电子技术试题及答案

电子技术基础 参 考 答 案

题号 得分 一 二 三 四 得分

一、填空题（每空1分，共20分）

1、电子电路中的信号可以分为两类，一类是在时间和幅度上都是连续的信号，称为模拟信号；另一类在时间和幅度上都是离散的信号，称为_数字信号（ 脉冲信号）_______。

2、晶体二极管具有 单向导电 特性。

3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，它具有_热敏性 ，杂敏性，光敏性等特殊性质，利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。

4、共集电极放大电路又称射极输出器，它的电压放大倍数接近于 1 ，输出信号与输入信号同相，输入电阻大，输出电阻小。

5、若在放大电路中引入电压串联负反馈，则可以稳定输出 电压 ，并使输入电阻增大。

6、单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现 截止 失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。

8、逻辑函数的表示方法通常有四种，分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻辑电路图(逻辑图)和卡诺图。

9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。

10、当变量A、B

电子技术试题及答案

时间:2013-11-09

电子技术试题及答案--电子技术试卷及答案

一、填空题（每空1分，共18分）

1．PN结具有 性能，即：加 电压时PN结导通；加 电压时PN结截止。

2．晶体二极管因所加 电压过大而 ，并且出现 的现象，称为热击穿。

3．硅晶体三极管的饱和压降约为 V，锗晶体三极管的饱和压降约为 V。

4．一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 。

5．表征放大器中晶体三极管静态工作点的参数有 、 和 。

6．对于一个晶体管放大器来说，一般希望其输入电阻要 些，以减轻信号源的负担，输出电阻要 些，以增大带动负载的能力。

7．逻辑代数的三种基本运算是 、 和 。

8．放大电路必须设置合适的静态工作点，否则，输出信号可能产生 。

二、判断题（每题2分，共16分）

1．在半导体内部，只有电子是载流子。（ ）

2．晶体二极管击穿后立即烧毁。（ ）

3．无论是

电子技术基础 参 考 答 案

题号 得分 一 二 三 四 得分

一、填空题（每空1分，共20分）

1、电子电路中的信号可以分为两类，一类是在时间和幅度上都是连续的信号，称为模拟信号；另一类在时间和幅度上都是离散的信号，称为_数字信号（ 脉冲信号）_______。

2、晶体二极管具有 单向导电 特性。

3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，它具有_热敏性 ，杂敏性，光敏性等特殊性质，利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。

4、共集电极放大电路又称射极输出器，它的电压放大倍数接近于 1 ，输出信号与输入信号同相，输入电阻大，输出电阻小。

5、若在放大电路中引入电压串联负反馈，则可以稳定输出 电压 ，并使输入电阻增大。

6、单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现 截止 失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。

8、逻辑函数的表示方法通常有四种，分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻辑电路图(逻辑图)和卡诺图。

9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。

10、当变量A、B

电子技术基础 参 考 答 案

一、填空题

1、电子电路中的信号可以分为两类，一类是在时间和幅度上都是连续的信号，称为模拟信号；另一类在时间和幅度上都是离散的信号，称为_数字信号（ 脉冲信号）_______。

2、晶体二极管具有 单向导电 特性。

3、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质，它具有_热敏性 ，杂敏性，光敏性等特殊性质，利用这些性质可以制造出各种具有不同性能的半导体器件。

4、共集电极放大电路又称射极输出器，它的电压放大倍数接近于 1 ，输出信号与输入信号同相，输入电阻大，输出电阻小。

5、若在放大电路中引入电压串联负反馈，则可以稳定输出 电压 ，并使输入电阻增大。

6、单管共射极放大器，当工作点Q选择较低时，易出现 截止 失真。 7、8421BCD码10000111.0011对应的十进制数为__87.3____。

8、逻辑函数的表示方法通常有四种，分别为真值表、_逻辑函数表达式(表达式)_、逻辑电路图(逻辑图)和卡诺图。

9、常用的集成组合逻辑电路器件有编码器、译码器、__数据选择器_、数据分配器、加法器等。

10、当变量A、B、C分别为1、0、0时，(A+B+C)AB= O 。

11、TTL或非门多余输入端的处理方法

电子技术题库

《电子技术基础》题库

适用班级：2012级电钳 3、4、5、6班

备注：本学期进行到第七章；第一、二、三章是重点内容，要求掌握；第四、八章没有涉及。

一、填空题：

第一章半导体二极管

○1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体， 半导体 和绝缘体三类。 Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是 半导体 。 ○3、半导体具有 热敏特性、光敏特性、参杂的特性。 Δ4、PN结正偏时，P区接电源的 正极，N极接电源的负极。 ○5、PN结具有 单向导电 特性。

