silvaco工艺及器件仿真齐纳二极管

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齐纳二极管 - BDTIC 半导体事业部代理ON 安森美齐纳稳压二极管

标签:文库时间:2024-12-16
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Product Datasheet Pb-free Status Description

Y ActiveNEW Zener Diode 200 mW 22 MM3Z22VST1G MM3Z2V4ST1/D (101.0k

Y ActiveNEW Zener Diode 200 mW 27 MM3Z27VST1G MM3Z2V4ST1/D (101.0k

Y ActiveNEW Zener Diode 200 mW 33 MM3Z33VST1G MM3Z2V4ST1/D (101.0k

Y ActiveNEW225 W e-Rated Zener 2.4 MMSZ5221ET1G MMSZ5221ET1/D (79.0k

Y ActiveNEW225 W e-Rated Zener 20 MMSZ5250ET1G MMSZ5221ET1/D (79.0k

NZ9F10VST5G NZ9F2V4S/D (94.0kB)Y ActiveNEW10V 200 mW SOD-923 Z NZ9F10VT5G NZ9F2V4/D (92.0kB)Y ActiveNEW10V 200 mW SOD-923 Z NZ9F11VST5G NZ9F2V4S/D (94.0

二极管习题

标签:文库时间:2024-12-16
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习题6

基础知识部分:

6.1 选择题

1.用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时,发现其正、反电阻均近于1000KΩ,这说明该二极管( )

A、短路 B、 完好 C、 开路 D、无法判断

答案:C

2.二极管反偏时,以下说法正确的是( )

A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小,称为反向饱和电流;

B、在达到死区电压之前,反向电流很小;

C、二极管反偏一定截止,电流很小,与外加反偏电压大小无关。

答案:A

3.图示电路,二极管导通时压降为0.7V,反偏时电阻为∞,则以下说法正确的是(

A、VD导通,UAO=5.3V; B、VD导通,UAO=—5.3V;

C、VD导通,UAO=—6V; D、VD导通,UAO=6V;

)。

E、VD截止,UAO=—9V。

答案:C

4.下列电路中变压器二次电压均相同,负载电阻及滤波电容均相等,二极管承受反向电压最低的是( ),负载电流最小的是( )。

A.半波整流电容滤波电路 B.全波整流电容滤波电路

C.桥式整流电容滤波电路

答案:C A

5. 图示电路,若变压器二次电压为10V,现测得输出电压为14.1V,则说明( )。若测得输出电压为

二极管习题

标签:文库时间:2024-12-16
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第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、(1-1,低)把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成 。

2、(1-1,低)半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压 ,外加反偏电压 。 3、(1-1,低)利用二极管的 ,可将交流电变成 。

4、(1-1,低)根据二极管的 性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、(1-1,低)锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ,死区电压是 。 6、(1-1,低)硅二极管的工作电压为 ,锗二极管的工作电压为 。 7、(1-1,中)整流二极管的正向电阻越 ,反向电阻越 ,表明二极管的单向导电性能越好。

8、(1-1,低)杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、(1-1,低)半导体二极管的主要参数有 、 ,此外还有 、 、 等参数,选用二极管的时候也应注意。

10、(1-1,中)当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为

二极管习题

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第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、(1-1,低)把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成 。

2、(1-1,低)半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压 ,外加反偏电压 。 3、(1-1,低)利用二极管的 ,可将交流电变成 。

4、(1-1,低)根据二极管的 性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、(1-1,低)锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ,死区电压是 。 6、(1-1,低)硅二极管的工作电压为 ,锗二极管的工作电压为 。 7、(1-1,中)整流二极管的正向电阻越 ,反向电阻越 ,表明二极管的单向导电性能越好。

8、(1-1,低)杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、(1-1,低)半导体二极管的主要参数有 、 ,此外还有 、 、 等参数,选用二极管的时候也应注意。

10、(1-1,中)当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为

二极管试题

标签:文库时间:2024-12-16
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晶体二极管和二极管整流电路

姓名: 一、填空

1、如图,这是 材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V后,二极 管开始导通,这个电压称为 电压。正常 导通后,此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时,即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系,当正向电压超过 ___后,

I(mA) -50 0 0.6 V(v) 二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ,具体指:给二极管加 电压,二极管导通;给二极管加 电压,二极管截止。

