化学机械抛光液

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化学机械抛光工艺(CMP)

标签:文库时间:2024-12-15
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化学机械抛光工艺(CMP)

摘要:本文首先定义并介绍CMP工艺的基本工作原理,然后,通过介绍CMP系统,从工艺设备角度定性分析了解CMP的工作过程,通过介绍分析CMP工艺参数,对CMP作定量了解。在文献精度中,介绍了一个SiO2的CMP平均磨除速率模型,其中考虑了磨粒尺寸,浓度,分布,研磨液流速,抛光势地形,材料性能。经过实验,得到的实验结果与模型比较吻合。MRR模型可用于CMP模拟,CMP过程参数最佳化以及下一代CMP设备的研发。最后,通过对VLSI制造技术的课程回顾,归纳了课程收获,总结了课程感悟。

关键词: CMP、研磨液、平均磨除速率、设备

Abstract:This article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of the CMP, a

化学机械抛光工艺(CMP)全解

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化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具体添加剂

摘要:本文首先定义并介绍CMP工艺的基本工作原理,然后,通过介绍CMP系统,从工艺设备角度定性分析了解CMP的工作过程,通过介绍分析CMP工艺参数,对CMP作定量了解。在文献精度中,介绍了一个SiO2的CMP平均磨除速率模型,其中考虑了磨粒尺寸,浓度,分布,研磨液流速,抛光势地形,材料性能。经过实验,得到的实验结果与模型比较吻合。MRR模型可用于CMP模拟,CMP过程参数最佳化以及下一代CMP设备的研发。最后,通过对VLSI制造技术的课程回顾,归纳了课程收获,总结了课程感悟。

关键词: CMP、研磨液、平均磨除速率、设备

Abstract:This article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qualitative analysis to understand the working process of

晶圆化学机械抛光中保持环压力的有限元分析

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化学机械抛光 保持环压力 有限元分析

2007年8月第25卷第4期西北工业大学学报

JournalofNorthwesternPolytechnicalUniversityAug.2007Vol.25No.4

晶圆化学机械抛光中保持环压力的有限元分析

黄杏利1,傅增祥2,杨红艳2,马彬睿2

(1.西北工业大学材料科学与工程学院;2.西北工业大学生命科学院,陕西西安 710072)

α

摘 要:在集成电路(IC)行业中,化学机械抛光(CMP)是获得全局平坦化的技术增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现“过磨(2)”用率。的“过磨”现象。由此说明,,晶圆和CMP工艺成本高,依靠实验探索CMP,所以保持环压力不宜通过实验方法确定,。,得出了保持。针对不同CMP,从而提高晶圆抛光质量及利用率,降低晶圆制造成本。关 键 词:化学机械抛光(CMP),晶圆,保持环,有限元方法(FEM)

中图分类号:TN302;TN305.99  文献标识码:A   文章编号:100022758(2007)0420508204  化学机械抛光(chemicalmechanicalpolish,CMP)技术是制备晶圆的关键步骤,它能满足晶圆所必须的严格的工艺控制、高质量的表面外形及平面度

晶圆化学机械抛光中保持环压力的有限元分析

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化学机械抛光 保持环压力 有限元分析

2007年8月第25卷第4期西北工业大学学报

JournalofNorthwesternPolytechnicalUniversityAug.2007Vol.25No.4

晶圆化学机械抛光中保持环压力的有限元分析

黄杏利1,傅增祥2,杨红艳2,马彬睿2

(1.西北工业大学材料科学与工程学院;2.西北工业大学生命科学院,陕西西安 710072)

α

摘 要:在集成电路(IC)行业中,化学机械抛光(CMP)是获得全局平坦化的技术增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现“过磨(2)”用率。的“过磨”现象。由此说明,,晶圆和CMP工艺成本高,依靠实验探索CMP,所以保持环压力不宜通过实验方法确定,。,得出了保持。针对不同CMP,从而提高晶圆抛光质量及利用率,降低晶圆制造成本。关 键 词:化学机械抛光(CMP),晶圆,保持环,有限元方法(FEM)

中图分类号:TN302;TN305.99  文献标识码:A   文章编号:100022758(2007)0420508204  化学机械抛光(chemicalmechanicalpolish,CMP)技术是制备晶圆的关键步骤,它能满足晶圆所必须的严格的工艺控制、高质量的表面外形及平面度

抛光工艺

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河 南 工 业 职 业 技 术 学 院 毕 业 论 文

河 南 工 业 职 业 技 术 学 院

毕业设计(论文)

题 目 高 速 抛 光 工 艺

班 级 光 电 1101 班

专 业 光 电 制 造 技 术

姓 名 罗 永 强

指导教师 王 毅

日 期 2013年 9 月 30 日

目录

1

河 南 工 业 职 业 技 术 学 院 毕 业 论 文

摘要 .................................................................................................................................................. 4

第一章 抛光过程的各种加工工艺...............................

