dvd激光二极管多大功率

第9卷第1期2001年2月

================================================================文章编号

1004-924X(2001D01-0006-04

光学精密工程

0PTICSANDPRECISI0NENGINEERING

Vol.9 No.1

Feb. 2001

大功率二极管泵浦固体激光器的应用和发展

郑权1 赵岭2 钱龙生1

(1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 吉林长春130022D

(2.中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800D

摘要:从二极管泵浦固体激光器(DPSSLD的优势出发 指出了DPSSL向大功率方向发展并在某些领域取代其他类型激光器的趋势;概括介绍了大功率DPSSL的诸多应用领域和广阔的市场前景;并深入分析了实现大功率DPSSL输出的几种成功方案;指出了国内及早进行大功率DPSSL研究的紧迫性0关键词:二极管泵浦;固体激光器;大功率中图分类号:TN248.34

文献标识码:A

发射波长 使其峰值发射波长与激活粒子的吸收

1

引言

带理想地匹配 因而泵浦效率比灯泵浦高许多0一般来说 LD/LDA的电光转换效率为30-50% 至Nd:YAG上的光光转换效率为40%左右0这

第9卷第1期2001年2月

================================================================文章编号

1004-924X(2001D01-0006-04

光学精密工程

0PTICSANDPRECISI0NENGINEERING

Vol.9 No.1

Feb. 2001

大功率二极管泵浦固体激光器的应用和发展

郑权1 赵岭2 钱龙生1

(1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 吉林长春130022D

(2.中国科学院上海光学精密机械研究所 上海201800D

摘要:从二极管泵浦固体激光器(DPSSLD的优势出发 指出了DPSSL向大功率方向发展并在某些领域取代其他类型激光器的趋势;概括介绍了大功率DPSSL的诸多应用领域和广阔的市场前景;并深入分析了实现大功率DPSSL输出的几种成功方案;指出了国内及早进行大功率DPSSL研究的紧迫性0关键词:二极管泵浦;固体激光器;大功率中图分类号:TN248.34

文献标识码:A

发射波长 使其峰值发射波长与激活粒子的吸收

1

引言

带理想地匹配 因而泵浦效率比灯泵浦高许多0一般来说 LD/LDA的电光转换效率为30-50% 至Nd:YAG上的光光转换效率为40%左右0这

不亦心分享的电源论文系列均来至于网络,不亦心所做的仅仅是收集并与更多的网友分享,仅此而已。。。

维普资讯htt://pww.cwqipvco.m第 41卷第期29 007年 9月

电力电 子技P术 oErcrlnis we e t c o Vo .1 4 1No.. 9Se t epbm r 20 e,07 SC肖特二极管在大基功率P C中应用的 i孔庆F刚一，金立军( .兰兰闩子制电有造限公司，海上1梅 211;.大，学卜0 3 92济同海20 3 )0 13摘要 源：功率 因校数正 cv o e( at o e tn简称 FA )大 率电源功应用的‘关键技术分。析 A订 e P rwc rrc i, t F oC r io P是 C项了 B o tF os C电路P中半导体件的器开关损耗以 S及肖特基 C二极的工作特管性 SC。肖特二基极管可以效有降低 开 ii二关损 .并耗订助于人功率 A电F路实现高频率 用。应在 台 3一k的样机上，利用CS肖摹二极特管实丁现PC . W 6 i l0 H的开关 频率【, 5 kz 作关键词：率 数/功开关损耗 i;特肖基二极管 S中图C分类 :M号74 3 1T -文献标识码： A

不亦心分享的电源论文系列均来至于网络,不亦心所做的仅仅是收集并与更多的网友分享,仅此而已。。。

维普资讯htt://pww.cwqipvco.m第 41卷第期29 007年 9月

电力电 子技P术 oErcrlnis we e t c o Vo .1 4 1No.. 9Se t epbm r 20 e,07 SC肖特二极管在大基功率P C中应用的 i孔庆F刚一，金立军( .兰兰闩子制电有造限公司，海上1梅 211;.大，学卜0 3 92济同海20 3 )0 13摘要 源：功率 因校数正 cv o e( at o e tn简称 FA )大 率电源功应用的‘关键技术分。析 A订 e P rwc rrc i, t F oC r io P是 C项了 B o tF os C电路P中半导体件的器开关损耗以 S及肖特基 C二极的工作特管性 SC。肖特二基极管可以效有降低 开 ii二关损 .并耗订助于人功率 A电F路实现高频率 用。应在 台 3一k的样机上，利用CS肖摹二极特管实丁现PC . W 6 i l0 H的开关 频率【, 5 kz 作关键词：率 数/功开关损耗 i;特肖基二极管 S中图C分类 :M号74 3 1T -文献标识码： A

主要概述了二极管阵列条的纵向及有源区的选择方案,讨论了如何解决高功率激光二极管阵列的散热问题及其组装技术,详细介绍了阵列条的光电特性以及迭阵光耦合.研究表明,高功率激光二极管具有高功率,小尺寸,高可靠性,全固态,操作方便等优点.随着输出功率及光束质量的提高,它将在不同领域得到广泛

第!"卷第!期吉林大学学报#信息科学版$

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王乐>E !E 曹玉莲!E 刘云!E 王立军!

