IR2183STRPBF

Features

?Fully operational to +600V

dV/dt immune

????????

Also available LEAD-FREE (PbF)

e1b9bf2233687e21ae45a95e 1

IR2183(4)(S ) & (PbF )

Data Sheet No. PD60173 rev.H

Description

The IR2183(4)(S) are high voltage,

high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low

side referenced output channels. Pro-prietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable rugge-dized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V

logic. The output drivers feature a high pulse

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IR Experiments with LemurNancy McCracken October 21, 2004 Adapted from a presentation in IST 657 Lemur assistance: Shuyuan Mary Ho IR model slides: Liz Liddy and Anne Diekema Example experiment: Sijo Cherian

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Outline Overview of Lemur project goals and capabilities Standard IR experiments made possible by TREC Steps for IR using Lemur–––– Document preparation and indexing Query preparations Retrieval using several models Other applications

Evaluation for TREC exper

驱动芯片IR2110功能简介

驱动芯片IR2110功能简介

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正文

在功率变换装置中，根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。

IR2110引脚功能及特点简介

内部功能如图4.18所示:

LO（引脚1）:低端输出

COM（引脚2）:公共端

Vcc（引脚3）:低端固定电源电压

Nc（引脚4）: 空端

Vs（引脚5）:高端浮置电源偏移电压

VB (引脚6):高端浮置电源电压

HO（引脚7）:高端输出

Nc（引脚8）: 空端

VDD（引脚9）:逻辑电源电压

HIN（引脚10）: 逻辑高端输入

SD（引脚11）:关断

LIN（引脚12）:逻辑低端输入

Vss（引脚13）:逻辑电路地电位端，其值可以为0V

Nc（引脚14）:空端

驱动芯片IR2110功能简介

IR2110的特点：

（1）具有独立的低端和高端输入通道。

（2）悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V。

（3）输出的电源端（脚3）的电压范围为10—20V。

（4）逻辑电源的输入范围（脚9）5—15V，可方便的与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率电源地之间允许有 V的便移

GMAT新题型 IR题,外面流传50道,这个是史上最全的

博森内部教材

GMAT新题型 Integrated Reasoning

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OG13 - 1 ....................................................................................................................................................... 5  OG13 - 2 ....................................................................................................................................................... 6  OG13 - 3 ......................................................................................

基于IR2153半桥串联谐振的高压钠灯研究

××学院 ××专业 学号： ×× 姓名： ××

【摘要】本文介绍了一种基于IR2153的半桥串联谐振的高压钠灯研究，进行了IR2153半桥驱动MOS管的相关实验。文章简单分析了整个主电路拓扑结构及主板工作原理,着重论述了IR2153半桥串联谐振的相关研究，其中包括了IR2153半桥控制电路，谐振电路设计，变压器的制作，防止声共振现象等。此方案具有性能稳定、功率因数高、实用性强等特点。

【关键词】高压钠灯；IR2153；串联谐振；变压器制作；

Half-bridge series-resonant research of HPS Lamps based on IR2153

Quanzhou Normal University College of Physics and Information Engineering 09 Physics 090302052 Hongzhizhong Inst

基于IR2153半桥串联谐振的高压钠灯研究

××学院 ××专业 学号： ×× 姓名： ××

【摘要】本文介绍了一种基于IR2153的半桥串联谐振的高压钠灯研究，进行了IR2153半桥驱动MOS管的相关实验。文章简单分析了整个主电路拓扑结构及主板工作原理,着重论述了IR2153半桥串联谐振的相关研究，其中包括了IR2153半桥控制电路，谐振电路设计，变压器的制作，防止声共振现象等。此方案具有性能稳定、功率因数高、实用性强等特点。

【关键词】高压钠灯；IR2153；串联谐振；变压器制作；

Half-bridge series-resonant research of HPS Lamps based on IR2153

Quanzhou Normal University College of Physics and Information Engineering 09 Physics 090302052 Hongzhizhong Inst