电解抛光主要缺陷

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电解抛光主要缺陷

1、铝材及铝件在电解抛光过程中最常见的缺陷是白霜或结霜现象。

白霜究竟是什么物质,成分如何,目前尚无定论,有人认为是磷酸铝析出物,也有人认为是铝表面形成的钝化膜。白霜可在工件的局部形成,因为那里的氧化膜形成不够快,从而造成电解不足以取代阳极氧化。若取出工件,清洗后并重新电解抛光时,氧化物会溶解,白霜也会随着消失,然而又可在别处产生。调整溶液成分与改变处理工艺可控制这类缺陷的产生。例如,在磷酸一硫酸溶液

中电解抛光时,磷酸浓度过高、硫酸浓度过大或过小都可引起白霜,温度太低、电流密度不恰当也会诱发这类缺陷。

1.1溶液成分对白霜的影响

磷酸在电鹂抛光过程中主要作用是溶解氧化膜与铝:

AL(H2PO4 )3 在铝有面附近浓集,形成糖浆状粘性膜层,对工件表面抛光即整平与光亮起着决定性的作用,但也对白霜的形成有很大影响。冯宝义等研究证明,在磷酸(3O%~4O%)一硫酸(2o%-30%)一PEG添加剂(20% ~3O%)溶液中电解抛光(温度8o℃ ~90℃ 、电流密度30-4O 安每平方分米)时,

增加磷酸浓度,可提高工件的光亮度、降低电流密度、减少电耗,但磷酸含量过高,会出现白霜 ”(表24)。

电解抛光液中的硫酸有如下的作用:稳

抛光设备操作规程

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电解抛光设备操作规则

1.目的

为了保证抛光设备的安全有效运行以及抛光带的质量,明确抛光工程师的责任,特制定本制度。

2.试用范围

适用于存放在纳米技术及应用国家工程研究中心的电解抛光设备。

3.职责

电抛线工程师按操作规则负责操作与维护,维修与保养的工作。

4.内容

4.1 电解抛光设备的开机操作规则

4.1.1 测量并记录电抛液比重,将比重计放入盛有电抛液的500mL的量筒中选择合

适量程的比重计(1.8-1.7、1.7-1.6、1.6-1.5),待稳定后读数。

4.1.2 打开总电源开关,再依次开启[1#超声加热开关]—[2#超声加热开关]—[电解

加热开关]—[制冷机开关]—[烘干开关]。

4.1.3 检查六个电极轮是否转动灵活,如转动不灵活,需要及时更换,并检查调整

冲洗电极的水管位置,使其水流能冲洗到电极上。(注:公里级抛光带生产中, 需每次都更换6个电极柱)

4.1.4 打开除了电抛液槽上面的所有盖子。

4.1.5 检查各个储液槽内的清洗水是否更换,水位要在进水口下方,不能太低或太

高,水体要干净。

4.1.6 接原料带盘与收料盘,收料盘在安装前需要用无尘布将其内部檫拭干净。原

料带盘需顺时针方向运转,收料盘需顺

竹筷抛光机

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中文摘要和关键词

摘 要: 本文根据筷子现有的制作工艺及加工设备的基础上,详细阐述了对竹筷采用摩擦原理进行机械抛光的设计,其主要内容包括动力装置、传动装置的选择、功率计算、轴的结构设计以及强度校核、机架和箱体等几个主要方面的设计。通过对V带传动的研究,结合目前的发展情况和所要面临解决的问题,建立了适应于竹筷抛光机的V带传动方案,设计具有传递大功率、小重量、利于加工等优点的传动装置。在设计中,考虑到其传递的功率大和传动的平稳性,重点对轴的结构进行设计。

关键词:摩擦抛光;V带传动;结构设计;装配

Abstract and Keyword

Abstract: This article according to the bamboo chopsticks existing manufacture craft and in the processing equipment foundation, detail elaborated bamboo chopsticks uses the friction principle to carry on the machinery polishe

竹筷抛光机

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中文摘要和关键词

摘 要: 本文根据筷子现有的制作工艺及加工设备的基础上,详细阐述了对竹筷采用摩擦原理进行机械抛光的设计,其主要内容包括动力装置、传动装置的选择、功率计算、轴的结构设计以及强度校核、机架和箱体等几个主要方面的设计。通过对V带传动的研究,结合目前的发展情况和所要面临解决的问题,建立了适应于竹筷抛光机的V带传动方案,设计具有传递大功率、小重量、利于加工等优点的传动装置。在设计中,考虑到其传递的功率大和传动的平稳性,重点对轴的结构进行设计。

关键词:摩擦抛光;V带传动;结构设计;装配

Abstract and Keyword

Abstract: This article according to the bamboo chopsticks existing manufacture craft and in the processing equipment foundation, detail elaborated bamboo chopsticks uses the friction principle to carry on the machinery polishe

抛光要求标准

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抛光要求标准

抛光要求标准

1范围

本标准规定了产品的表面分区、抛光后的表面质量要求、降级接收要求和检验方法。 本标准适用于黄铜材、锌合金、铝合金和不锈钢抛光产品表面质量检验。

2表面分区

产品在安装之后,按照人们观察产品的习惯,是否容易观察到产品的表面来区分产品的主要外

露面、次要外露面和不易看见的面。见表1

3表面质量要求。

3.1黄铜材抛光产品

3.1.1镜光产品

按磨光抛光工艺,抛磨完工后,合格的镜光产品表面质量按表2执行;降级接收产品按表3执行。

表2 镜光产品表面质量要求

表3 黄铜镜光产品表面沙孔或杂质点降级接收要求 尺寸单位:mm

1

抛光要求标准

注:1、缺陷点所在的表面积是指A面、B面和C面的表面积。

2、当表面出现2个缺陷点以上时,两个缺陷点的距离应大于10-20毫米。

3、表中限定了A面和B面缺陷点的总个数,A面和B面缺陷点的总个数之和,为产品表面

缺陷点的总个数。

3.1.2黄铜拉丝产品

按磨光抛光工艺抛磨完工后,产品表面质量按表4执行。

2

抛光要求标准

3.2锌合金压铸件抛光产品 3.2.1锌合金镜光产品

按磨光抛光工艺磨抛完工后,合格的镜光产品表面质量按表5执行;降级接收的产品按表6执行。

3