电工学电子技术下册课后答案

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《电工学-电子技术-下册》试题及解答

标签:文库时间:2024-10-03
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第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路

一、单项选择题

*1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )

A、正、反向电阻相等 B、正向电阻大,反向电阻小 C、反向电阻比正向电阻大很多倍 D、正、反向电阻都等于无穷大 *2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V,当Ui=3V时,则U0的值( D )。

A、不能确定 B、等于0 C、等于5V D、等于3V

题2图

**3.半导体三极管是具有( B )PN结的器件。 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个

5.晶体管的主要特性是具有( D )。

A、单向导电性 B、滤波作用 C、稳压作用 D、电流放大作用 *6.稳压管的稳压性能是利用PN结的( D )。 A、单向导电特性 B、正向导电特性 C、反向截止特性 D、反向击穿特性

8.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A、确定静态工作点Q

B、确定集电结和发射结的偏置电压

C、确定电压放大倍数Au和输入、输出电阻ri,r0

D、确定静态工作点Q、放大倍数Au和输入、输出电阻ri,ro *9.射极输出器电路如

电工学电子技术实验讲义

标签:文库时间:2024-10-03
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电工与电子技术

验 讲 义

1

实 实验一 晶体管共射极单管放大电路

一、实验目的

(1)熟悉电子电路实验中常用的示波器、函数信号发生器的主要技术指标、性能及使用方法。 (2)掌握用双踪示波器观察正弦信号波形和读取波形参数的方法。

(3)学会放大器静态工作点的调试方法,分析静态工作点对放大器性能的影响。 (4)掌握放大器电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的测试方法。 二、实验原理

图2-1为电阻分压式工作点稳定的共射极单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用RB1和RB2组成的分压电路,并在发射极中接有电阻RF和RE,以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号ui后,在放大器的输出端便可得到一个与ui相位相反、幅值被放大了的输出信号u0,从而实现了电压放大。

*

*

图2-1 共射极单管放大器实验电路

在图2-1电路中,当流过偏置电阻RB1和RB2的电流远大于晶体管V的基极电流IB时(一般5-10倍),

则其静态工作点可用下式估算

IE?UB?UBERE?RFUCE?UCC?IC(RC?RF?RE)

电压放大倍数 Au???RC//RL

rbe?(1??)RF输入电阻 Ri?RB1//RB2//r

电工学电子技术实验报告

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电子技术实验报告

电工与电子技术

验 讲 义

电子技术实验报告

实验一 晶体管共射极单管放大电路

一、实验目的

(1)熟悉电子电路实验中常用的示波器、函数信号发生器的主要技术指标、性能及使用方法。 (2)掌握用双踪示波器观察正弦信号波形和读取波形参数的方法。

(3)学会放大器静态工作点的调试方法,分析静态工作点对放大器性能的影响。 (4)掌握放大器电压放大倍数、输入电阻*、输出电阻*的测试方法。 二、实验原理

图2-1为电阻分压式工作点稳定的共射极单管放大器实验电路图。它的偏置电路采用RB1和RB2组成的分压电路,并在发射极中接有电阻RF和RE,以稳定放大器的静态工作点。当在放大器的输入端加入输入信号ui后,在放大器的输出端便可得到一个与ui相位相反、幅值被放大了的输出信号u0,从而实现了电压放大。

图2-1 共射极单管放大器实验电路

在图2-1电路中,当流过偏置电阻RB1和RB2的电流远大于晶体管V的基极电流IB时(一般5-10倍),

则其静态工作点可用下式估算

IE

UB UBE

RE RF

UCE UCC IC(RC RF RE)

电压放大倍数 Au

RC//RL

rbe (1 )RF

输入电阻 Ri RB1//RB2//rbe

电工学(电工技术、电子技术)复习题及答案(DOC)

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wit

Impossible is nothing with my being! 30 电工学(电工技术、电子技术)复习题

一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内 1、把 图 1 所 示 的 电 路 改 为 图 2 的 电 路,其 负 载 电 流 I 1 和 I 2 将( B)。

