微电子封装手册

微电子封装技术总复习

1、微电子封装技术中常用封装术语英文缩写的中文名称。 主要封装形式：

DIP 双列直插封装(Double In-line Package) QFP(J) 四边引脚扁平封装(Quad Flat Package) PGA 针栅阵列(Pin Grid Array)

PLCC 塑料有引脚片式载体(Plastic Leaded Chip Carrier) SIP系统级封装System In a Package

SOP(J) 小外形封装(Small Outline Package) SOT 小外形晶体管 SMC/D 表面安装元器件

BGA 焊球阵列（Ball Grid Array） CSP 芯片级封装CSP(Chip Size Package） MCM 多芯片组件MCM（Multi Ch

第一章 绪论

1、微电子封装技术的发展特点是什么？发展趋势怎样？ ? 特点：

（1） 微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展，引脚由四边引出向面阵排列发展。 （2） 微电子封装向表面安装式封装发展，以适合表面安装技术。 （3） 从陶瓷封装向塑料封装发展。

（4） 从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 ? 发展趋势：

（1） 微电子封装具有的I/O引脚数将更多。

（2） 微电子封装应具有更高的电性能和热性能。 （3） 微电子封装将更轻、更薄、更小。

（4） 微电子封装将更便于安装、使用和返修。 （5） 微电子封装的可靠性会更高。

（6） 微电子封装的性能价格比会更高，而成本却更低，达到物美价廉。 2、微电子封装可以分为哪三个层次（级别）？并简单说明其内容。

（1）一级微电子封装技术：用封装外壳将芯片封装成单芯片组件（SCM）和多芯片组件（MCM）。 （2）二级微电子封装技术：一级封装和其他组件一同装到印刷电路板（PWB）或其他基板上。 （3）三级微电子封装技术：将二级封装插装到母板上。 3、微电子封装有哪些功能？

(1)电源分配 (2)信号分配 (3)散热通道 (4)机械支撑 (5)环境保护 4、

五哥祝你考试成功！

微电子复习

-晶体管的发明：

1947年12月23日，Bell实验室发明，由肖克莱、巴丁和布拉顿发明。 1950年，肖克莱、帕克斯、迪尔发明NPN。

肖克莱、巴丁和布拉顿于1956年获得诺贝尔物理学奖。

-集成电路：

1952年5月，英国皇家研究所的达默提出集成电路的设想。 1958年，德州仪器的基尔比制出第一块集成电路。

按结构形式分为：单片集成电路、混合集成电路。

-摩尔定律：

书：集成电路的集成度每3年增长4倍，特征尺寸每3年缩小√2倍。

Wiki：（集成电路（IC）上可容纳的晶体管数目，约每隔24个月（1975年摩尔将

24个月更改为18个月）便会增加一倍，性能也将提升一倍，当价格不变时；或者说，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。）

瓶颈主要由封装技术来突破。（3V、TSV技术等为重点）

-单质半导体：

有硅和锗，锗是一开始使用的。

-PN结的击穿分为：

雪崩击穿和隧道击穿（齐纳击穿）。

雪崩击穿：增强的反向偏压使得大能量的电子空穴将满带电子激发到导带，而形成电隧道击穿：偏压足够高时，能带的弯曲使得一部分价带电子在能量上达到甚至超

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电子封装材料及封装技术

作者：杨冉

来源：《中国科技博览》2016年第30期

[摘 要]微组装电路组件作为电子整机的核心部件，其工作可靠性对于电子整机来说非常关键。需要对微组装电路组件进行密封，以隔绝恶劣的外部工作环境，保证其稳定性和长期可靠性，以提高电子整机的可靠性。未来的封装技术涉及圆片级封装（WLP）技术、叠层封装和系统级封装等工艺技术。新型封装材料主要包括：低温共烧陶瓷材料（LTCC）、高导热率氮化铝陶瓷材料和AlSiC金属基复合材料等 [关键词]电子封装；新型材料；技术进展

中图分类号：TN305.94 文献标识码：A 文章编号：1009-914X（2016）30-0005-01 随着现代电子信息技术的迅速发展，电子系统及设备向大规模集成化、小型化、高效率和高可靠性方向发展。电子封装正在与电子设计及制造一起，共同推动着信息化社会的发展[1]。由于电子器件和电子装置中元器件复杂性和密集性的日益提高，因此迫切需要研究和开发性能优异、可满足各种需求的新型电子封装材料。

国外通常把封装分为4级，即零级封

篇一：微电子国内排名

微电子主要有两个大方向:设计和工艺,尤其设计很缺人.

工艺应该是清华第一,北大第二.