○6、二极管的P区引出端叫 正极 或阳极，N区的引出端叫负极或阴极。 Δ7、按二极管所用的材料不同，可分为 硅二极管 和锗二极管两类；

○8、按二极管用途不同，可分为普通二极管、整流二极管、 稳压二极管 、开关二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管。

★9、二极管的正向接法是 二极管正极接电源的正极 ，负极接电源的负极；反响接法相反。

1

电子技术题库

○10、硅二极管导通时的正向管压降约 0.7V ，锗二极管导通时的管压降约0.3V。 Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是 最大整流电流 ，最高反向电压和反向电流。 ★12、发光二极管将电信号转换为 光信号

电力电子技术试题

1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管 MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 、 触发脉冲前沿要陡幅值要高 和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题，解决的方法是 串专用均流电抗器。 。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为 正弦波 波，输出电流波形为 方波波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管 晶闸管、它的额定电压为 800V 伏、额定有效电流为 100A 安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂 上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂 上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 增加、 、正反向漏电流会 下降、

练习一

一、填空(16分)

1．半导体二极管的主要特性是___________ 。

2．三极管工作在放大区时，发射结为____ 偏置，集电结为_____偏置；工作在饱和区时发射结为___偏置，集电结为____偏置。

3．当输入信号频率为fL和fH时，放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍，或者是下降了__dB，此时与中频时相比，放大倍数的附加相移约为_____ 。 4．为提高放大电路输入电阻应引入___反馈；为降低放大电路输出电阻，应引入_____反馈。

5．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到_____，但这种功放有______失真。

6．在串联型稳压电路中，引入了——负反馈；为了正常稳压，调整管必须工作在____区域。 二、选择正确答案填空(24分)

1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是( )。 A．NPN 型硅管 B．NPN 型锗管 C．PNP 型硅管 D．PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图１所示，该管为( )。 A．P沟道增强型MOS管 B．P沟道结

一、填空题（29分）

1、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G接正 电压，T2接 负 电压。

I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G接 负 电压，T2接 正 电压。 Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G接正电压，T2接 负 电压。 Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接 正电压；门极G接 负电压，T2接 正 电压。 2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲）换流。

3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。 4、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管 ； 200表示表示 200A ，9表示 900V 。

5、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲；主要用于驱动 小 功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲；可以触发 大 功率的晶闸管。

6、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的大电流有效值为15A，

电力电子技术试题

1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 GTR ；可关断晶闸管 GTO ；功率场效应晶体管 Power-MOSFET ；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率 、 触发脉冲前沿要陡幅值要高 和 触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步 。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流 的问题，解决的方法是 串专用均流电抗器。 。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为 正弦波 波，输出电流波形为 方波波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向 晶闸管、它的额定电压为 800V 伏、额定有效电流为 100A 安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂 上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂 上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会 增加、 、正反向漏电流会 下降、 ；当温度升高时，晶闸管的触发电流会 下降、 、正反向漏电流会

一、填空题（29分）

1、双向晶闸管的触发方式有：I+ 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G接正 电压，T2接 负 电压。

I- 触发：第一阳极T1接 正 电压，第二阳极T2接 负 电压；门极G接 负 电压，T2接 正 电压。 Ⅲ+触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接正 电压；门极G接正电压，T2接 负 电压。 Ⅲ-触发：第一阳极T1接 负电压，第二阳极T2接 正电压；门极G接 负电压，T2接 正 电压。 2、由晶闸管构成的逆变器换流方式有 负载 换流和 强迫（脉冲）换流。

3、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为 有源 逆变器与 无源 逆变器两大类。 4、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK 快速晶闸管 ； 200表示表示 200A ，9表示 900V 。

5、单结晶体管产生的触发脉冲是 尖脉冲 脉冲；主要用于驱动 小 功率的晶闸管；锯齿波同步触发电路产生的脉冲为 强触发脉冲 脉冲；可以触发 大 功率的晶闸管。

6、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的大电流有效值为15A，