基于IR2153半桥串联谐振的高压钠灯研究

××学院 ××专业 学号： ×× 姓名： ××

【摘要】本文介绍了一种基于IR2153的半桥串联谐振的高压钠灯研究，进行了IR2153半桥驱动MOS管的相关实验。文章简单分析了整个主电路拓扑结构及主板工作原理,着重论述了IR2153半桥串联谐振的相关研究，其中包括了IR2153半桥控制电路，谐振电路设计，变压器的制作，防止声共振现象等。此方案具有性能稳定、功率因数高、实用性强等特点。

【关键词】高压钠灯；IR2153；串联谐振；变压器制作；

Half-bridge series-resonant research of HPS Lamps based on IR2153

Quanzhou Normal University College of Physics and Information Engineering 09 Physics 090302052 Hongzhizhong Inst

基于IR2153半桥串联谐振的高压钠灯研究

××学院 ××专业 学号： ×× 姓名： ××

【摘要】本文介绍了一种基于IR2153的半桥串联谐振的高压钠灯研究，进行了IR2153半桥驱动MOS管的相关实验。文章简单分析了整个主电路拓扑结构及主板工作原理,着重论述了IR2153半桥串联谐振的相关研究，其中包括了IR2153半桥控制电路，谐振电路设计，变压器的制作，防止声共振现象等。此方案具有性能稳定、功率因数高、实用性强等特点。

【关键词】高压钠灯；IR2153；串联谐振；变压器制作；

Half-bridge series-resonant research of HPS Lamps based on IR2153

Quanzhou Normal University College of Physics and Information Engineering 09 Physics 090302052 Hongzhizhong Inst

IR2110驱动MOS IGBT组成H桥原理与驱动电路分析

3.3 电机驱动模块设计 3.3.1 H桥工作原理及驱动分析

要控制电机的正反转，需要给电机提供正反向电压，这就需要四路开关去控制电机两个输入端的电压。H桥驱动原理等效原理图图如图3-5所示，当开关S1和S3闭合时，电流从电机左端流向电机的右端，设此时的旋转方向为正向；当开关S2和S4闭合时，电流从电机右端流向电机左端，电机沿反方向旋转。 S1S4MotorS2S3GNDM 图3-5 H桥驱动原理等效电路图 常用可以作为H桥的电子开关器件有继电器，三极管，MOS管，IGBT管等。普通继电器属机械器件，开关次数有限，开关频率上限一般在30HZ左右，而且继电器内部为感性负载，对电路的干扰比较大，但继电器可以把控制部分与被控制部分分开，实现由小信号控制大信号，所以高压控制中一般会用到继电器。三极管属于电流驱动型器件，设基极电流为IB，集电极电流为IC，三极管的放大系数为β，电源电压VCC，集电极偏置电阻RC ，如果IB*β>=IC, 则三极管处于饱和状态，可以当作开关使用，集电极饱和电流IC =VCC/RC ，由此可见集电极的输出电流受到RC的限制，不适合应用于电流要求较高的场合。MOS管

IR降消除技术在塔里木油田长输管道上的应用研

第一章 IR降的产生及危害

1.1 IR降的产生

所谓 IR 降系指电流在介质中流动所形成的电阻压降, 给电位测量结果造成误差, 通常都在几十mV 到几百mV 之间, 当电阻率很高时几千mV 也会出现。

由于IR降在阴极保护电位测量中难以避免，所以消除IR降的测量技术就成了各国腐蚀专家的首要任务，二十世纪七、八十年代IR降问题曾引起国际腐蚀界关于阴极保护准则的大讨论，最终以NACE RP 0169－92的修订而告终。针对新的准则制订了测试方法标准 NACE TM 0497 和NACE TM 0101。在这些标准中,都对测量中的 IR降加以限定,一般条件下可用断电法,对于有干扰存在时就必须使用试片或探头断电法。

1.2 IR降的定性分析

在不存在接地保护装置牺牲阳极系统及杂散电流影响的管段

IR降消除技术在塔里木油田长输管道上的应用研究 IR降U=IR

其中I为流过土壤中的阴极保护电流，R为该段土壤的电阻。 h代表管道的埋深，s代表参比跟地面的接触面积。 I=i*s,其中i代表管道阴极保护的电流密度； R=p*h/s，其中ρ代表土壤电阻率，h代表管道埋深； 则U=i*ρ*h。

U的大小只