(a) 增 大 (b) 不 变 (c) 减 小

2、 当 三 相 交

流 发 电 机 的 三 个 绕 组 接 成 星 形 时,若 线 电 压 u BC = 380sin wt V ,则 相 电 压 u B = ( B )。

(a) (b)

(c)

3、在 图 示 电 路 中,开 关 S 在 t = 0 瞬 间 闭 合,若

,则 ( B )。

(a) 0.6 A (b) 0.4 A (c) 0.8A

4、 两 个 铁 心 线 圈 除 了 匝 数 不 同 (N 1 > N 2) 外,其 他 参 数 都 相 同,若 将 这 两 个 线 圈 接 在 同

一 交 流 电 源 上,它 们 的 磁 通 F 1 和F 2

电工学与电子技术B复习题答案

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电工学与电子技术B复习题参考答案

一、 选择题

1、 一含源二端网络,测得其开路电压为100V,短路电流为10A,当外接10Ω负载电阻时,负载电流是(B)

A.10A;B.5A;C.15A;D.20A.

2、电动势为10V、内阻为2Ω的电压源变换成电流源时,电流源的电流和内阻是(C) A.10A,2Ω;B.10A,2Ω;C.5A,2Ω;D.2A,5Ω. 3、正弦交流电压u=100sin(628t+60o)V,它的频率为(A) A.100Hz;B.50Hz;C.60Hz;D.628Hz.

4、一阻值为3Ω、感抗为4Ω的电感线圈接在交流电路中,其功率因数为(B) A.0.3;B.0.6;C.0.5;D.0.4

5、电力系统负载大部分是感性负载,要提高电力系统的功率因数常采用(B) A.串联电容补偿;B.并联电容补偿;C.串联电感补偿;D.并联电感补偿。 6、欲使放大器净输入信号削弱,应采取的反馈类型是(D) A.串联反馈;B并联反馈;C.正反馈;D.负反馈。 7、由一个三极管组成的基本门电路是(B) A.与门;B.非门;C.或门;D.异或门。 8、在脉冲门电路中,应选择(B)的三极管。

A.放大能力强;B.开关速度快;C.价格便宜;D.集电极最大

电工学与电子技术B复习题答案

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电工学与电子技术B复习题参考答案

一、 选择题

1、 一含源二端网络,测得其开路电压为100V,短路电流为10A,当外接10Ω负载电阻时,负载电流是(B)

A.10A;B.5A;C.15A;D.20A.

2、电动势为10V、内阻为2Ω的电压源变换成电流源时,电流源的电流和内阻是(C) A.10A,2Ω;B.10A,2Ω;C.5A,2Ω;D.2A,5Ω. 3、正弦交流电压u=100sin(628t+60o)V,它的频率为(A) A.100Hz;B.50Hz;C.60Hz;D.628Hz.

4、一阻值为3Ω、感抗为4Ω的电感线圈接在交流电路中,其功率因数为(B) A.0.3;B.0.6;C.0.5;D.0.4

5、电力系统负载大部分是感性负载,要提高电力系统的功率因数常采用(B) A.串联电容补偿;B.并联电容补偿;C.串联电感补偿;D.并联电感补偿。 6、欲使放大器净输入信号削弱,应采取的反馈类型是(D) A.串联反馈;B并联反馈;C.正反馈;D.负反馈。 7、由一个三极管组成的基本门电路是(B) A.与门;B.非门;C.或门;D.异或门。 8、在脉冲门电路中,应选择(B)的三极管。

A.放大能力强;B.开关速度快;C.价格便宜;D.集电极最大

《电工学-电子技术》习题册习题解答

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《电工与电子技术》

习 题 与 解 答

电工电子教研室

第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路

一、单项选择题

*1.若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )

A、正、反向电阻相等 B、正向电阻大,反向电阻小 C、反向电阻比正向电阻大很多倍 D、正、反向电阻都等于无穷大 *2.电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V,当Ui=3V时,则U0的值( D )。

