模拟电子技术试卷

成都理工大学

《模拟电子技术基础》重考试卷

大题 得分 一 二 三 四 五 总 分

一、 选择填空（本大题共13小题，每小题2分，共26分） 1、处于反向偏置时，PN结的耗尽层（ ）。

（a）变宽 （b）变窄 （c）不变

2、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。

(a)正、反向电阻相等 (b)正向电阻大，反向电阻小 (c)反向电阻比正向电阻大很多倍 (d)正、反向电阻都等于无穷大

3、测得电路中工作在放大区的某晶体管三个极的电位分别为0V、0.7V和4.7V，则该管为（ ）。

(a)NPN型锗管 (b)PNP型锗管 (c)NPN型硅管 (d)PNP型硅管

4、电路如图所示，静态时晶体管处于（ ）。

RC

(a)饱和状态 (b)放大状态 (c)截止状态

?T

RB5、整流滤波电路中，电容C不变，负载电阻RL愈小，则

输出电压平均值UO应（ ）。

(a)不变 (b)愈

西南交通大学2010－2011学年第(2)学期期中试卷

课程名称 模拟电子技术

装订线

一、填空及判断题:（共42 分）

封 密 名 姓 线 订 装 封 密号 学 线 订 封装级密 班1． 已知下图所示电路中稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA，

则UO1＝ 6 V，UO2＝ 5 V。

2．工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它

的β约为 100 。

3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.3V时，输出电压为 2V；输入电压为 0.1V时，输出电压为 9V（均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为 B 。

（A．90， B．－35， C．35 ， D．30 ， E.2

1、填空题（0.5分×20=10分）

（1）N型半导体中有 2 种载流子，其中 自由电子 是多子。

（2）共集电极放大电路的信号是从基极输入，从 发射极 输出，输入与输出的相位关系是 同相 关系。

（3）场效应晶体管可以分为两大类：分别是 结型（FJFET）和 绝缘栅型（IGFET） 。

（4）集成运算放大器的输入极一般采用 差分放大电路 电路，输出级一般采用 功率放大电路电路。 （5）使输入电阻增大的是 串联 负反馈，使输出电阻减小的是 电压 负反馈。

（6）根据通带和阻带所处的频率区域不同，一般将滤波器分成4类，分别是 高通 ， 低通 ， 带通 和 带阻 。

（7）正弦波自激振荡的幅度平衡条件和相位平衡条件分别是AF=1 和 ψA+ψF=2nπ，n=0,±1,… 。 （8）乙类功率放大电路容易产生的失真称为 交越（非线性） 失真。

（9）直流稳压电路中，滤波电路的作用是 将脉动的直流电压变换为平滑的直流电压 。

（10）单相桥式整流

------金陵科技学院考试卷

金陵科技学院考试卷 07电气工程 200 7 200 8 学年 第 1 学期机电工程院(部)07 级及其自动化(本) 专业 课程 电子技术 课程编号 (A、闭)卷 姓名题号 一 二 三 学号四 五 六 七 得分八 九 十 总分 阅卷人 得分 一、选择题（每空只有一个选项正确，每题2分，共20分） 1. 设硅稳压管Dz1和Dz2的稳定电压分别为20V和15V，求图中电路的输出电压Vo。已知稳压管的正向压降为0.7V。 （ ） A、20V B、15V C、5V D、0.7V 2．二极管加正向电压时，其正向电流是由 ( ) A．多数

一、填空题（请将答案填在相应的答题线上。每空2分，共22分）

1．在本征半导体中加入 三 价元素可以形成P型半导体。

2．场效应管是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的，所以它是 电压 控型器件。 3．电路如图1-1所示，设二极管导通电压UD?0.7V，则该电路的输出电压值U? 0 V。 4．电路如图1-2所回示，则该电路输出电压uO与输入电压uI的关系为 uO???1RC?udt 。

I5．已知某共射放大电路的对数幅频特性如图1-3所示，则其中频电压放大倍数|Aum|为 100 ，电路的上限频率fH? 105 Hz。

20lg|Au|/dB?C40uID2VRA30uO20100RU

R'

100101102103104105106f/Hz

图1-1 图1-2 图1-3

6．按照滤波电路的工作频率，阻止某一频率范围的信号，频率低于此范围的信号及高于此范围的信号均能通过的滤波器称为 带阻

电力电子技术模拟试卷1

参考答案与评分标准

一、选择题（本大题共10小空，每小空1分，共10分））

1、A； 2、A； 3、A； 4、D； 5、B； 6、A； 7、A； 8、B； 9、B； 10、B

二、填空题：（每空1分，共35分）

1、单结晶体管的内部有（ 1 ）个PN结，对外引出（ 3 ）个电极。

2、电力电子开关器件：双向晶闸管，GTO，GTR，IGBT，P-MOSFET中属于电流型驱动的开关管是（双向晶闸管）、（ GTO）、（GTR）；属于电压型驱动的开关管是（IGBT ）、（P-MOSFET）。