#><吉林大学电子科学与工程学院E 吉林长春>F ""!F G

!<长春光学精密机械与物理研究所E 中国科学院激发态物理开放研究实验室E 吉林长春

>F ""!>$摘要=主要概述了二极管阵列条的纵向及有源区的选择方案E 讨论了如何解决

激光二极管的特性

1、伏安特性

半导体激光器是半导体二极管，具有单向导电性，其伏安特性与二极管相同。反向电阻大于正向电阻，可以通过用万用表测正反向电阻确定半导体激光二极管的极性及检查它的PN结好坏。但在测量时必须用1k以下的档，用大量程档时，激光器二极管的电流太大，容易烧坏。

2、P—I特性

激光二极管的出射光功率P与注入电流I的关系曲线称为P-I曲线。

注入电流小于阈值电流Ith时，激光器的输出功率P很小，为自发辐射的荧光，荧光的输出功率随注入电流的增加而缓慢增加。

注入电流大于Ith时，输出功率P随注入电流的增加而急剧增加，这时P—I曲线基本上

是线性的。当I再增大时，P—I曲线开始弯曲呈非线性，这是由于随着注入电流的增大，使结温上升，导致P增加的速度减慢。

判断阈值电流的方法：在P—I特性曲线中，激光输出段曲线的向下延长线与电流轴的交点为激光二极管的阈值电流。

3、光谱特性

激光二极管的发射光谱由两个因素决定：谐振腔的参数，有源介质的增益曲线。

腔长L确定纵模间隔，宽W和高H决定横模性质。如果W和H

足够小，将只有单横模TEM00存在。

多模激光二极管在其中心波长附近呈现出多个峰值的光谱输出。单纵模激光器只有一个峰值。

工作在阈

第’*卷第(期

激光技术

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文章编号：!""!#$%"&（’""$）"(#"$)*#")

激光二极管光束整形技术

郭明秀!沈冠群’陆雨田!

（!中国科学院上海光学精密机械研究所，上海，’"!%""）

（’上海市激光技术所，上海，’""’$$）

摘要：阐述了对+,输出光束进行整形的必要性。在国内首次对目前常用的一些典型的光束整形技术的整形原理、关键技术及整形效果进行了分析、比较和评价。

关键词：激光二极管；激光二极管阵列；光束整形；拉格朗日不变量中图分类号：-.’(%/(

文献标识码：0

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（!1234

习题６

基础知识部分：

6.1 选择题

1．用万用表R×1K电阻档测某一个二极管时，发现其正、反电阻均近于1000ＫΩ，这说明该二极管（ ）

A、短路 B、 完好 C、 开路 D、无法判断

答案：C

2.二极管反偏时，以下说法正确的是（ ）

A、在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流；

B、在达到死区电压之前，反向电流很小；

C、二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关。

答案：A

3.图示电路，二极管导通时压降为0.7V，反偏时电阻为∞，则以下说法正确的是（

A、VD导通，UAO=5.3V； B、VD导通，UAO=—5.3V；

C、VD导通，UAO=—6V； D、VD导通，UAO=6V；

）。

E、VD截止，UAO=—9V。

答案：C

4.下列电路中变压器二次电压均相同，负载电阻及滤波电容均相等，二极管承受反向电压最低的是( )，负载电流最小的是（ ）。

A.半波整流电容滤波电路 B.全波整流电容滤波电路

C.桥式整流电容滤波电路

答案：C A

5. 图示电路，若变压器二次电压为10V，现测得输出电压为14.1V，则说明( )。若测得输出电压为

第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。

2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。 3、（1-1，低）利用二极管的 ，可将交流电变成 。

4、（1-1，低）根据二极管的 性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是 。 6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为 ，锗二极管的工作电压为 。 7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越 ，表明二极管的单向导电性能越好。

8、（1-1，低）杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有 、 ，此外还有 、 、 等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为

第一章 整流滤波电路

一、填空题

1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。

2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压 。 3、（1-1，低）利用二极管的 ，可将交流电变成 。

4、（1-1，低）根据二极管的 性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越 越好。

5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是 。 6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为 ，锗二极管的工作电压为 。 7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越 ，表明二极管的单向导电性能越好。

8、（1-1，低）杂质半导体分 型半导体和 型半导体两大类。

9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有 、 ，此外还有 、 、 等参数，选用二极管的时候也应注意。

10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为