陕西科技大学电工与电子技术试题
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武汉科技大学电子技术习题
第6章第1次 专业 学号 2009 姓名 一、填空题
1.变压器的主要功能有变换、变换和变换。 2.稳压二极管稳压工作时,是工作在其特性曲线的区。 3.稳压管是利用特性来稳压的,正向稳压。
4.在电子线路和自动控制系统中,常需要稳定的直流电压,直流稳压电源主要由、 整流 、 滤波 和 稳压 四部分电路组成。
5.电路如图1所示,二极管为理想元件,已知交流电压表V1的读数为100V,负载电阻RL=1 k ,开关S断开时直流电压表V2 =,电流表A=;开关S闭合时直流电压表V2 =,电流表A=。
图1
二、选择题
1.要得到P型杂质半导体,在本征半导体硅或锗的晶体中,应掺入少量的( A )。
A.三价元素 B.四价元素 C.五价元素 D.六价元素 2.稳压管电路如图2所示,稳压管DZ1的稳定电压UZ1 12V,DZ2的稳定电压为
。 UZ2 6V,则电压U0等于( C )
A.12 V B.20 V C.6 V D.
0 V
图2
陕西科技大学化工原理试题A
陕西科技大学 试题纸
课程 化工原理(上) A卷 班级
学号 姓名 题号 得分 阅卷人 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 一.填空、选择
1.参照下图,已知d1=2d2, u2=4 m/s, u1等于 。
A.u1=1 m/s B. u2=0.5 m/s C. u3=2 m/s d2 d1 2.长度为a, 宽度为b的矩形管道,其当量值de为 。
A. 2ab/(a+b) B.ab/(a+b) C.ab/2(a+b) 3.写出绝压、大气压与真空度之间的关系:真空度= 。 4.流体在管内流内流动时,通过任一截面上径向各点的流速并不相等,在壁面处为 ,在管中心达到 值,工程计算中采用 流速
武汉科技大学考研电子技术试题及答案05-07
武汉科技大学考研电子技术历年试题及答案,由于08年和10年文件过大,故没有上传,见谅。
武汉科技大学
2005年硕士研究生入学考试试题
课程名称: 电子技术 总页数:共4页 说明: 1、适用专业:控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。
2、可使用的常用工具:计算器、绘图工具。
3、答题内容请写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、计算题、分析题必须有解题过程,只给出答案的不给分。
一、选择填空题:(共30分,每空2分)
1、场效应管属于控制型器件,晶体三极管属于控制型器件。 A、电流; B、电感; C、电压; D、电容。 2、晶体三极管用来放大时,发射结应处于集电结应处于偏
置。
A、反向; B、90°; C、正向; D、不定。
3、 为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合,可在两者之间插
入;为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路,可在低阻输出的放大电路之后接入
华中科技大学数字电子技术基础试卷
数字电子技术基础试卷(本科)及参考答案
试卷一及其参考答案
试卷一
一、(20分)选择填空。从每个小题的四个选项中选出一个正确答案,并将其编号填入该题后的括号中。
1.十进制数3.625的二进制数和8421BCD码分别为( )
A. 11.11 和11.001 B.11.101 和0011.011000100101 C.11.01 和11.011000100101 D.11.101 和11.101 2.下列几种说法中错误的是( )
A.任何逻辑函数都可以用卡诺图表示。 B.逻辑函数的卡诺图是唯一的。 C.同一个卡诺图化简结果可能不是唯一的。 D.卡诺图中1的个数和0的个数相同。
3.和TTL电路相比,CMOS电路最突出的优点在于( ) A.可靠性高 B.抗干扰能力强
C.速度快 D.功耗低
4.为了把串行输入的数据转换为并行输出的数据,可以使用( ) A.寄存器 B.移位寄存器
C.计数器
武汉科技大学考研电子技术试题及答案05-07
武汉科技大学考研电子技术历年试题及答案,由于08年和10年文件过大,故没有上传,见谅。
武汉科技大学
2005年硕士研究生入学考试试题
课程名称: 电子技术 总页数:共4页 说明: 1、适用专业:控制理论与控制工程、模式识别与智能系统。
2、可使用的常用工具:计算器、绘图工具。
3、答题内容请写在答题纸上,写在试卷或草稿纸上一律无效。 4、计算题、分析题必须有解题过程,只给出答案的不给分。
一、选择填空题:(共30分,每空2分)
1、场效应管属于控制型器件,晶体三极管属于控制型器件。 A、电流; B、电感; C、电压; D、电容。 2、晶体三极管用来放大时,发射结应处于集电结应处于偏
置。
A、反向; B、90°; C、正向; D、不定。
3、 为了使高阻输出的放大电路与低阻负载很好地配合,可在两者之间插
入;为了将一个低阻输出的放大电路转变为高阻输出的放大电路,可在低阻输出的放大电路之后接入
西南科技大学2012模拟电子技术基础期末考试_试题
预测试卷;
西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十
O绝密启用前O
班级:___________姓名:___________学号:___________
1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分)
