微电子封装手册
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微电子封装技术总复习 - 图文
微电子封装技术总复习
1、微电子封装技术中常用封装术语英文缩写的中文名称。 主要封装形式:
DIP 双列直插封装(Double In-line Package) QFP(J) 四边引脚扁平封装(Quad Flat Package) PGA 针栅阵列(Pin Grid Array)
PLCC 塑料有引脚片式载体(Plastic Leaded Chip Carrier) SIP系统级封装System In a Package
SOP(J) 小外形封装(Small Outline Package) SOT 小外形晶体管 SMC/D 表面安装元器件
BGA 焊球阵列(Ball Grid Array) CSP 芯片级封装CSP(Chip Size Package) MCM 多芯片组件MCM(Multi Ch
微电子封装考纲-打死不改版2.0
第一章 绪论
1、微电子封装技术的发展特点是什么?发展趋势怎样? ? 特点:
(1) 微电子封装向高密度和高I/O引脚数发展,引脚由四边引出向面阵排列发展。 (2) 微电子封装向表面安装式封装发展,以适合表面安装技术。 (3) 从陶瓷封装向塑料封装发展。
(4) 从注重发展IC芯片向先发展后道封装再发展芯片转移。 ? 发展趋势:
(1) 微电子封装具有的I/O引脚数将更多。
(2) 微电子封装应具有更高的电性能和热性能。 (3) 微电子封装将更轻、更薄、更小。
(4) 微电子封装将更便于安装、使用和返修。 (5) 微电子封装的可靠性会更高。
(6) 微电子封装的性能价格比会更高,而成本却更低,达到物美价廉。 2、微电子封装可以分为哪三个层次(级别)?并简单说明其内容。
(1)一级微电子封装技术:用封装外壳将芯片封装成单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)。 (2)二级微电子封装技术:一级封装和其他组件一同装到印刷电路板(PWB)或其他基板上。 (3)三级微电子封装技术:将二级封装插装到母板上。 3、微电子封装有哪些功能?
(1)电源分配 (2)信号分配 (3)散热通道 (4)机械支撑 (5)环境保护 4、
微电子复习
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微电子复习
-晶体管的发明:
1947年12月23日,Bell实验室发明,由肖克莱、巴丁和布拉顿发明。 1950年,肖克莱、帕克斯、迪尔发明NPN。
肖克莱、巴丁和布拉顿于1956年获得诺贝尔物理学奖。
-集成电路:
1952年5月,英国皇家研究所的达默提出集成电路的设想。 1958年,德州仪器的基尔比制出第一块集成电路。
按结构形式分为:单片集成电路、混合集成电路。
-摩尔定律:
书:集成电路的集成度每3年增长4倍,特征尺寸每3年缩小√2倍。
Wiki:(集成电路(IC)上可容纳的晶体管数目,约每隔24个月(1975年摩尔将
24个月更改为18个月)便会增加一倍,性能也将提升一倍,当价格不变时;或者说,每一美元所能买到的电脑性能,将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。)
瓶颈主要由封装技术来突破。(3V、TSV技术等为重点)
-单质半导体:
有硅和锗,锗是一开始使用的。
-PN结的击穿分为:
雪崩击穿和隧道击穿(齐纳击穿)。
雪崩击穿:增强的反向偏压使得大能量的电子空穴将满带电子激发到导带,而形成电隧道击穿:偏压足够高时,能带的弯曲使得一部分价带电子在能量上达到甚至超
电子封装材料及封装技术
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电子封装材料及封装技术
作者:杨冉
来源:《中国科技博览》2016年第30期
[摘 要]微组装电路组件作为电子整机的核心部件,其工作可靠性对于电子整机来说非常关键。需要对微组装电路组件进行密封,以隔绝恶劣的外部工作环境,保证其稳定性和长期可靠性,以提高电子整机的可靠性。未来的封装技术涉及圆片级封装(WLP)技术、叠层封装和系统级封装等工艺技术。新型封装材料主要包括:低温共烧陶瓷材料(LTCC)、高导热率氮化铝陶瓷材料和AlSiC金属基复合材料等 [关键词]电子封装;新型材料;技术进展
中图分类号:TN305.94 文献标识码:A 文章编号:1009-914X(2016)30-0005-01 随着现代电子信息技术的迅速发展,电子系统及设备向大规模集成化、小型化、高效率和高可靠性方向发展。电子封装正在与电子设计及制造一起,共同推动着信息化社会的发展[1]。由于电子器件和电子装置中元器件复杂性和密集性的日益提高,因此迫切需要研究和开发性能优异、可满足各种需求的新型电子封装材料。
国外通常把封装分为4级,即零级封
微电子学
篇一:微电子国内排名
微电子主要有两个大方向:设计和工艺,尤其设计很缺人.
工艺应该是清华第一,北大第二.
在设计方向的排名如下:
1.复旦大学微电子系:复旦是个传统的偏文的学校,工科大多数很烂,但却出了复旦大学微电子这个怪胎.全国五大集成电路公司的老总,三个是复旦的.拥有全国最好的实验设备,最优秀的师资.其实,就学术上看,复旦微电子未必是最有成就的,但就经济成就、学以至用,复旦确是最成功的.系主任闵昊同时兼任华虹的总经理,个人资产约6亿人民币。复旦微电子历史上出过7个个人资产在1亿人民币以上的教师。你看看微电子考研的专业课科目:模拟电路、数字逻辑、模拟CMOS集成电路设计、数字集成电路、专用集成电路,很多都是别的学校研究生才上的课程.据我所知,在集成电路设计企业,刚毕业硕士的起薪,一般复旦就要比华中科技大学、浙江大学、东南大学、成电、西电高百分之五十,当然是平均水平,个体的特殊情况例外。
2.清华微电子.
