单晶硅籽晶厂家

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单晶硅炉用籽晶绳项目可行性研究报告

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单晶硅炉用籽晶绳项目可行性研究报告

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多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

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7 多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

名 称： 单晶硅

英文名： monocrystalline silicon 分子式： si

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分。硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅲa族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅴa族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于

单晶硅太阳电池工艺

P型单晶硅太阳电池 工艺

单晶硅太阳电池工艺

目录 Test wafers Texturing Cleaning before diffusion Diffusion Edge isolation and remove PSG PECVD Screen printing and firing SE solar cells introduce

joe

单晶硅太阳电池工艺

来料检验

现在有的电池生产公司会有这 道生产工序，因为优质硅片在市场上 常常处于“有价无市”的状态，缺货 严重，许多硅片制造商经常会用硅棒 的“头尾料”来以次充好，卖给下游 电池制造商，所以加上这道工序用来 检验硅片的质量。 此道工序主要检验硅片的厚度、 少子寿命、表面平整度、是否有微裂 纹、电阻率、表面油污等，同时具有 插片功能，可将硅片插入25片一盒的 晶片盒中。我所知的设备供应商是韩 国的fortix公司。这种设备插片速度不 是很快，所以平时也只是用来做抽查 检验，大部分硅片还是手工插入晶片 盒流入下一工序。3

joe

单晶硅太阳电池工艺

texturing 第二道工序是制 绒。为了提高单晶硅 太阳电池的光电转换 效率,工业生产中通 常采用碱

常州单晶硅项目可行性报告

投资分析/实施方案

常州单晶硅项目可行性报告

单晶硅产品自2015年开始逐步扩大市场份额。近年来，单晶组件在我国光伏组件出口总量中所占比例逐渐增加的趋势开始得到遏制，目前单晶多晶出口比例基本维持在6：4的比例，单晶组件仍占据大部分市场份额。从主要出口目的地国家的角度来看，出口日本、荷兰、澳大利亚的光伏组件以单晶居多，这些国家更偏向高效组件产品，我国单晶出口比例的上升与荷兰市场的开辟有着直接关系。巴西、印度则具有价格导向型市场的特征，以多晶组件占据大多数。

该单晶硅棒项目计划总投资12647.05万元，其中：固定资产投资9557.86万元，占项目总投资的75.57%；流动资金3089.19万元，占项目总投资的24.43%。

达产年营业收入30764.00万元，总成本费用23417.97万元，税金及附加277.51万元，利润总额7346.03万元，利税总额8636.79万元，税后净利润5509.52万元，达产年纳税总额3127.27万元；达产年投资利润率58.08%，投资利税率68.29%，投资回报率43.56%，全部投资回收期3.80年，提供就业职位609个。

报告针对项目的特点，分析投资项目能源消费情况，计算能源消费量

并提出节能

单晶硅纳米力学性能的测试

　　　　　　　　　OpticsandPrecisionEngineering　　　　　　　

2009年7月　　　Jul.2009

文章编号　10042924X(2009)0721602207

第17卷　第7期

　光学精密工程

Vol.17　No.7

单晶硅纳米力学性能的测试

赵宏伟1,杨柏豪2,赵宏健3,黄　虎1

(1.吉林大学机械科学与工程学院,吉林长春130022;2.北京航天计量测试技术研究所力学室,北京100076;

3.浙江大学材料与化学工程学院,浙江杭州310027)

摘要:对材料纳米力学性能测试手段进行了研究,着重分析了纳米压痕技术的原理和方法。结合纳米压痕技术,采用尖端四面体Vickers型单晶金刚石压头对单晶硅(100)晶面进行了纳米压痕实验测试。实验发现,在载荷为1000mN时,晶体硅出现了明显的裂纹和脆性断裂;而在载荷低于80mN的情况下,晶体硅则表现出延性特性,在不同载荷条件下对晶体硅的硬度进行了实验测试,测试结果发现,,认为导致这种差异的原因在于压痕区域晶体硅所受压力不同,,为15.7GPa。

关　键　词:单晶硅薄片;纳米力学;纳米压痕;硬度;中图分类号:TN304.07　　文献标识码propertiesofsin

大直径直拉单晶硅热场设计

热场分为：中速热场、太阳能热场、磁场炉热场等 单晶生长能量输送方式： 1．热传导； 2．热辐射； 3．挥发； 4．对流； 5．潜热。

1．热传导

硅单晶生长是一个多参数地非线性的分散系统，用一个极为近似的数学模型来描述晶体的热场分布：

假设柱形加热器半径为Rc，加热器各瓣无穷长的，加热器下端点为0，利用柱形坐标，写出微分方程：

（?2 T/? R2）+（1/R）*（? T/? R）+（（?2 T/? Z2）=0 边界条件：

（1）当Z=0和R≥0和R≤Rc时，T=Tm（Tm是可测的）； （2）当加热功率由加热器内壁和外壁表面辐射，即坩埚液体； 当0〈R〈∞和R=Rc时，K*（? T/? R）=H*T K—为热导率，H—为热辐射系数 h=H/K≈常数

（T/Tm）≈[1-（Rc*h/2）*（R/Rc）2]EXP[—（Z/Rc）*（Z* Rc* h）?]

