电力电子技术期末考试知识点

电力电子技术期末考试卷的答案详细,有具体步骤。

2009—2010学年第一学期期末考试卷

课程名称 电力电子技术 试卷编号 A 考试方式 闭卷 满分分值 100分 考试时间 120分钟

1. 将直流电变为交流电称为逆变。当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时， 称为 ；当交流侧直接和负载相连时，称为 。 2. PWM逆变电路根据直流侧电源性质的不同，也可分为 和 两种。目前实际应用的PWM逆变电路几乎都是 电路。

3. 三相桥式全控整流电路，若整流变压器副边电压u2 tV,带反电动

势阻感负载， 30，则整流输出平均电压Ud= 。

4. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件

分为以下三类： 、 和 。

5．电力半导体器件由于承受过电压、过电流的能力太差，所以其控制电路必须

设有 和 保护电路。

6. 晶闸管导通的条

2009—2010学年第一学期期末考试卷

课程名称 电力电子技术 试卷编号 A 考试方式 闭卷 满分分值 100分 考试时间 120分钟

题 号 得 分 得 分 评卷人 一 二 三 四 五 总 分

一、 填空题（每空1分，共26分） 1. 将直流电变为交流电称为逆变。当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时， 称为 ；当交流侧直接和负载相连时，称为 。 2. PWM逆变电路根据直流侧电源性质的不同，也可分为 和 两种。目前实际应用的PWM逆变电路几乎都是 电路。

3. 三相桥式全控整流电路，若整流变压器副边电压u2?1002sin?tV,带反电动

0 势阻感负载，??30，则整流输出平均电压Ud= 。

4. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件

分为以下三类： 、 和 。

5．电力半

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_小于__Ubo。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的

电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通，反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

《电工电子技术基础》期末考试试卷 (闭 卷)

题号 得分 评卷 一 40 二 10 三 10 四 10 五 15 六 15 七 八 总分 100 一、填空题（每空1分，共40分） 1、交流电的电流或电压在变化过程中的任一瞬间，都有确定的大小和方向，叫做交流电该时刻的 ，分别用小写字母 表示。 装 订 线 2、数字电路中只有 和 两个数码。 3、三相电源的中线一般是接地的，所以中线又称__ ___线。三相电源三相绕组的首端引出的三根导线叫做___ __线。 4、(1011)2 = ( )10。 5、电容和电阻都是电路中的基本元件，但它们在电路中所起的作用却是不同的，从能量上看，电容是_ ____元件，电阻是__ ____元件。 6、为了反映功率利用率把有功功率和视在功率的比值叫 。 7、正弦交流电的三要素是 、 和 。 8、实际电压源总有内

《电子技术基础》期末考试题

班级 姓名

题号 得分 一 二 三 总分 一、填空题（在“ ”上填上正确答案，每空1.5分，共48分）

1. 晶体二极管加一定的 电压时导通，加 电压时截止，这一导电特性称为二极管的 特性。

2. PN 结处于导通状态时电阻_______，处于截止状态时电阻_________。

3. 用万用表“R x 1K \挡测试二极管,若所测得电阻较大时,则黑笔接触的是二极管的_______极,与红管接触的是二极管的_______极。

4. 场效应管是一种_____控制器件,是_______电压来控制漏极电流。场效应管有_______场效应管和_______场效应管两大类,每类又有P沟道和_______沟道的区分。

5. 试判断下图中各三极管处于何种工作状态，并指出管型。

管型 （1）_______（2）_______（3）_______（4）_______ 工作状态 （1）_______（2）_ （3）_______（4）_______

6. Iceo称为三极管

风冈县中等职业技术学校 模拟电子技术试卷十

模拟电子技术测验 试卷十

班级：___________姓名：___________学号：___________

1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中，选出一个正确的答案，并将其序号写在题干后的( )内。每一小题２分，共２０分)

（1）杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（ ） A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度

D.晶体缺陷

(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态

(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示，该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管

① ③

D.PNP型硅管 －2V ② －2.2V (4 )温度上升时，半导体三极管的( ) －8V A.β和ICEO增大，uBE下降

图1

B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小，ICEO和uBE增大 D.β、ICEO和uBE均增大

(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中，uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.

.

. 数字电子技术基础试题（一）

一、填空题 : （每空1分，共10分）

1． (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。

2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。

3 . 三态门输出的三种状态分别为：、和。

4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。

5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。

6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器，其地址线为条、数据线为条。

二、选择题：

(选择一个正确的答案填入括号内，每题

3分，共30分 )

1.设图1中所有触发器的初始状态皆为0，找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是：（）图。

图 1

2.下列几种TTL电路中，输出端可实现线与功能的电路是（）。

A、或非门

B、与非门

.

C、异或门

D、OC门

3.对CMOS与非门电路，其多余输入端正确的处理方法是（）。

A、通过大电阻接地（>1.5KΩ）

B、悬空

C、通过小电阻接地（<1KΩ）

D、通过电阻接V CC

4.图2所示电路为由555定时器构成的（）。

A、施密特触发器

B、多谐振荡器

C、单稳态触发器

D、T触发器

5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路（）。图2

A、计数器

B、寄存器

C、译码器

D、触发器

6．下列几种A/D转换器中，转换速度最快的是（）。图2

A、并行A