电工学第六版秦曾煌pdf
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电工学秦曾煌(第六版)上册_第二章
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目录
第2章 电路的分析方法2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 电阻串并联连接的等效变换 电阻星型联结与三角型联结的等效变换 电源的两种模型及其等效变换 支路电流法 结点电压法 叠加原理
2.7 戴维宁定理与诺顿定理2.8 受控源电路的分析
2.9 非线性电阻电路的分析章目录 上一页 下一页 返回 退出
第2章 电路的分析方法本章要求： 1. 掌握支路电流法、叠加原理和戴维宁定理等 电路的基本分析方法; 2. 了解实际电源的两种模型及其等效变换; 3. 了解非线性电阻元件的伏安特性及静态电阻、 动态电阻的概念，以及简单非线性电阻电路 的图解分析法。
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2.1.1 电阻的串联I
2.1 电阻串并联连接的等效变换
特点: + + (1)各电阻一个接一个地顺序相联； U1 R1 (2)各电阻中通过同一电流； – U + (3)等效电阻等于各电阻之和； U2 R 2 R =R1+R2 – – (4)串联电阻上电压的分配与电阻成正比。 两电阻串联时的分压公式： I R1 R2 U1 U U2 U + R1 R2 R1 R2 U R 应用： 降压、限流、调节电压等。 –章目录 上一页 下一页 返回 退出
2.
《电工学》_秦曾煌主编第六版下册 电子技术 直流稳压电路
《电工学》_秦曾煌主编第六版下册 电子技术
第十八章 直流稳压电源
(1-0)
《电工学》_秦曾煌主编第六版下册 电子技术
第十八章直流稳压电源
§18.1 整流电路§18.2 滤波器
§18.3 直流稳压电源
《电工学》_秦曾煌主编第六版下册 电子技术
概
述
整流变压器: 将交流电网电压u1变为合适的交流
电压u2。
整流电路: 将交流电压u2变为脉动的直流电压u3。
滤波电路: 将脉动直流电压u3转变为平滑的直流
电压u4。
稳压电路: 清除电网波动及负载变化的影响,保持输出电压u的稳定。
《电工学》_秦曾煌主编第六版下册 电子技术
§18.1 整流电路
把交流电压转变为直流脉动电压。常见的小功率整流电路有单相半波、全波、桥式和倍压整流等。
为分析方便起见，常将二极管作理想元件处理，即认为二极管的正向导通电阻为零，反向电阻为无穷大。
《电工学》_秦曾煌主编第六版下册 电子技术
§18.1.1 单相半波整流电路
D
u2 >0 时，二极管导通。
uo
忽略二极管正向压降：uo=u2u2<0时，二极管截止,输出电流为0。
uo=0
D
L=0uo
《电工学》_秦曾煌主编第六版下册 电子技术
i
L
uo
(1) 输出电压波形：
t
电工学(电子技术)课后答案第一部分第六版_秦曾煌
第14章
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：
IC??IB
IE?IB?IC?(1??)IB
??ICIB???IC?IB
3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时，IB和UBE之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现IB，且IB随UBE线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线：
晶体管的输出特性曲线反映当IB为某个值时，在不同的IB下，IC随UCE变化的关系曲线。输出特性曲线是一组曲线。IB=0以下区域为截止区，当UCE比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域：
晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，IC=?Ib，IC与Ib成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性
电工学(电子技术)课后答案第一部分第六版_秦曾煌
第14章
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：
IC??IB
IE?IB?IC?(1??)IB
??ICIB???IC?IB
3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时，IB和UBE之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现IB，且IB随UBE线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线：
晶体管的输出特性曲线反映当IB为某个值时，在不同的IB下，IC随UCE变化的关系曲线。输出特性曲线是一组曲线。IB=0以下区域为截止区，当UCE比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域：
晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，IC=?Ib，IC与Ib成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性
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第14章
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：
IC??IB
IE?IB?IC?(1??)IB
??ICIB???IC?IB
3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时，IB和UBE之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现IB，且IB随UBE线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线：
晶体管的输出特性曲线反映当IB为某个值时，在不同的IB下，IC随UCE变化的关系曲线。输出特性曲线是一组曲线。IB=0以下区域为截止区，当UCE比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域：
晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，IC=?Ib，IC与Ib成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性
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第14章
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：
IC??IB
IE?IB?IC?(1??)IB
??ICIB???IC?IB
3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时，IB和UBE之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现IB，且IB随UBE线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线：
晶体管的输出特性曲线反映当IB为某个值时，在不同的IB下，IC随UCE变化的关系曲线。输出特性曲线是一组曲线。IB=0以下区域为截止区，当UCE比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域：
晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，IC=?Ib，IC与Ib成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性
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第14章
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：
IC??IB
IE?IB?IC?(1??)IB
??ICIB???IC?IB
3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时，IB和UBE之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现IB，且IB随UBE线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线：
晶体管的输出特性曲线反映当IB为某个值时，在不同的IB下，IC随UCE变化的关系曲线。输出特性曲线是一组曲线。IB=0以下区域为截止区，当UCE比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域：
晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，IC=?Ib，IC与Ib成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性
电工学(电子技术)课后答案第一部分第六版_秦曾煌
第14章
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：
IC??IB
IE?IB?IC?(1??)IB
??ICIB???IC?IB
3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时，IB和UBE之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现IB，且IB随UBE线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线：
晶体管的输出特性曲线反映当IB为某个值时，在不同的IB下，IC随UCE变化的关系曲线。输出特性曲线是一组曲线。IB=0以下区域为截止区，当UCE比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域：
晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，IC=?Ib，IC与Ib成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性
电工学（电子技术）习题答案第一部分 - 第六版 - 秦曾煌主编
第14章
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下： IC??IB
IE?IB?IC?(1??)IB??ICIB???IC?IB
3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时，IB和UBE之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现IB，且IB随UBE线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线：
IC随UCE变化的关系曲线。 晶体管的输出特性曲线反映当IB为某个值时，在不同的IB下，
输出特性曲线是一组曲线。IB=0以下区域为截止区，当UCE比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域：
晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，IC=?Ib，IC与Ib成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性曲
电工学（电子技术）习题答案第一部分 第六版 秦曾煌主编
第14章
晶体管起放大作用的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结反向偏置。
晶体管放大作用的实质是利用晶体管工作在放大区的电流分配关系实现能量转换。 2．晶体管的电流分配关系
晶体管工作在放大区时，其各极电流关系如下：
IC??IB
IE?IB?IC?(1??)IB
??ICIB???IC?IB
3．晶体管的特性曲线和三个工作区域 （1）晶体管的输入特性曲线：
晶体管的输入特性曲线反映了当UCE等于某个电压时，IB和UBE之间的关系。晶体管的输入特性也存在一个死区电压。当发射结处于的正向偏压大于死区电压时，晶体管才会出现IB，且IB随UBE线性变化。 （2）晶体管的输出特性曲线：
IC随UCE变化的关系曲线。 晶体管的输出特性曲线反映当IB为某个值时，在不同的IB下，
输出特性曲线是一组曲线。IB=0以下区域为截止区，当UCE比较小的区域为饱和区。输出特性曲线近于水平部分为放大区。 （3）晶体管的三个区域：
晶体管的发射结正偏，集电结反偏，晶体管工作在放大区。此时，IC=?Ib，IC与Ib成线性正比关系，对应于曲线簇平行等距的部分。
晶体管发射结正偏压小于开启电压，或者反偏压，集电结反偏压，晶体管处于截止工作状态，对应输出特性