路试制动性能检测参数

2012/6/11

西南交通大学 卡丁车制动检测系统设计报告

秦树斌 20101515 指导老师:傅攀

目录

一、汽车制动性能检测技术现状 ...................................................................... 3

1、滚筒反力式制动检测台 ........................................................................................ 3 2、平板式制动检测台 ............................................................................................... 4 3、惯性式滚动检测试验台 ........................................................................................ 4

二、三种检测试验台的优缺点比较 ..................................................

盘式制动器制动性能试验台部分检测系统

检验测

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盘式制动器制动性能试验台部分检测系统吉孔武

赵奇平

张恒林

汉理工大学汽车工程学院+武

摘要

,

动器的工作原理、

、

电路原理机械部分和软件部分的研究设。

、

,

计出可刚量液压盘式制动器手柄力粉口力及点灯行程的在线检测系统研制结果表明该测试系统测试精度高、

,

速度快

、

方法简便

,

能对产品进行百分百的在线检测试验台

。

关键词!

,

液压盘式制动器

在线检测

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盘式制动器制动性能试验台部分检测系统

检验测

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盘式制动器制动性能试验台部分检测系统吉孔武

赵奇平

张恒林

汉理工大学汽车工程学院+武

摘要

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动器的工作原理、

、

电路原理机械部分和软件部分的研究设。

、

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计出可刚量液压盘式制动器手柄力粉口力及点灯行程的在线检测系统研制结果表明该测试系统测试精度高、

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、

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,

能对产品进行百分百的在线检测试验台

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液压盘式制动器

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工程技术

与产业经济

4通风设备选型4.1设计依据

中央风井回风量：初期51m3/s，后期94m3/s；通风负压：初期通风最小负压816.2Pa，后期通风最大负压2408.2Pa。4.2通风设备选型

依据矿井通风资料，设计就目前国产通风设备使用情况，筛选了两个方案进行比较。

(1)第一方案

选用FBCDZ№26/2×250(n=740r/min)型防爆对旋轴流风机两台。该风机结构简单，性能优良；两台防爆电机安装在风机内部，分别与一、二级叶轮直联，其两级叶轮既是工作轮又互为导叶，传动效率高；该型风机采用电机直接反转反风并带有防爆制动器，反风时间较短，反风量大；不需建反风道及风机房，风机安装在轨道式基础上，节省了土建工程费用；产品配带风门、消音器、扩散器，安装简单，施工周期短。缺点是电机为内装式，散热条件差，不易维护，并且台数多，电控操作系统复杂。

(2)第二方案

选用GAF20-11.8-1(n=980r/min)型矿用轴流通风机两台。该系列风机是80年代在引进德国TLT公司技术，由国内上海鼓风机厂制造的，反风时采用停车一次性整体机械调节风机叶片角度，不需将电机方向反转即可实现反风，也使电控系统较为简单；产品配带消声器、箱式风门、轴承润滑站、喘振报警

非参数检测简介

非参数检测 李林霄(14721016) 宫仁祥(14721005)

非参数检测简介

目录

1

非参数检测简介

23 4

单输入检测

双输入检测

总结

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非参数检测简介

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1

非参数检测简介

23 4

单输入检测

双输入检测

总结

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非参数检测简介

非参数检测简介——背景在绝大多数的检测理论研究中，都着重于设计最

优的检测器，最优检测器拥有最优的性能，但需要知道对输入信号和噪声的完整的统计学描述，这在 实际应用中很可能无法实现。实际情况： 设计检测系统时，无法得知完整的统计学描述 输入信号的统计特性可能是时变的 最优检测器复杂度很高，无法实现

非参数检测简介

非参数检测简介——背景解决方法：研究非最优检测器 自适应学习检测器

可以解决前两个问题 性能近似最优 复杂度很高

非参数化或自由分布检测器

对环境参数不敏感 系统简单 性能稍差

非参数检测简介

非参数检测简介——背景研究人员对于非参数检测展开了大量研究 1962年出版的非参数检测参考书目包含了3000篇 参考文献 有三卷手册专门列出了主要的非参数检测方法

一般的统计学教材都会有一章简单介绍非参数检测(少量证明)

但是非参数检测很少用

组件型号Voc

[V]Vmp

[V]

Isc [A]Imp [A]Pmax

[W]

最大系统电压

[V]

额定电流 [A]电池片尺寸

（mm*mm）

BSEM5-96-25058.9649.36 5.42 5.06250100010125*125 BSEM5-96-24558.7649.16 5.33 4.98245100010125*125 BSEM5-96-24058.7649.16 5.22 4.88240100010125*125 BSEM5-96-23558.5648.96 5.14 4.8235100010125*125 BSEM5-96-23058.5648.96 5.03 4.7230100010125*125 BSEM5-96-22558.3648.76 4.94 4.61225100010125*125 BSEM5-96-22058.3648.76 4.83 4.51220100010125*125 BSEM5-96-21558.1648.56 4.74 4.43215100010125*125 BSEM5-96-21058.1648.56 4.63 4.3221010