3、三相桥式全控整流电路按规定的元件顺序编号，则相邻两晶闸管触发脉冲相位差为 60° ；同组不同相晶闸管脉冲相位差为 120°；同相不同组晶闸管脉冲相位差为 180° ；要求的触发脉冲类型为 双脉冲 ；电流连续时的晶闸管导通角θ为 120° ；一个周期内整流电压的波头数为 6 ；电阻性负载电流临界连续时的触发角α为 60°。（共7分）

4、根据载波和调制波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为（同步）调制和（异步）调制。

5、电能变换有 AC/DC变换 、 DC/AC变换 、 AC/AC变换 、

华南理工大学《电路与模拟电子技术》考试试卷 第 1 页（共 7 页）

专业： 班级： 姓名： 学号： 华南理工大学期末考试试卷

《电路与模拟电子技术》

得分 评卷 一、填空题（每小题 3 分，共 21 分）

1. 如图 1 所示，开路电压 UOC = 3Ω 5V

1A 1Ω

2Ω

UOC

2A

u i Z

。

图 1

图 2

u = 12 sin ( 2512 t + π / 6 ) V, 则频率

2. 图 2 电路中已知 i = 6 sin ( 2512 t ? π / 6 ) A,

f =

赫。负载的功率因数 cos? = = , U = , I

。

3. 电路如图所示，运算放大器的饱和电压为 ± 12V，稳压管的稳定电压为 8V，正向压降 为 0.7

V，当输入电压 ui= -0.1V 时，则输出电压 uO 等于

。

华南理工大学《电路与模拟电子技术》考试试卷 第 2 页（共 7 页）

4. 整流电路如图 3 所示，输出电压平均值U O 是 18V，若因故一只二极管损坏而断开，则 输出电压平均值U O 变为 。

+VCC

C1 D1 D2 R L D4 Rb1 + C2 +

模拟电子技术基础试卷及答案

一、填空（18分）

1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。

2．如果变压器二次(即副边)电压的有效值为10V，桥式整流后(不滤波)的输出电压为 9 V，经过电容滤波后为 12 V，二极管所承受的最大反向电压为 14 V。 3．差分放大电路，若两个输入信号uI1uI2，则输出电压，uO 0 ；若u I1=100?V，u I 2=80?V则差模输入电压uId=20?V；共模输入电压uIc=90 ?V。

4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz时，可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。

5．若三级放大电路中Au1Au2，Au3，则其总电压增益为 80 dB，折合为 104 倍。

6．乙类功率放大电路中，功放晶体管静态电流ICQ 0 、静态时的电源功耗PDC 0 。这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78.5% ，但这种功放有 交越 失真。 7．集成三端稳压器CW7915的输出

第一章

一、选择题（请选择一个最合适的答案填入括号内） 1. P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体中的多数载流子是（ ）。

A. 自由电子 B. 空穴 C. 电荷

2. 当PN结正偏时，空间电荷区中载流子的扩散运动和漂流运动相比（ ）。

A. 前者强于后者 B. 后者强于前者 C.二者平衡 3. 二极管正向导通的条件是外加电压（ ）。

A. >0 B. >死区电压 C. >击穿电压 D. <死区电压 4. 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该管（ ）。

A. 击穿 B. 电流为零 C. 电流正常 D. 电流过大使管子烧坏 5. 在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体，加入_____元素可形成P型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 D. 二价 6. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_____

A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零

7. 工作在放大区的某三极管，如果当I

《 模 拟 电 子 技 术 》 练 习

填 空

1.半导体是一种导电能力介于 ________与 ________ 之间的物质 。 2.当外界温度、光照等发生变化时，半导体的______能力会发生很大变化。

3.在半导体中，参与导电的不仅有_________，而且还有_______，这是半导体区别导体导电的重要特征 。 4.N型半导体主要靠_______导电，P型半导体主要靠______导电 。 5.PN结正向偏置是将P区接电源的______极，N区接电源的_____极 。

6.PN结加正向电压时______，加反向电压时________，这种特性称为PN结的______________________________。 7.二极管的最主要特性是__________，使用时应考虑的两个主要参数是__________和______________。 8.在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，导通后在较大电流下的正向压降约为________V，锗二极管的死区电压约为_______V，导通后在较大电流下的正向压降约为_______ V。

9.当加在二极管两端的反向电压过高时，二极管会被 ________ 。 10.用指针式万用表的两表棒分