1

径向—抛物线（静态热场）； 纵向—负的指数衰减曲线；

利用汉克尔函数解方程，得到马鞍形解： （1）径向—抛物线（静态热场）

马鞍形两个谷峰离得很近，拉不了大直径；加热器内壁离坩埚外壁距离越远，径向梯度越小，保温罩内壁离加热器距离越大，纵向梯度越小。

马鞍形两个谷

单晶硅太阳能电池

1. 基本 结构

2.太阳能电池片的化学清洗工艺

切片要求：①切割精度高、表面平行度高、翘曲度和厚度公差小。②断面完整性好，消除拉丝、刀痕和微裂纹。③提高成品率，缩小刀(钢丝)切缝，降低原材料损耗。④提高切割速度，实现自动化切割。 具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类：

1、有机杂质沾污： 可通过有机试剂的溶解作用，结合兆声波清洗技术来去除。

2、颗粒沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μm颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm颗粒。

3、金属离子沾污：该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面金属杂质沾污又可分为两大类： （1）、沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 （2）、带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。

1、用 H2O2作强氧化剂，使“电镀”附着到硅表面的金属离子氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。

2、用无害的小直径强正离子（如H+），一般用HCL作为H+的来源，替代吸附在硅片表面的金属离子，使其溶解于清洗液中，从而清除金属离子。 3、用大量去离子水进行超声波清洗，以排除溶液中

单晶制绒

第23卷　第3期

2002年6月

太　阳　能　学　报　　　　　　　　　　　　　Vol123,No13

ACTAENERGIAESOLARISSINICA

Jun.,2002

文章编号:025420096(2002)0320285205

单晶硅太阳电池的表面织构化

席珍强1,杨德仁1,吴　丹2,张　辉1,陈　君1

李先杭1,黄笑容3,蒋　敏3,阙端麟3

(1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027;2.,杭州3.,)

摘　要:一种新型的腐蚀剂,(342O),。在70℃下,用3%的磷酸钠(Na4、覆盖率高的绒面结构,并且其表面:,随着腐蚀时间的增加,金字塔的密度越来越大,最后达到饱和;而且,,这种饱和时间不同;如果腐蚀时间过长,金字塔的顶部就会发生崩塌,从而导致表面发射率的升高。虽然异丙醇(IPA)在氢氧化钠(NaOH)溶液中会明显地改善织构化的效果,但是在磷酸钠(Na3PO4

12H2O)溶液中却会对织构化有很强的负面效应。最后,在实验的基础上对腐蚀机理进行了深入地探讨并认为:择

--优腐蚀是金字塔形成的最基本的原因,而缺陷、PO3或HPO2和异丙醇等仅仅是促进大金字塔形成的原因。这44

种腐蚀剂的成本很低,不易污染工作环境且

2毕业设计（论文）题目

摘 要

【从这里键入摘要内容。字体和格式均不需要修改。页面格式已经设置完毕

(小四号宋体)。】

这次毕业论文，主要论述单晶硅从硅料拉制出来，形成硅棒，经过截断、开

方、磨面，滚圆形成可以切片的硅块的过程！ 硅的单晶体。具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，

是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。

用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

关键词：1拉晶，2截断，3开方，4磨面，5滚圆

页眉设置：洛阳理工学院毕业设计（论文）

页码设置：前言之前部分用I，Ⅱ，Ⅲ…编号

从前言开始用阿拉伯数字1，2，3…编号，前言为第1页

英文题目

ABSTRACT

【从这里键入英文摘要内容】

英文摘要须与中文摘要内容相对应，英文摘要约250个实词；关键词要反映

毕业设计说明书（论文）的主要内容，数量一般为3-5个。

KEY WORDS: 关键词1，关键词2，关键词3，关键词4，关键词5

目 录

前 言 ..........................................................................................

单晶硅 (其它典型半导体)的晶体结构建模与能带计算

注:本教程以Si为例进行教学，学生可计算Materials Studio库文件中的各类半导体。

一、实验目的

1、了解单晶硅的结构对称性与布里渊区结构特征； 2、了解材料的能带结构的意义和应用；

3、掌握Materials Studio建立单晶硅晶体结构的过程； 4、掌握Materials Studio计算单晶硅能带结构的方法。

二、实验原理概述 1、能带理论简介

能带理论是20世纪初期开始，在量子力学的方法确立以后，逐渐发展起来的一种研究固体内部电子状态和运动的近似理论。它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点，并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在，了解材料的能带结构是研究各种材料的物理性能的基础。

能带理论的基本出发点是认为固体中的电子不再是完全被束缚在某个原子周围，而是可以在整个固体中运动的，称之为共有化电子。但电子在运动过程中并也不像自由电子那样，完全不受任何力的作用，电子在运动过程中受到晶格原子势场和其它电子的相互作用。晶体中电子所能具有的能量范围，在物理学中往往形象化地用一条条水平横线表示电子的各个能量值。能量愈大，线的位置愈高。孤立原子的电子能级是分立和狭窄的。当原