专业功率放大器测试报告名称 第一项序号

专业功率放大器 型号： 8Ω 负载测试测试项目 测试条件 40º、8Ω χ 2、1/5额定功率、16小时 (200Wx2) 工作情况 正常、无保护 工作情况 正常、无保护 L L L L L L L L L L L L R R R R R R 200V R R R R R R 机壳温升 测试结果 机壳温升 要求(优于国家二级标准) 注：(国)为国家标准、(企)为企业标准 机壳温升低于45º(国) 机壳温升低于45º(国) 达到额定功率(国) ≤1 %(国) 判定

1

暖机(高温实验) 40º、8Ω χ 2、额定功率、10分钟

2 3

功率 总谐波失真 总谐波失真

暖机后10Min内、1kHz、0.5%失真、 25º、1Min、8Ω χ 1/8Ω χ 2 1/10额定功率、20Hz/1kHz/20kHz、8Ω χ 1 1/0.1/0.01x额定功率、1kHz8Ω χ 1 60Hz+7kHz、1/10额定功率、8Ω χ 1 0.5%失真功率、1kHz、断开电源地、8Ω χ 2 额定峰值电压、方波10kHz、操作<10s、间 隔>10s、8Ω χ 1、V=(90%-10%

.

筛分机技术性能及参数

一九九九年三月

YAH重型圆振动筛

YA型单层圆振动筛

注：Y——圆振动，A——轴偏心，安装倾角20度

表——3

注：Y——圆振动，A——轴偏心，安装倾角20度

SZX重型振动筛表——4

表——5

注：Y——圆振动，K——轴偏心，R——挠性连接，安装倾角15~35度，产地——南昌矿山机械厂

表——6

注：Y——圆振动，K——轴偏心，R——挠性连接，安装倾角15~35度，产地——南昌矿山机械厂

表——7

注：Z——直线振动筛，K——块偏心，X——箱式振动器，筛面倾角0度，振动方向45度

2Z KX型双层直线振动筛表——8

注：Z——直线振动筛，K——块偏心，X——箱式振动器，筛面倾角0度，振动方向45度

表——9

表——10

表——11

注：DD——吊式单轴振动筛，ZD——座式单轴振动筛，J——橡胶筛网，运行轨迹均为圆。

表——12

注：DD——吊式单轴振动筛，ZD——座式单轴振动筛，J——橡胶筛网，运行轨迹均为圆。

表——14

SZZ型双层自定中心振动筛表——15

MOSFET的主要电学性能参数

MOSFET的主要电学性能参数主要有七种： 1.阈值电压：

阈值电压也称为开启电压，是MOSFET的重要参数之一，其定义是使栅下的衬底表面开始发生强反型时的栅极电压，记为Vτ。在正常情况下，栅电压产生的电场控制着源漏间

沟道区内载流子的产生。使沟道区源端强反型时的栅源电压称为MOS管的阈值电压。

影响阈值电压的因素： a.栅氧化层厚度 b.衬底费米势 c.金属半导体功函数差 d.耗尽区电离杂质电荷密度

e.栅氧化层中的电荷面密度

阈值电压是MOSFET最重要的参数之一，要求精确的控制。在诸因素中，影响最大的是栅氧化层的厚度和衬底掺杂浓度，但这两个参量在很大的程度上会由其它设计约束事先确定。

2.饱和电压和饱和电流 MOSFET的饱和电压就是输出源-漏电流饱和时所对应的源-漏电压。源-漏电流饱和的状态也就是沟道在靠近漏极端处夹断了的状态。对于增强型MOSFET，源-漏电压VDS<(VGS-VT)时一定是非饱和状态（沟道未夹断），否则在VDS≥(VGS-VT)时一定为饱和状态（沟道夹断）；饱和电压就是VDsat=(VGS-VT)。对于耗尽型MOSFET，其饱和电压为VDsat=(VT-VGS)。

MOSFET的饱和电压即可给出一定栅极电压下的最大输出电流——饱和电流： 饱和电压(VGS-VT)的大小将直接影响到MOSFET的电压增益KVsat、截止频率fT和沟道渡越时间tch：

KVsat ∝ L/(VGS-VT) fT ∝ (VGS

附表 1:序 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 类型 项目 密度 燃烧残余 融化温度 *熔融指数 *抗拉强度 *屈服极限 *断裂伸长率 球压硬度 *冲击强度 g/cm3 % ℃ g/10min N/mm2 N/mm2 % N/mm2 KJ/ m2 PA6 1.12-1.16 ― 210-220 ― ― ― ― 70-90 ― ― ― ― ― ― PA6+15% GF 1.3-1.4 ― ― ― ≥80 ― ― ― >20 >5 ― ― ― ― PA6+20% GF 1.24-1.28 — — — >115 — — ≥ 180 ≥ 30 ≥7 — >195 — — PA6+30% GF 1.34-1.4 28-32 210-220 4-10 >155 ― ― >205 ≥46 ≥9.5 ― >220 ― ― PA66 1.12-1.16 ― 250-260 30-60 ≥70 ― ― >140 >80 >2.5 ― >85 ― ― PA66+10% GF 1.16-1.22 8-12 250-260 ― ≥90 ― ― ≥160 ― ≥4 ≥25 ≥140 ― ― PA66+15% GF 1.22-1.26 14