下列关于集成电路ic的叙述中错误的是

芯片或集成电路

IC

集成电路 IC IC,即集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶 体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组 合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表 示。 IC 产业

IC 的定义 IC 就是半导体元件产品的统称。包括：1.集成电路板(integrated circuit,缩写：IC); 2.二、三极管；3.特殊电子元件。 再广义些讲还涉及所有的电子元件，象电阻，电容，电路板/PCB 板， 等许多相关产品。 IC 产业发展与变革 自 1958 年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路(IC)后，随着硅 平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和 MOS 型两种重要 的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和

芯片或集成电路

质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。

回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到今天特大规模集成电路（ULSI）发展过程的最好总结，即整个集成电路产品的发展

芯片或集成电路

IC

集成电路 IC IC,即集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶 体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组 合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”(也有用文字符号“N”等)表 示。 IC 产业

IC 的定义 IC 就是半导体元件产品的统称。包括：1.集成电路板(integrated circuit,缩写：IC); 2.二、三极管；3.特殊电子元件。 再广义些讲还涉及所有的电子元件，象电阻，电容，电路板/PCB 板， 等许多相关产品。 IC 产业发展与变革 自 1958 年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路(IC)后，随着硅 平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和 MOS 型两种重要 的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和

芯片或集成电路

质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。

回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到今天特大规模集成电路（ULSI）发展过程的最好总结，即整个集成电路产品的发展

下列文学知识叙述错误的一项是( )。

A. 欧洲文学中四大吝啬鬼形象分别是英国莎士比亚《威尼斯商人》中的夏洛克、法国莫里哀《悭吝人》中的阿巴贡、法国巴尔扎克《守财奴》中的葛朗台、俄国果戈理《死魂灵》中的泼留希金

B. 中国文学中四大吝啬鬼形象分别是钱锺书《围城》中的李梅亭、徐复祚《一文钱》中的卢至、庄子《外物》中的监河侯、吴敬梓《儒林外史》中的严监生

C. 俄国文学中多余人形象有普希金《叶甫盖尼·奥涅金》中的奥涅金、莱蒙托夫《当代英雄》中的毕巧林、易卜生《娜拉》中的娜拉、赫尔岑《谁之罪》中的别尔托夫

D. 中国文学中多余人形象有鲁迅笔下的涓生、巴金笔下的觉新、柔石笔下的肖涧秋、叶圣陶笔下的倪焕之、曹禺笔下的周萍

答案详解：

易卜生为挪威剧作家，不是俄国人。其他选项正确，故本题选择C。

下列关于食品添加剂的说法，正确的是（ ）。

A. 经实验证明，天然的食品添加剂比人工化学合成的安全

B. 因为食品添加剂对人的身体有危害性，所以在食品中不应该使用添加剂

C. 防腐剂是能抑制食品中微生物的繁殖，防止食品腐败变质，延长食品保存期的物质，一般包括酸型防腐剂、酯型防腐剂两种

D. 漂白剂、膨松剂、着色剂、护色剂、增味剂、防腐剂、甜味剂、增稠剂、香料都属于食品添加剂

集成电路ic的电子封装从dip到lga

目前，电子封装技术的定位已从连接、组装等一般性生产技术逐步演变为实现高度多样化电子信息设备的一个关键技术。更高密度、更小凸点、无铅工艺等都需要全新的电子封装技术，以适应消费电子电子产品市场快速变化的特性需求。而电子封装技术的推陈出新，也已成为半导体及电子制造技术继续发展的有力推手，并对半导体前道工艺和表面贴装（smt）技术的改进产生着重大影响。为了迎合后端组件电子封装和前端装配的融合趋势，电子封装业者及其设备供应商与smt制造商和设备商之间只有密切合作，才能真正满足消费电子时代的市场需求。由工艺决定设备及配置，这就是中国电子制造业未来的发展趋势。中国的半导体电子封装正处于高速发展阶段，电子组装业的扩张已有放缓之势。在此背景下，加强电子封装、组装产业间的技术交流与协作，将对推动中国半导体电子封装、电子组装业持续高速发展起到积极的作用。但令人遗憾的是，目前国内将电子封装与电子组装有机衔接的交流平台却较少。如果说倒装芯片凸点生成是半导体前道工艺向后道电子封装的延伸，那么，基于引线键合的硅片凸点生成则是电子封装技术向前道工艺的扩展。我们不难观察到，面向部件、系统或整机的多芯片组件（mcm）电子封装技术的出现，彻底

集成电路制造中的腐蚀工艺

摘要：在集成电路制造过程中，需要光刻工艺将光刻版上的图形复制到硅片上，而腐蚀工

艺则是通过光刻胶来做保护，最后完成图形复制的任务。腐蚀结果的好坏会直接影响到硅片上的图形，这些图形则最终会在电路制作完成后对电路造成不同程度的影响。对于不同的材料，腐蚀工艺需要根据不同的腐蚀结果选取不同的腐蚀液或腐蚀气体，并通过大量的实验得到最佳的腐蚀结果。文章结合实际工作经验对在常规集成电路制造过程中的的几种材料在腐蚀工序的腐蚀做了简要的说明分析，对易出现的问题进行解决。

关键词：湿法腐蚀；干法腐蚀；等离子腐蚀；铝腐蚀

Etching for Integrated Circuit

MA Hong-jiang

The 47th Research Institute of China Electronics

TechnologyGroup,Shenyang,110032,China

Abstract: We need put the pattern on the wafer through

Photolithography ,but finally pattern will be keep down through Etch in IC ma

第6章 配位平衡与配位滴定法

一、选择题

1、在EDTA配位滴定中，下列叙述正确的是（ ） A、酸效应系数愈大，配合物的稳定性愈大； B、酸效应系数愈小，配合物的稳定性愈大； C 、pH值愈大，酸效应系数愈大；

