部分导通,MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右(不同MOS管,有所不同,也就是MOS管最小导通电压),也就是说VS=2.2V左右,那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了,这肯定不是我们想要的了。至于为什么,我觉得是:MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压(SI2302就是0.6V),而当VGS=0.6V左右时,只能部分导通,故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时,要多加小心,

MOS管驱动电路详解

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MOS管驱动电路综述连载(一)

时间:2009-07-06 8756次阅读 【网友评论2条 我要评论】 收藏 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马

mos管门级驱动电阻计算

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关于MOSFET驱动电阻的选择 等效驱动电路: VCC12VLDRIVERgCgsQ L为PCB走线电感,根据他人经验其值为直走线1nH/mm,考虑其他走线因素,取L=Length+10(nH),其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻,设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容,不同的管子及不同的驱动电压时会不一样,这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V ?? 令驱动电流Id := C????tVCgs(t)????得到关于Cgs上的驱动电压微分方程: ???2??R???VCgs(t)???Vdr???0 ????C?LC?VCgs(t)VCgs(t)????t???t2?????用拉普拉斯变换得到变换函数:G := Vdr 1RgS2?LCS???S???LC???L????这是个3阶系统,当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡,有两个相同实根时是临界阻尼震荡,当有虚根时是欠阻尼震荡,此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形,这是我们不希望看到的,因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态,考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。 LC???Rg,因此根据走线长度可以得到Rg最小取

MOS管参数详解及驱动电阻选择 - 图文

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MOS管参数解释

MOS管介绍

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。

MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。 这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。

在MOS管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要,并且只在单个的MOS管中存在此二极管,在集成电路芯片内部通常是没有的。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免。

MOS管导通特性

导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。

PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的

IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

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IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

3.3 电机驱动模块设计 3.3.1 H桥工作原理及驱动分析

要控制电机的正反转,需要给电机提供正反向电压,这就需要四路开关去控制电机两个输入端的电压。H桥驱动原理等效原理图图如图3-5所示,当开关S1和S3闭合时,电流从电机左端流向电机的右端,设此时的旋转方向为正向;当开关S2和S4闭合时,电流从电机右端流向电机左端,电机沿反方向旋转。 S1S4MotorS2S3GNDM 图3-5 H桥驱动原理等效电路图 常用可以作为H桥的电子开关器件有继电器,三极管,MOS管,IGBT管等。普通继电器属机械器件,开关次数有限,开关频率上限一般在30HZ左右,而且继电器内部为感性负载,对电路的干扰比较大,但继电器可以把控制部分与被控制部分分开,实现由小信号控制大信号,所以高压控制中一般会用到继电器。三极管属于电流驱动型器件,设基极电流为IB,集电极电流为IC,三极管的放大系数为β,电源电压VCC,集电极偏置电阻RC ,如果IB*β>=IC, 则三极管处于饱和状态,可以当作开关使用,集电极饱和电流IC =VCC/RC ,由此可见集电极的输出电流受到RC的限制,不适合应用于电流要求较高的场合。MOS管

IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

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IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

3.3 电机驱动模块设计 3.3.1 H桥工作原理及驱动分析

要控制电机的正反转,需要给电机提供正反向电压,这就需要四路开关去控制电机两个输入端的电压。H桥驱动原理等效原理图图如图3-5所示,当开关S1和S3闭合时,电流从电机左端流向电机的右端,设此时的旋转方向为正向;当开关S2和S4闭合时,电流从电机右端流向电机左端,电机沿反方向旋转。 S1S4MotorS2S3GNDM 图3-5 H桥驱动原理等效电路图 常用可以作为H桥的电子开关器件有继电器,三极管,MOS管,IGBT管等。普通继电器属机械器件,开关次数有限,开关频率上限一般在30HZ左右,而且继电器内部为感性负载,对电路的干扰比较大,但继电器可以把控制部分与被控制部分分开,实现由小信号控制大信号,所以高压控制中一般会用到继电器。三极管属于电流驱动型器件,设基极电流为IB,集电极电流为IC,三极管的放大系数为β,电源电压VCC,集电极偏置电阻RC ,如果IB*β>=IC, 则三极管处于饱和状态,可以当作开关使用,集电极饱和电流IC =VCC/RC ,由此可见集电极的输出电流受到RC的限制,不适合应用于电流要求较高的场合。MOS管

MOS管原理,非常详细

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MOS管的那些事儿

2012.11.15

呵呵,让我们来看看MOS管,分辨一下 他们怎么区别,怎么用吧。 我们在笔记本主板维修中见到的MOS管 几乎都是绝缘栅增强型,这里也就只说说它 的那些事儿吧。 而且,我们不谈原理,只谈应用。

我们分“电路符号”和“实物”两部分来看吧

电路符号:1 2 3 4 三个极怎么判定 区别他们是N沟道还是P沟道 寄生二极管的方向如何判定 它能干吗用呢

5

简单吗?那我们来做个挑错游戏吧

实物:12 3

三个极怎么分辨它是N沟道还是P沟道的呢 能量出它是好是坏吗

电路符号

电路符号篇

电路符号

开始之前,一个小测试:请回答: 哪个脚是S(源极)?哪个脚是D(漏极)? G(栅极)呢? 是P沟道还是N沟道MOS? 如果接入电路, D极和S极,哪一个该接输 入,哪个接输出? 你答对了吗?

电路符号

再来一个,试试看:哪个脚是S(源极)?

哪个脚是D(漏极)?G(栅极)呢? 是P沟道还是N沟道MOS? 依据是什么? 如果接入电路, D极和S极,哪一个该接输 入,哪个接输出? 这次怎么样?

电路符号 1 三个极怎么判定 ?

MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方 。S极G极,不用说比较好认。 S极, 不论是P沟道还是N沟道, 两根线相交的就是;

G极

D极

MOS管参数代换大全

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型号 参数 国内外相似替换型号 资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F

2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C

2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2S

漏极开路与推挽电路

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单片机IO

我们先来说说集电极开路输出的结构。集电极开路输出的结构如图1所示,右边的那个三极管集电极什么都不接,所以叫做集电极开路(左边的三极管为反相之用,使输入为“0”时,输出也为“0”)。对于图1,当左端的输入为“0”时,前面的三极管截止(即集电极c跟发射极e之间相当于断开),所以5v电源通过1k电阻加到右边的三极管上,右边的三极管导通(即相当于一个开关闭合);当左端的输入为“1”时,前面的三极管导通,而后面的三极管截止(相当于开关断开)。

我们将图1简化成图2的样子。图2中的开关受软件控制,“1”时断开,“0”时闭合。很明显可以看出,当开关闭合时,输出直接接地,所以输出电平为0。而当开关断开时,则输出端悬空了,即高阻态。这时电平状态未知,如果后面一个电阻负载(即使很轻的负载)到地,那么输出端的电平就被这个负载拉到低电平了,所以这个电路是不能输出高电平的。

再看图三。图三中那个1k的电阻即是上拉电阻。如果开关闭合,则有电流从1k电阻及开关上流过,但由于开关闭和时电阻为0(方便我们的讨论,实际情况中开关电阻不为0,另外对于三极管还存在饱和压降),所以在开关上的电压为0,即输出电平为0。如果开关断开,则由于开关电阻为无穷大(同上,不考虑实际中的漏电