4、 PN结的单向导电性指 ,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称 。

5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ,二极管的主要特性是 。

6、用

二极管试题

标签:文库时间:2024-12-16
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晶体二极管和二极管整流电路

姓名: 一、填空

1、如图,这是 材料的二极管的____ 曲线,在正向电压超过 V后,二极 管开始导通,这个电压称为 电压。正常 导通后,此管的正向压降约为 V。当反向 电压增大到 V时,即称为 电压。 2、二极管的伏安特性指 和 关系,当正向电压超过 ___后,

I(mA) -50 0 0.6 V(v) 二极管导通。正常导通后,二极管的正向压降很小,硅管约为 V,锗管约为 V。 3、二极管的重要特性是 ,具体指:给二极管加 电压,二极管导通;给二极管加 电压,二极管截止。

4、 PN结的单向导电性指 ,当反向电压增大到 时,反向电流会急剧增大,这种现象称 。

5、二极管的主要参数有 ________、_________和 ,二极管的主要特性是 。

6、用

Silvaco工艺及器件仿真2

标签:文库时间:2024-12-16
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4.1.7栅氧厚度的最优化

下面介绍如何使用DECKBUILD中的最优化函数来对栅极氧化厚度进行最优化。假定所测量的栅氧厚度为100Å,栅极氧化过程中的扩散温度和偏压均需要进行调整。为了对参数进行最优化,DECKBUILD最优化函数应按如下方法使用:

a. 依次点击Main control和Optimizer…选项;调用出如图4.15所示的最优化工具。第一个最优化视窗显示了Setup模式下控制参数的表格。我们只改变最大误差参数以便能精确地调整栅极氧化厚度为100Å;

b. 将Maximum Error在criteria一栏中的值从5改为1;

c.

接下来,我们通过Mode键将Setup模式改为Parameter模式,并定义需要优化参数(图4.16)。

图4.15 DECKBUILD最优化的Setup模式

图4.16 Parameter模式

需要优化的参数是栅极氧化过程中的温度和偏压。为了在最优化工具中对其进行最优化,如图4.17所示,在DECKBUILD窗口中选中栅极氧化这一步骤;

图4.17 选择栅极氧化步骤

d. 然后,在Optimizer中,依次点击Edit和Add菜单项。一个名为Deckbuild:Parameter Defin

半导体二极管

标签:文库时间:2024-12-16
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第一章 半导体二极管

练习题

一、填空

1. 当温度升高时,由于二极管内部少数载流子浓度 ,因而少子漂移而形成的反向电

流 ,二极管反向伏安特性曲线 移。

2. 在PN结形成过程中,载流子扩散运动是 作用下产生的,漂移运动是 作用下产生的。

3. 在本征半导体中掺入 价元素得N型半导体,掺入 价元素则得P型半导体。

4. 半导体中有 和 两种载流子参与导电,其中 带正电,而 带负电。 5. 本征半导体掺入微量的五价元素,则形成 型半导体,其多子为 ,少子为 。 6. 纯净的具有晶体结构的半导体称为 ,采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。

7. PN结正偏是指P区电位 N区电位。

8. PN结在 时导通, 时截止,这种特性称为 。

9. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况,其中 是可逆的,而 会损坏二极管。 10. 二极管P区接电位 端,N区接电位 端,称正向偏置,二极管导通;反之,称反向偏

二极管三极管

标签:文库时间:2024-12-16
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低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

低频电子电路

二极管封装大全

标签:文库时间:2024-12-16
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篇一:贴片二极管型号、参数

贴片二极管型号.参数查询

1、肖特基二极管SMA(DO214AC)

2010-2-2 16:39:35

标准封装:

SMA <---------------->2010 SMB <---------------->2114 SMC <---------------->3220 SOD123 <---------------->1206 SOD323 <---------------->0805 SOD523 <---------------->0603 IN4001的封装是1812 IN4148的封装是1206

篇二:常见贴片二极管三极管的封装

常见贴片二极管/三极管的封装

常见贴片二极管/三极管的封装

二极管:

名称 尺寸及焊盘间距其他尺寸相近的封装名称

SMC 6.8X6-8.0

SMB 4.5X3.5-5.3

SMA 4.5X2.5-5.0 SOD-106

SOD-1232.7X1.6-3.5 SC-77A

SOD-3231.7X1.2-2.5 SC-76/SC-90A

SOD-5231.2X0.8-1.6 SC-79

SOD-7231.0X0.6-1.4

SOD