低温共烧陶瓷技术

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TLCC低温共烧陶瓷技术

标签:文库时间:2024-10-08
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1 LTCC产业概况??随着微电子信息技术的迅猛发展,电子整机在小型化、便携式、多功能、数字化及高可靠性、高性能方面的需求,对元器件的小型化、集成化以至模块化要求愈来愈迫切。有人曾夸张地预言,以后的电子工业将简化为装配工业——把各种功能模块组装在一起即可。低温共烧陶瓷技术(low temperature cofired ceramic LTCC)是近年来兴起的一种相当令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术,以其优异的电子、机械、热力特性已成为未来电子元件集成化、模组化的首选方式,广泛用于基板、封装及微波器件等领域。TEK的调查资料显示,2004~2007年间全球LTCC市场产值呈现快速成长趋势。表1给出过去几年全球LTCC市场产值增长情况。

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表1 过去几年全球LTCC市场产值增长情况

?LTCC技术最早由美国开始发展,初期应用于军用产品,后来欧洲厂商将其引入车用市场,而后再由日本厂商将其应用于资讯产品中。目前,LTCC材料在日本、美国等发达国家已进入产业化、系列化和可进行材料设计的阶段[1]。在全球LTCC市场占有率九大厂商之中,日商有Murata,Kyocera,TDK和Taiyo Yuden;美商有CTS,欧洲商有Bosch, CMAC,

TLCC低温共烧陶瓷技术

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低温共烧陶瓷技术,TLCC

1 LTCC产业概况

随着微电子信息技术的迅猛发展,电子整机在小型化、便携式、多功能、数字化及高可靠性、高性能方面的需求,对元器件的小型化、集成化以至模块化要求愈来愈迫切。 有人曾夸张地预言,以后的电子工业将简化为装配工业——把各种功能模块组装在一起即可。低温共烧陶瓷技术(low temperature cofired ceramic LTCC)是近年来兴起的一种相当令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术,以其优异的电子、机械、热力特性已成为未来电子元件集成化、模组化的首选方式,广泛用于基板、封装及微波器件等领域。TEK的调查资料显示,2004~2007年间全球LTCC市场产值呈现快速成长趋势。表1给出过去几年全球LTCC市场产值增长情况。

表1 过去几年全球LTCC市场产值增长情况

LTCC技术最早由美国开始发展,初期应用于军用产品,后来欧洲厂商将其引入车用市场,而后再由日本厂商将其应用于资讯产品中。目前,LTCC材料在日本、美国等发达国家已进入产业化、系列化和可进行材料设计的阶段[1]。在全球LTCC市场占有率九大厂商之中,日商有Murata,Kyocera,TDK和Taiyo Yuden;美商有CTS,欧洲商有Bosch

低温共烧陶瓷ansys分析

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摘要

摘 要

一般的电子元件在制造过程中温度的影响对成品影响是很大的。LTCC中陶瓷、银在共烧过程中因为收缩值的不匹配而产生烧结应力,而升温至最高温时结构体因为热膨胀系数会产生热应力,随着温度降至室温应力无法消除,在结构体内部便有残留应力的存在,此疲劳过程会使成品可靠性缩短而失去其电子回路的功能。而本文利用有限元软件ANSYS来研究经历温度时间历程下材料的机械性质改变所造成的应力现象及变形情况,最主要的工作是分析工烧过程和疲劳过程中的温度、应力情况,总结出影响互连通孔可靠性因素,从而对实际生产过程中互连通孔工艺提供指导。

关键字:LTCC,共烧过程,疲劳过程,应力,可靠性

I

ABSTRACT

ABSTRACT

Effect of electronic components in the manufacturing process of the product is greatly affected by the temperature. Ceramics and silver of LTCC in CO firing process does not match the shrinkage and sintering stres

低温共烧陶瓷 LTCC工艺的技术及发展

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LTCC工艺研究与展望

低温共烧陶瓷 LTCC工艺的技术及发展

作者:

陕西国防工艺职业技术学院 电子信息学院 西安市户县 710300

摘 要 :低 温共烧陶瓷( L TCC) 技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术 , 已

经成为无源集成的主流技术 , 成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。 叙述了低温共烧陶瓷技术(LTCC) N制备工艺以及未来应用前景。