在设计方向的排名如下:

1.复旦大学微电子系:复旦是个传统的偏文的学校,工科大多数很烂,但却出了复旦大学微电子这个怪胎.全国五大集成电路公司的老总,三个是复旦的.拥有全国最好的实验设备,最优秀的师资.其实,就学术上看,复旦微电子未必是最有成就的,但就经济成就、学以至用,复旦确是最成功的.系主任闵昊同时兼任华虹的总经理，个人资产约6亿人民币。复旦微电子历史上出过7个个人资产在1亿人民币以上的教师。你看看微电子考研的专业课科目:模拟电路、数字逻辑、模拟CMOS集成电路设计、数字集成电路、专用集成电路,很多都是别的学校研究生才上的课程.据我所知，在集成电路设计企业，刚毕业硕士的起薪，一般复旦就要比华中科技大学、浙江大学、东南大学、成电、西电高百分之五十，当然是平均水平，个体的特殊情况例外。

2.清华微电子.

3.北大微电子.

4.微电子.

5.华中科技大学

6.浙江大学

7.东南大学(指的是东南系的射光所,而东南电子工程系的微电子很烂)

8.成电

9.西电

在这九所学校中，复旦、清华应该属于第一档次；北大属于第二档次；上海交通大学属于第三档次；华中科技大学、浙江大学、

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CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY

1．画出一50cm 长的单晶硅锭距离籽晶10cm 、20cm 、30cm 、40cm 、45cm 时砷的掺杂分布。（单晶硅锭从融体中拉出时，初始的掺杂浓度为1017cm -3）

2．硅的晶格常数为5.43?．假设为一硬球模型：

(a)计算硅原子的半径。

(b)确定硅原子的浓度为多少(单位为cm -3)?

(c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。

3．假设有一l0kg 的纯硅融体，当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时，希望得到0.01 Ω·cm 的电阻率，则需要加总量是多少的硼去掺杂?

4．一直径200mm 、厚1mm 的硅晶片，含有5.41mg 的硼均匀分布在替代位置上，求： (a)硼的浓度为多少?

(b)硼原子间的平均距离。

5．用于柴可拉斯

电子元器件封装大全

1、BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写，即球栅阵列封装。20****90年代随着技术的进步，芯片集成度不断提高，I/O引脚数急剧增加，功耗也随之增大，对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要，BGA封装开始被应用于生产。

采用BGA技术封装的内存，可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍，BGA与TSOP相比，具有更小的体积，更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升，采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下，体积只有TSOP封装的三分之一；另外，与传统TSOP封装方式相比，BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。

BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率；虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能；厚度和重量都较以前的封装技术有所减少；寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高；组装可用共面焊接，可靠性高。

例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的30

电子科学与工程学院2014年硕士生复试录取工作细则

根据“东南大学2014年硕士研究生复试录取工作办法”，结合具体情况，特制定本院（ 系）2014年硕士研究生复试录取工作细则。

一、院系专业复试线

专 业 政治 外语 专业一 专业二 总分 光学工程 50 50 80 80 330 物理电子学 50 50 80 80 330 电路与系统 50 50 80 80 330 微电子学与固体电子学 50 50 80 80 330 （含中法雷恩1+1班12人）

备注：总分超过专业分数线20分以上，单科(限一门)可降2分。

*中法研究生雷恩1+1班：采用中法联合授课（其中法国雷恩大学教师来东南大学完成6门课

程英文讲授），两年半内必须修完35个学分、完成学位论文答辩等必修环节

《半导体材料》教学大纲

课程编号：MI3321036

课程名称：半导体材料 英文名称： Semiconductor Materials 学时：30 学分：2

课程类型：任选 课程性质：专业课

适用专业：微电子学 先修课程：固体物理 、半导体物理 集成电路设计与集成系统

开课学期：5 开课院系：微电子学院

一、课程的教学目标与任务

目标：半导体材料是半导体科学发展的基础。通过本课程的学习，掌握半导体材料的相关知识，为后续的相关专业课程打好基础。

任务：本课程的任务是使学生获得半导体晶体生长方面的基础理论知识，初步掌握单晶材料生长、制备方法以及常用的锗、硅、化合物半导体材料的基本性质等相关知识，

二、本课程与其它课程的联系和分工

本课程的先修课程是“固体物理”和“半导体物理”等

CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY

1．画出一50cm长的单晶硅锭距离籽晶10cm、20cm、30cm、40cm、45cm时砷的掺杂分布。（单晶硅锭从融体中拉出时，初始的掺杂浓度为1017cm-3） 2．硅的晶格常数为5.43?．假设为一硬球模型： (a)计算硅原子的半径。

(b)确定硅原子的浓度为多少(单位为cm-3)?

(c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。

3．假设有一l0kg的纯硅融体，当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时，希望得到0.01 Ω·cm的电阻率，则需要加总量是多少的硼去掺杂?

4．一直径200mm、厚1mm的硅晶片，含有5.41mg的硼均匀分布在替代位置上，求： (a)硼的浓度为多少?

(b)硼原子间的平均距离。

5．用于柴可拉斯基法的籽晶，通常先拉成一小直径(5.5mm)的狭窄颈以作为无位错生长的开始。如果硅的临界屈服强度为2×106g/cm2，试计算此籽晶可以支撑的200mm直径单晶硅锭的最大长度。

6．在利用柴可拉斯基法所生长的晶体中掺入硼原子，为何在尾端的硼原子浓度会比籽晶端的浓度高?

7．为何晶片中心的杂质浓度会比晶片周围的大?

8．对