A、不能确定 B、等于0 C、等于5V

题2图

1 / 33

D、等于3V

**3.半导体三极管是具有( B )PN结的器件。 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个

5.晶体管的主要特性是具有( D )。

A、单向导电性 B、滤波作用 C、稳压作用 D、电流放大作用 *6.稳压管的稳压性能是利用PN结的( D )。 A、单向导电特性 B、正向导电特性 C、反向截止特性 D、反向击穿特性

8.对放大电路进行动态分析的主要任务是( C ) A、确定静态工作点Q

B、确定集电结和发射结的偏置电压

C、确定电压放大倍数Au和输入、输出电阻ri,r0

D、确定静态

电工学(下册)电子技术基础 第4章 习题解答

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第4章 场效应管放大电路与

功率放大电路

4.1 图4.1所示为场效应管的转移特性,请分别说明场效应管各属于何种类型。说明它的开启电压Uth(或夹断电压Up)约是多少。

iD / mA-iD / mA321-10iD / mA1-32uGS / V-3-2-10uGS / V(a)-4-20uGS / V(b)(c)

图4.1 习题4.1图

解:(a) N沟道 耗尽型FET UP=-3V; (b) P沟道 增强型FET UT=-4V; (c) P沟道 耗尽型FET UP=2V。

4.2 某MOSFET的IDSS = 10mA且UP = -8V。(1) 此元件是P沟道还是N沟道?(2) 计算UGS = -3V是的ID;(3) 计算UGS = 3V时的ID。

解:(1) N沟道;

UGS3)?10?(1?)?3.9(mA) UP8U3(3) ID?IDSS(1?GS)?10?(1?)?18.9(mA)

UP8(2) ID?IDSS(1?4.3 画出下列FET的转移特性曲线。

(1) UP = -6V,IDSS = 1mA的MOSFET;(2) UT = 8V,K = 0.2mA/V2的MOSFET。 解:

iD/mA1iD/mA3.2

《电工学》上册课后答案

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图1: 习题1.5.1图

I1 = ?4A U1 = 140V U4 = ?80V I2 = 6A

U2 = ?

90V U5 =

30V

I3 = 10A

U3 = 60V

1 电路的基本概念与定律

1.5 电源有载工作、开路与短路

1.5.1

在图1中,五个元件代表电源和负载。电流和电压的参考方向如图中所示。今通过实验测量得知

1 试标出各电流的实际方向和各电压的实际极性。

2 判断哪些元件是电源?哪些是负载?

3 计算各元件的功率,电源发出的功率和负载取用的功率是否平衡?[解]:

2 元件1,2为电源;3,4,5为负载。

3 P1 = U1I1 = 140 ×(?4)W = ?560W

P2 = U2I2 = (?90) ×6W = ?540W

P3 = U3I3 = 60 ×10W = 600W

P4 = U4I1 = (?80) ×(?4)W =

320W P5 = U5I2 = 30 ×6W = 180W

P1 + P2 = 1100W

负载取用功率P = P3 + P4 + P5 = 1100W

两者平衡

电源发出功率P E =

1.5.2

在图2中,已知I1= 3mA,I2 = 1mA.试确定电路元件3中的电流I3和其两端电压U3,并说明它是电源还是负

2022年浙江农林大学电工学(同等学力加试)之电工学-电子技术复试

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考研专业课资料、辅导、答疑一站式服务平台

第 1 页,共 27 页

目录

2018年浙江农林大学电工学(同等学力加试)之电工学-电子技术复试仿真模拟三套题(一) 2 2018年浙江农林大学电工学(同等学力加试)之电工学-电子技术复试仿真模拟三套题(二)

.............................................................................................................................................. 10 2018年浙江农林大学电工学(同等学力加试)之电工学-电子技术复试仿真模拟三套题(三)

(20)

考研专业课资料、辅导、答疑一站式服务平台

第 2 页,共 27 页 2018年浙江农林大学电工学(同等学力加试)之电工学-电子技术复试仿真模拟三套

题(一)

特别说明:

1-本资料为2018复试学员内部使用,严格按照2018复试常考题型及难度全真模拟预测。

2-资料仅供复试复习参考,与目标学校及研究生院官方无关,如有侵权、请联系我们立即处理。 ————————————————————————————————————————

一、解答