mos测试原理DS短接

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MOS测试原理 - 图文

标签:文库时间:2024-10-04
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GTM Electronics (Shanghai) Ltd.

MOS測試原理解析

By Antly_law

MOSFET-簡介?MOSFET定義及特點?MOSFET結構?MOSFET工作原理(NMOS)?MOSFET特性曲線(NMOS)?分立器件測試機

?MOSFET的直流參數及測試目的?MOSFET的交流參數?MOSFET Related

?廠內分析MOSFET異常方法?習題

DGSGTM_ENG 學習資料

2

MOSFET定義?MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管.场效晶体管(field-effect transistor)。

?MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的

?MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与

p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等

?

1.单极性器件(一种载流子导电)

?特點:

?2.输入电阻高(107 ?1015 ?,IGFET(絕緣柵型) 可高达1015?)?3.工艺简单、易集成、功耗小、体

MOS测试原理 - 图文

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GTM Electronics (Shanghai) Ltd.

MOS測試原理解析

By Antly_law

MOSFET-簡介?MOSFET定義及特點?MOSFET結構?MOSFET工作原理(NMOS)?MOSFET特性曲線(NMOS)?分立器件測試機

?MOSFET的直流參數及測試目的?MOSFET的交流參數?MOSFET Related

?廠內分析MOSFET異常方法?習題

DGSGTM_ENG 學習資料

2

MOSFET定義?MOSFET=Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor即金属-氧化层-半导体-场效晶体管.场效晶体管(field-effect transistor)。

?MOSFET是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的

?MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为n-type与

p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等

?

1.单极性器件(一种载流子导电)

?特點:

?2.输入电阻高(107 ?1015 ?,IGFET(絕緣柵型) 可高达1015?)?3.工艺简单、易集成、功耗小、体

OTIS部分电梯安全回路短接方法

标签:文库时间:2024-10-04
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地坑缓冲器 极限开关 张紧轮

奥的斯,法国2000
2C1-2{可以短接安全窗(EEC1-3);TES轿顶急停(INS1-9);安全钳开关SOS(1-3);UDLS轿顶极限开关LSW (4-5)}。
2C4-5可以短接轿门触点。
2H2-4 地坑所有开关。
2H2-5 地坑缓冲器。
2H1-4 门连锁。
3M1-2 限速器开关。
奥的斯,OTIS3200
安全回路空开是CF4
1C01-02 限速器开关。
1C02-03 地坑缓冲器 极限开关 张紧轮
1C05-06 轿顶安全窗 安全钳。
1C06-08 急停(轿顶,轿厢,地坑)。
1C08-09 轿门触点。
1C09-10 厅门连锁。

奥的斯,OTIS 3000
2C1-2 轿顶急停,安全窗,安全钳。
2C7-10 轿厢急停
2C4-5 轿门触点
2H1-6 厅门连锁
2H2-4 地坑缓冲器 极限开关 张紧轮。
8H1-3 上、下极限
3M1-3 限速器开关
4M8-9 机房急停
空开3C门机电源
插件1H外乎线

奥的斯,OTIS封线
奥的斯,TECE-300VF(2000VF,XO-21VF,SPEC-90VF) 端子号 安全开关名称 电压
M1-1~M1-2 限速器(OS) 110VAC

MOS管原理,非常详细

标签:文库时间:2024-10-04
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MOS管的那些事儿

2012.11.15

呵呵,让我们来看看MOS管,分辨一下 他们怎么区别,怎么用吧。 我们在笔记本主板维修中见到的MOS管 几乎都是绝缘栅增强型,这里也就只说说它 的那些事儿吧。 而且,我们不谈原理,只谈应用。

我们分“电路符号”和“实物”两部分来看吧

电路符号:1 2 3 4 三个极怎么判定 区别他们是N沟道还是P沟道 寄生二极管的方向如何判定 它能干吗用呢

5

简单吗?那我们来做个挑错游戏吧

实物:12 3

三个极怎么分辨它是N沟道还是P沟道的呢 能量出它是好是坏吗

电路符号

电路符号篇

电路符号

开始之前,一个小测试:请回答: 哪个脚是S(源极)?哪个脚是D(漏极)? G(栅极)呢? 是P沟道还是N沟道MOS? 如果接入电路, D极和S极,哪一个该接输 入,哪个接输出? 你答对了吗?

电路符号

再来一个,试试看:哪个脚是S(源极)?

哪个脚是D(漏极)?G(栅极)呢? 是P沟道还是N沟道MOS? 依据是什么? 如果接入电路, D极和S极,哪一个该接输 入,哪个接输出? 这次怎么样?

电路符号 1 三个极怎么判定 ?

MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方 。S极G极,不用说比较好认。 S极, 不论是P沟道还是N沟道, 两根线相交的就是;

G极

D极

MOS管工作原理详细讲解

标签:文库时间:2024-10-04
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详细讲解MOSFET管驱动电路

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。

下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结,其中参考了一些资料,非全部原创。包括MOS管的介绍,特性,驱动以及应用电路。 1,MOS管种类和结构

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。 MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路

MOS管工作原理及芯片汇总

标签:文库时间:2024-10-04
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MOS管工作原理及芯片汇总

一:MOS管参数解释

MOS管介绍

在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,一般都要考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等因素。

MOSFET管是FET的一种,可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,一般主要应用的为增强型的NMOS管和增强型的PMOS管,所以通常提到的就是这两种。

这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。

在MOS管内部,漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马达),这个二极管很重要,并且只在单个的MOS管中存在此二极管,在集成电路芯片内部通常是没有的。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免。

MOS管导通特性

导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。

NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的

N沟道MOS管的结构及工作原理

标签:文库时间:2024-10-04
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一、N沟道增强型场效应管结构

a) N沟道增强型MOS管结构示意图

b)

(b) N沟道增强型MOS管代表符号

(c) P沟道增强型MOS管代表符号

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。另外在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。显然它的栅极与其它电极间是绝缘的。图 1(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图 1(c)所示。

二、N沟道增强型场效应管工作原理

1.vGS对iD及沟道的控制作用

MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。从图1(a)可以看出,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压vGS=0时,即使加上漏-源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。

若在栅-源极间加上正

防蜡防偏磨磁性助流抽油杆短接

标签:文库时间:2024-10-04
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(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)实用新型专利

(10)申请公布号CN2536768Y

(43)申请公布日2003.02.19(21)申请号CN02234197.8

(22)申请日2002.05.23

(71)申请人王亚平

地址163411 黑龙江省大庆市让胡路区乘新三小区3-28-4-101

(72)发明人王亚平

(74)专利代理机构大庆知文专利代理有限公司

代理人米万泽

(51)Int.CI

E21B17/02;

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

防蜡防偏磨磁性助流抽油杆短接

(57)摘要

本实用新型涉及一种油田抽油机井下

的防蜡防偏磨磁性助流抽油杆短接。在短接

(1)里形成衬有磁套(3)的内腔(6)和进、出口

(2,7),短接(1)的外壁上镶嵌多个间隔的硬

质环(4)。短接(1)的一端有螺纹连接的接头

(5),硬质环(4)的外径≤井下油管的内径。

本短接的外径≤油管的内径,之间间隙很

小,起到扶正防偏磨的作用;油流流经短接

时流入内腔,被磁化后又流入下个短接,在

这个过程中一方面使油液被磁化,又加速了

MOS:Excel教程

标签:文库时间:2024-10-04
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单元1从文本文件导入数据

使用文件:01导入文本文件.txt,将此文件导入到Excel工作表中。 操作说明

1.启动Excel后,执行“数据”菜单的“导入外部数据”→“导入数据”。出现选取数据源对话窗口。

2.双击想要打开的文件。

3.出现“文本导入向导”,按“下一步”按钮。

4.导入数据的分隔符号有“Tap键、分号、逗号、空格、其他”等格式可以勾选,选择适合数据来源的分栏符选项来建立分栏后,单击“下一步”按钮。

5.可以在此指定各列数据格式,结束后单击“完成”按钮。

6.出现“导入数据”窗口,选择数据要放置的单元格位置,单击“确定”按钮。

7.完成结果如下。

单元2从外部导入数据

使用文件:02技能检定.mdb(Access数据库文件),将此文件倒入到到Excel工作表中。 操作说明

1.启动Excel后,执行“数据”菜单的“导入外部数据”→“导入数据”。出现选取数据源对话窗口。

2.出现“选取数据源”对话窗口,点选“02技能检定.mdb”,并按“打开”按钮。

3.指定数据存放位置后单击“确定”按钮。 4.完成结果如下。

单元3导入及导出XML文件

使用文件:03学生资料.xml(可扩展标记语言) 操作说明

1.导入XML文件之前要先新增X

MOS认证题库(excel)

标签:文库时间:2024-10-04
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试卷编号:8061 所属语言:计算机基础 试卷方案:excel 试卷总分:1410分 共有题型:1种

一、EXCEL操作 共141题 (共计1410分) 第1题 (10.0分)

--------------------------------------------------------------------- 请在打开的窗口中进行如下操作,操作完成后,请关闭Excel并保存工作簿。 --------------------------------------------------------------------- 在工作表Sheet1中完成如下操作:

1、利用公式计算校准分,校准分=(各课程得分×该课程的校准比例,然后求和)

2、计算平均分、总分。

3、插入一张工作表。将sheet1表中的A1:I28单元格区域复制到新插入的工作表中。

4、在sheet1表中以主关键字“总分”降序排序,总分相同以“英语成绩”降序排 序。

5、在sheet1表中利用自动序列在计算出名次。(1、2、3.。。。) 注:计算完毕后,调整列宽,使列标题完整显示。

6、在sheet1表中,将A29:M29单元格合并及居中,