关键词 : 低温共烧陶瓷 ; LTCC工艺 ; 基板

引言:

低温共烧陶瓷 ( Low— Temperatue cofired ceramics ,LTCC ) 技术, 就是将低温烧结陶瓷粉经过流延制成厚度精确而且致密的生瓷带, 作为电路基板材 料, 在生瓷带上打孔、 微孔填充、 精密导体浆料印刷、叠片以及层压等工艺制出所需要的电路图形, 并将多个无源元件埋入其中,然后叠压在一起, 在900℃下烧结,制成三维电路网络的无源集成组件, 也可制成内置无源元件的三维电路基板, 在其表面可以贴装 I C和有源器件,制成无源 / 有源集成的功能模块 。 随着微电子信息技术的迅猛发展, 电子整机在小型化、 便携式

低温共烧陶瓷LTCC工艺的研究

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ltcc

专题报道

电子工业毫用设备

低温共烧陶瓷‘LTCC)工艺的研究

吕琴红,李俊

(中国电子科技集团公司第二研究所,山西太原030024)

要:低温共烧陶瓷(LTCC)技术是近年发展起来的令人瞩目的整合组件技术,已经成为无源

集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。叙述了低温共烧陶瓷技术(LTCC)的制备工艺以及未来应用前景。关键词:低温共烧陶瓷;LTCC工艺;基板中图分类号:TN304.82

文献标识码:A

文章编号:1004—4507(2009)10—0022 04

TheResearchofLow

TemperatureCo-firedCeramic(LTCC)

Technology

Manufacturing

LV

Process

Qinhong,LI

Jun

(The

45thInsitute

ofCETC,BeijingEastYanjiao065201China)

Abstract:ThelowtemperatureCO—firedtechnologyofelectriccomponents.As

ceramic(LTCC)technologyhasalreadybecome

an

integrated

newintegrating

低温共烧陶瓷技术发展现状及趋势

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低温共烧陶瓷技术发展现状及趋势

摘要:低温共烧陶瓷(LTCC)技术是近年发展起来的令人瞩目的电路封装技术,已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新型电子元器件产业的经济增长点。本文论述了LTCC技术特点、LTCC材料和器件的研究现状以及未来发展趋势。

关键词:低温共烧陶瓷技术(LTCC);电路封装;无源集成;发展现状;趋势

1概述

低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Co-fired Ceramic,LTCC)是美国休斯公司于1982年开发的新型电子封装技术,该技术是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生料带,在生料带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形,并将多个无源元件(如低容值电容、电阻、滤波器、阻抗转换器、耦合器等)埋入多层陶瓷基板中,然后叠压在一起,内外电极可分别使用银、铜、金等金属,在900℃下烧结,制成三维空间互不干扰的高密度电路,也可制成内置无源元件的三维电路基板,在其表面可以贴装IC和有源器件,制成无源/有源集成的功能模块,可进一步将电路小型化与高密度化。

LTCC技术具有如下优点:陶瓷材料具有优良的高频高Q特性,使用频率可高达几十GHz;使用电导率高的金

氧化硼对钙硼硅系低温共烧陶瓷性能的影响 - 图文

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实验报告

课题名称 院 (系) 专 业

复合材料与工程

氧化硼对钙硼硅系低温共烧陶瓷性能的影响

材料科学与工程学院

2014年6月

氧化硼对钙硼硅系低温共烧陶瓷性能的影响

1实验目的

玻璃成分中挥发份的含量越多,其挥发量越高。王承遇[1]总结了富碱金属氧化物和无碱硼硅酸盐玻璃中B2O3的挥发量(mg·cm-2·h-1)与B2O3含量关系如图1。曲线1为富碱金属氧化物的硼硅酸盐玻璃,曲线2为无碱硼硅酸盐玻璃。由图可知,富碱金属氧化物的硼硅酸盐玻璃挥发量随B2O3含量增加而增加,基本成线性关系,无碱或者低碱硼硅酸盐玻璃的挥发量在B2O3小于20%(摩尔比)时非常小,当大于20%挥发量迅速增加,因此本实验重点研究B2O3大于20%(摩尔比)时,硼挥发对CBS玻璃陶瓷性能的影响。