D、酸效应系数愈大，配位滴定曲线的pM突跃范围愈大。 2、有关配位剂叙述错误的是：（ ）

A、无机配位剂常用于滴定分析 B、氨羧类配位剂常用于配位滴定 C、EDTA是常见的氨羧类配位剂 D、螯合剂配位能力强 3、下列有关螯合物的叙述错误的是：（ ） A、存在环状结构 B、常形成逐级配合物 C、稳定性较高 D、广泛用作滴定剂和掩蔽剂 4、稳定性增加的副反应是：（ ） A、酸效应 B、干扰离子效应

C、辅助络合效应 D、生成酸式或碱式的配合物 5、用于配位滴定法的反应不需要必须符合的条件是( ) A、 反应生成的配合物应很稳定； B、必须以指示剂确定滴定终点。 C、反应速度要快；

D、生成的配合物配位数必须固定 6 以下有关EDTA的叙述错误的为( )。 A、 酸度高时，EDTA可形

各种集成电路的代换

集成电路代换

集成块代换

各种集成电路的代换

BA2165 BA328 BA3308 BA3910 BA4220 BA422O BA4260 BA4260 BA4558 BA536 BA5402 BA6124 BA6137 BA6209 BA6238 BA6654 BH3856FS BH3856S BR24C04F-E 2 SMD BT9151-3 BU2741 BU2744 BU3856S CA1190 CA1310 CA1458 CA3045 CA3046 CA3065 CA3068 CA3080 CA3086 CA3089 CA3189 CA324 CA324 CA339 CA4000 CA555 CA741 CA741

KA287,LB1433 LA3161 KA22241 BA3918 HA12413 HA12413,KA2242, KA42243 KA22247,LA1260 KA2247 RC4558,CA1458 BA5402 BA536 KA2284,AN6884, LB1403 KA2285,KB1423 I281P KA8305 DBL1016 BU3856FS BU3856 CAR24WC08JI UM915

3D集成电路中的TSV技术概要

北京航空航天大学 电子信息工程学院 马志才

1. TSV技术简介

TSV(through silicon via)技术是穿透硅通孔技术的缩写，一般简称硅通孔技术，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。由于TSV能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大、芯片之间的互连线最短、外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能，成为目前电子封装技术中最引人注目的一种技术。如图1.1所示是4层芯片采用带载封装方法(tape carrier package，TCP)(见图1.1(a))和采用TSV方法(见图1.1(b))封装的外形比较。业内人士将TSV称为继引线键合(wire bonding)、载带键合(TAB)和倒装芯片(FC)乏后的第4代封装技术。

图1.1 TSV 封装外形比较

2. TSV及其技术优势

a) 缩小封装尺寸；

b) 高频特性出色，减小传输延时、降低噪声；

c) 降低芯片功耗，据称，TSV可将硅锗芯片的功耗降低大约40%；

d) 热膨胀可靠性高。

3．TSV的主要技术环节 1) 通孔的形成

晶片上的通孔加工是TSV技术的核心，目前通孔加工的技术主要有两种，一种是深

集成电路封装中的引线键合技术 2007-03-29 13:17

集成电路封装中的引线键合技术

黄玉财1 程秀兰1 蔡俊荣2 上海交通大学微电子学院

（1. 上海交通大学微电子学院，上海200030 2. 星科金朋（上海）有限公司 201702）

摘要: 在回顾现行的引线键合技术之后,本文主要探讨了集成电路封装中引线键合技术的发展趋势。球形焊接工艺比楔形焊接工艺具有更多的优势，因而获得了广泛使用。传统的前向拱丝越来越难以满足目前封装的高密度要求，反向拱丝能满足非常低的弧高的要求。前向拱丝和反向拱丝工艺相结合，能适应复杂的多排引线键合和多芯片封装结构的要求。不断发展的引线键合技术使得引线键合工艺能继续满足封装日益发展的要求，为封装继续提供低成本解决方案。 关键词: 引线键合；球形焊接；楔形焊接；反向键合 分类号：TN305 文献标志码：B

Wire Bonding Technology in IC Packaging Huang Yucai1 Cheng Xiulan1 Cai Junrong2

(1. School of Microelectronics, Shanghai Jiao Tong University, S

4#210宿舍 集体版总结

引言

第一只晶体管 ?第一只晶体管, AT&T Bell Lab, 1947 ?第一片单晶锗, 1952

?第一片单晶硅, 1954 (25mm，1英寸) ?第一只集成电路（IC）, TI, 1958 ?第一只IC商品, Fairchild, 1961

摩尔定律晶体管最小尺寸的极限 ?价格保持不变的情况下晶体管数每12月翻一番，1980s后下降为每18月翻一番；

?最小特征尺寸每3年减小70%

?价格每2年下降50%；

IC的极限

?硅原子直径: 2.35 ?；

?形成一个器件至少需要20个原子；

?估计晶体管最小尺寸极限大约为50 ?或0.005um，或5nm。

电子级多晶硅的纯度

一般要求含si>99.9999以上，提高纯度达到

99.9999999—99.999999999%（9-11个9）。其导电性介于10-4-1010

? /cm。电子级高纯多晶硅以9N以上为宜。

1980s以前半导体行业的模式

1980s以前：大多数半导体公司自己设计、制造和测试IC芯片，如 Intel，IBM

1990s以后半导体行业的模式

F&F模式，即Foundry(代工)+Fabless(无生产线芯片设计),

什么是Foundry