3.北大微电子.
4.微电子.
5.华中科技大学
6.浙江大学
7.东南大学(指的是东南系的射光所,而东南电子工程系的微电子很烂)
8.成电
9.西电
在这九所学校中,复旦、清华应该属于第一档次;北大属于第二档次;上海交通大学属于第三档次;华中科技大学、浙江大学、
微电子工艺习题解答
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CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY
1.画出一50cm 长的单晶硅锭距离籽晶10cm 、20cm 、30cm 、40cm 、45cm 时砷的掺杂分布。(单晶硅锭从融体中拉出时,初始的掺杂浓度为1017cm -3)
2.硅的晶格常数为5.43?.假设为一硬球模型:
(a)计算硅原子的半径。
(b)确定硅原子的浓度为多少(单位为cm -3)?
(c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。
3.假设有一l0kg 的纯硅融体,当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时,希望得到0.01 Ω·cm 的电阻率,则需要加总量是多少的硼去掺杂?
4.一直径200mm 、厚1mm 的硅晶片,含有5.41mg 的硼均匀分布在替代位置上,求: (a)硼的浓度为多少?
(b)硼原子间的平均距离。
5.用于柴可拉斯
电子元器件封装大全
电子元器件封装大全
1、BGA是英文Ball Grid Array Package的缩写,即球栅阵列封装。20****90年代随着技术的进步,芯片集成度不断提高,I/O引脚数急剧增加,功耗也随之增大,对集成电路封装的要求也更加严格。为了满足发展的需要,BGA封装开始被应用于生产。
采用BGA技术封装的内存,可以使内存在体积不变的情况下内存容量提高两到三倍,BGA与TSOP相比,具有更小的体积,更好的散热性能和电性能。BGA封装技术使每平方英寸的存储量有了很大提升,采用BGA封装技术的内存产品在相同容量下,体积只有TSOP封装的三分之一;另外,与传统TSOP封装方式相比,BGA封装方式有更加快速和有效的散热途径。
BGA封装的I/O端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面,BGA技术的优点是I/O引脚数虽然增加了,但引脚间距并没有减小反而增加了,从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加,但BGA能用可控塌陷芯片法焊接,从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小,信号传输延迟小,使用频率大大提高;组装可用共面焊接,可靠性高。
例如,引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方;而引脚中心距为0.5mm的30
电子科学与技术学院(微电子)
电子科学与工程学院2014年硕士生复试录取工作细则
根据“东南大学2014年硕士研究生复试录取工作办法”,结合具体情况,特制定本院( 系)2014年硕士研究生复试录取工作细则。
一、院系专业复试线
专 业 政治 外语 专业一 专业二 总分 光学工程 50 50 80 80 330 物理电子学 50 50 80 80 330 电路与系统 50 50 80 80 330 微电子学与固体电子学 50 50 80 80 330 (含中法雷恩1+1班12人)
备注:总分超过专业分数线20分以上,单科(限一门)可降2分。
*中法研究生雷恩1+1班:采用中法联合授课(其中法国雷恩大学教师来东南大学完成6门课
程英文讲授),两年半内必须修完35个学分、完成学位论文答辩等必修环节
半导体材料教学大纲-微电子学院微电子试验教学中心
《半导体材料》教学大纲
课程编号:MI3321036
课程名称:半导体材料 英文名称: Semiconductor Materials 学时:30 学分:2
课程类型:任选 课程性质:专业课
适用专业:微电子学 先修课程:固体物理 、半导体物理 集成电路设计与集成系统
开课学期:5 开课院系:微电子学院
一、课程的教学目标与任务
目标:半导体材料是半导体科学发展的基础。通过本课程的学习,掌握半导体材料的相关知识,为后续的相关专业课程打好基础。
任务:本课程的任务是使学生获得半导体晶体生长方面的基础理论知识,初步掌握单晶材料生长、制备方法以及常用的锗、硅、化合物半导体材料的基本性质等相关知识,
二、本课程与其它课程的联系和分工
本课程的先修课程是“固体物理”和“半导体物理”等
微电子工艺习题参考解答
CRYSTAL GROWTH AND EXPITAXY
1.画出一50cm长的单晶硅锭距离籽晶10cm、20cm、30cm、40cm、45cm时砷的掺杂分布。(单晶硅锭从融体中拉出时,初始的掺杂浓度为1017cm-3) 2.硅的晶格常数为5.43?.假设为一硬球模型: (a)计算硅原子的半径。
(b)确定硅原子的浓度为多少(单位为cm-3)?
(c)利用阿伏伽德罗(Avogadro)常数求出硅的密度。
3.假设有一l0kg的纯硅融体,当硼掺杂的单晶硅锭生长到一半时,希望得到0.01 Ω·cm的电阻率,则需要加总量是多少的硼去掺杂?
4.一直径200mm、厚1mm的硅晶片,含有5.41mg的硼均匀分布在替代位置上,求: (a)硼的浓度为多少?
(b)硼原子间的平均距离。
5.用于柴可拉斯基法的籽晶,通常先拉成一小直径(5.5mm)的狭窄颈以作为无位错生长的开始。如果硅的临界屈服强度为2×106g/cm2,试计算此籽晶可以支撑的200mm直径单晶硅锭的最大长度。
6.在利用柴可拉斯基法所生长的晶体中掺入硼原子,为何在尾端的硼原子浓度会比籽晶端的浓度高?
7.为何晶片中心的杂质浓度会比晶片周围的大?
8.对