图1 B2O3挥发量与B2O3含量的关系

Fig. 1 The relation between boron volatilization and boron content

2 引言

CBS玻璃的熔制阶段可以看成,配合料熔制成玻璃液和不均匀的玻璃液相互扩散的过程,玻璃熔制的这五个阶段,各有特点但又密不可分。但在实际熔制过程中并不严格按上述顺序逐步进

氧化铝陶瓷低温常压烧结

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氧化铝陶瓷低温常压烧结

张全贺

051002131

摘要:氧化铝陶瓷材料以其优良的性能及较低的制造成本,被广泛应用于国民经济各部门。随着科学技术的发展,特别是电子、能源、空间技术、汽车工业的发展,对材料的要求越来越苛刻,因此对高纯氧化铝陶瓷尤其是更高纯度的高性能氧化铝陶瓷需求量大为增加。本课题围绕制各A1203含量>99.8wt%的高纯氧化铝陶瓷进行研究,通过原科粉体预处理工艺、烧结助剂添加工艺、成型优化工艺,从而实现常压下低温烧结高纯高致密氧化铝陶瓷。本课题中获得的低温烧结试样具有较好的显微结构和较高的机械性能。原料粉预处理工艺是一种新的氧化铝粉体解团聚方法,具有工艺简单、成本消耗低、粉体处理效果显著的特点,对于粉体解团聚处理工艺的技术进步有一定的促进意义。在烧结助剂的研究中,本课题MgO为基本考察助剂,Y203、La203、Nd20s、纳米A1203为复合添加助剂,通过相关的选择实验,研究了以上烧结助剂在14500C、1550。(2、16500C对~203含I>99.8wt%的商纯氧化铝陶瓷的烧结体密度的作用规律。这一研究的结果,为高纯氧化铝陶瓷的制各提供重要参考数据。通过高纯超细氧化铝粉料的凝胶浇注成型工艺的研究,优化高纯超细氧化铝粉体的凝胶

氧化铝陶瓷低温常压烧结

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氧化铝陶瓷低温常压烧结

张全贺

051002131

摘要:氧化铝陶瓷材料以其优良的性能及较低的制造成本,被广泛应用于国民经济各部门。随着科学技术的发展,特别是电子、能源、空间技术、汽车工业的发展,对材料的要求越来越苛刻,因此对高纯氧化铝陶瓷尤其是更高纯度的高性能氧化铝陶瓷需求量大为增加。本课题围绕制各A1203含量>99.8wt%的高纯氧化铝陶瓷进行研究,通过原科粉体预处理工艺、烧结助剂添加工艺、成型优化工艺,从而实现常压下低温烧结高纯高致密氧化铝陶瓷。本课题中获得的低温烧结试样具有较好的显微结构和较高的机械性能。原料粉预处理工艺是一种新的氧化铝粉体解团聚方法,具有工艺简单、成本消耗低、粉体处理效果显著的特点,对于粉体解团聚处理工艺的技术进步有一定的促进意义。在烧结助剂的研究中,本课题MgO为基本考察助剂,Y203、La203、Nd20s、纳米A1203为复合添加助剂,通过相关的选择实验,研究了以上烧结助剂在14500C、1550。(2、16500C对~203含I>99.8wt%的商纯氧化铝陶瓷的烧结体密度的作用规律。这一研究的结果,为高纯氧化铝陶瓷的制各提供重要参考数据。通过高纯超细氧化铝粉料的凝胶浇注成型工艺的研究,优化高纯超细氧化铝粉体的凝胶

低温罐ATG系统技术方案

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低温丙烷罐ATG储罐仪表系统

低温丙烷罐组ATG系统

Honeywell Enraf 霍尼韦尔(天津)有限公司

2016年2月3日

目 录

1相关标准和规范 ............................................................................................................... 3 2、公司简介 ........................................................................................................................ 5 2.1霍尼韦尔简介 .......................................................................................................... 5 2.2 霍尼韦尔 恩拉福简介 ...........