(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度
D.晶体缺陷
(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态
(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管
(4 )温度上升时,半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大,uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小,ICEO和uBE增大
①
-
-8V 图1
③ -2.2V
D.β、ICEO和uBE均增大
(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路
西南科技大学2012模拟电子技术基础期末考试_试题
预测试卷;
西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十
O绝密启用前O
班级:___________姓名:___________学号:___________
1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分)
(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度
D.晶体缺陷
(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态
(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管
(4 )温度上升时,半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大,uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小,ICEO和uBE增大
①
-
-8V 图1
③ -2.2V
D.β、ICEO和uBE均增大
(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路
北京信息科技大学2015届电子技术基础A卷答案
北京信息科技大学2014 ~2015学年第2学期
《电子技术基础》课程期末考试试卷A答案及评分标准
课程所在学院:适用专业班级: 考试形式:闭卷
一、单选、填空题(本题满分30分,共10题,每题3分)
1.图1中PNP晶体管的电路符号为 A 。
(A) (B) (C)
图1
2.两级放大器中,第二级的输入电阻相当第一级的 B 。 (A)输出电阻 (B)负载电阻(C)信号源内阻
3.在图2所示电路中,引入的负反馈是 C 。 (A)电压串联负反馈(B)电压并联负反馈
图2 (C)电流串联负反馈(D)电流并联负反馈
4.稳压管在正常工作时,必须在电路中串接一个限流电阻。 5.图3电路中,已知u1=3V,u2=0V,设二极管为理想二极管,则输出电压uo为 B 。 (A)0V (B)3V (C)-12V
D1 uo u1
A
u2
D2 B R F
-12V 图3
图4
6. 对于图4所示的波形, A、B为输入,F为输出,其反映的逻辑关系是 C 。
(A)异或关系 (B) 与非关系 (C) 无法判
河南科技大学电子技术习题第二章答案
第二章 集成运算放大电路及应用习题
一、填空题
1.衡量放大器的零点漂移是否严重要用 等效输入零点漂移电压 来衡量漂移的大小。
2.正弦波信号发生器发生自激振荡的条件包括 相位条件 ?A??F??2n?, 幅值条件 AUF?1 。
3.理想运算放大器的输入电阻Ri可视为① 无穷大 ,输出电阻RO可视为② 零 ,开环电压放大倍数可视为③ 无穷大 。
4. 集成运算放大器线性应用时电路分析的特点是 虚短u+=u-,虚断i+=i-=0。 5.射极输出器电路引入了 电压串联 负反馈。 二、选择题
1.下列四个信号,( A )属于差模信号。 A. +2mV,-2mV B.+4mV,-2mV C.+5mV,+1mV D.+2mV,+2mV
2.要使放大电路输出电压稳定,输入电阻提高,应在电路中选用( A )负反馈。
A.电压串联 B.电流串联 C.电压并联 D.电流并联
3.差动放大电路对差模信号的放大倍数Ad=100, 对共模信号的放大倍数Ac=0.1,则该电路的共模抑制比为( B )。 A.100 B.1000 C.20db
河南科技大学《数字电子技术B》模拟试卷2答案
数字电子技术B 模拟试卷2 参考答案 一. 单项选择填空(共 20 分,每空 2分) 1.D 2. D 3. C 4.C 5.A 6.A 7.B 8.B
二.填空判断题:(10空,每空1分) 1. 10010101 2. 0 , 2 3.√ 4.× 5. × 6. × 7. √ 8. √ 9. √ 三.完成下列各题:(8分)。
1. Y1高电平、 Y2高电平;各2分
2.=∑(0,1,2,3,4,5,6,10,12)+d(7,11,13,14,15)Y m
/Y A B C =++
卡诺图和表达式各2分
四.(8分)过程4分,图形4分。
///20210LD (AQ Q A Q Q Q )=+
A=1时,计数范围:Q 3 Q 2Q 1Q 0从0000-0101,六进
制
A=0时,计数范围:Q 3 Q 2Q 1Q 0从0000-0111,八进制
五.(8分)表达式每个1.5分,数据2分。
///
3210210
/////22210210210/////152********
/////015210210210210
D A A A