医学电子学基础第4版

题 答 号要 学 不 内 线 名封 姓 密 级班海南医学院试题

（2012-2013 学年 第1学期 期末）

考试课程：医学电子学基础 考试年级：11影像 考试类型： 考查（开卷） 考试时间：120分钟 卷面总分：100分

一、选择题（每空2分，共24分） 1 N型半导体中多子是（ ），P型半导体中多子时（ ） A 电子 B空穴 C正离子

2 根据某只晶体管的各极对地电压分别是VB = -6.3v，VE = -7v，VC = -4v，可以判定此晶体管是（ ）管，处于（ ）

A NPN管，饱和区 B PNP管， 放大区 C PNP管，截止区 D NPN管， 放大区 3、共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（ ）

A、饱和失真 B、截止失真 C、交越失真 4、集成

习题一

E?2.5V，R1?1k?，R2?2k?，

1-1．在题图1-1的电路中，E1?6V，E2?4.5V，3R3?5k?。电源的内阻忽略不计，求通过电阻，R1，R2，R3的电流。

解：利用基尔霍夫定律来解

(1)找节点。共有a、b、c、d四个节点可以列三个独立电流方程

E1I1AdR1bI?I2?I3????（1） 对于a:1对于b:对于c:

I2?I4?I5????（2） I3?I5?I6?0????（3）

aI3I2E2I4R2I6CR3E3BI5c(2)找网孔，有三个网孔，列三个独立的回路电压方程， 对于A网孔取顺时针的绕行方向：

?E1?I4R1?E2?0??（4）

对于B网孔取顺时针的绕行方向：

?E2?I5R2?E3?0??（5）

对于C网孔取顺时针的绕行方向：

?I4R1?I6R3?I5R2?0??（6）

解（1）－（6）构成的方程组得到

I4?1.5mA、I5?1mA、I6?0.7mA

1-2 用戴维南定律和诺顿定理分别求题图1-2中

R3的电流。电流参数如图所示。

R0则等于此二

解：（1）戴维南定理指出：任何一个含源线性二端网络都可以等效成一个理想电压源和内阻串联的电源。等效电源的电动势E等于该含源二端网络的开路电压，而内阻

成教医学影像本科《医用电子学》自学习题

一、填空题 （85题）

1. 电流的定义是___________________________________________________。电压是

______________________________。

2. ___________________________________________________称为电路。

3. 基尔霍夫定律中的电流定律是针对电路的__________来分析，而电压定律是针对

_________________来分析的。（节点，回路）

4. 基尔霍夫第二定律又称为___________定律.它必须遵守_____________守恒定律。 5. 受控电源按受控参数以及电源性质不同,可分为四种类型.它们是____________

源,________________源,__________________源和_______________________源。 6. 根据负载RL从电源中获得最大功率时RL=_______________,PL=_____________ 7. 电路过渡过程中，在换路的瞬间，电路要遵守的换路定律是

________________,____

医学电子学总复习

一、判断题：

1、一个PN结构成一只二极管，两个PN结构成一只三极管，两只二极管也能联成一只三极管使用。（ 错 ）

2、利用PN结的反向击穿特性可以实现稳压，因此把一只整流二极管反向连接使用也可以达到稳压目的。（ 错 ）

3、N沟道结型场效应管是单极型器件，然而PNP型三极管是双极型器件。（ 对 ） 4、负反馈能够改善放大器的稳定性，非线性失真、通频带宽度，并提高电压放大倍数。（ 错 ）

5、求放大电路交流通路的方法是：

（1）直流电源短路（ 对 ） （2）直流电源开路（ 错 ） （3）电容器短路（ 对 ） （4）电容器开路（ 错 ） （5）交流电源短路（ 错 ） （6）电感短路（ 错 ） 6、场效应管具有如下性质：

（1）电压控制器件（ 对 ） （2）单极型半导体器件（ 对 ） （3）可以象三极管一样构成共源、共栅和共漏基本放大电路（ 对 ） （4）放大参数是跨导gm（ 对 ）

7、三极管是电流控制元件，而场效应管是电压控制元件。（

成教医学影像本科《医用电子学》自学习题

一、填空题 （85题）

1. 电流的定义是___________________________________________________。电压是

______________________________。

2. ___________________________________________________称为电路。

3. 基尔霍夫定律中的电流定律是针对电路的__________来分析，而电压定律是针对

_________________来分析的。（节点，回路）

4. 基尔霍夫第二定律又称为___________定律.它必须遵守_____________守恒定律。 5. 受控电源按受控参数以及电源性质不同,可分为四种类型.它们是____________

源,________________源,__________________源和_______________________源。 6. 根据负载RL从电源中获得最大功率时RL=_______________,PL=_____________ 7. 电路过渡过程中，在换路的瞬间，电路要遵守的换路定律是

________________,____

影像电子学基础复习题

一、名词解释：

1、支路：不含分支的一段电路（至少包含一个元件) 2、节点:三条或三条以上支路的连接点

3、闭合电路欧姆定律：闭合电路的电流跟电源的电动势成正比，跟内、外电路的电阻 之和成反比。公式为I=E/(R+r)，I表示电路中电流，E表示 电动势，R表示外总电阻，r表示电池内阻。

4、部分电路欧姆定律：导体中的电流跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻成反比, 公式：I=U/R??

5、等效变换：在电路分析计算时，有时可以将电路某一部分用一个简单的电路代替，使电路得以简化。

6、基尔霍夫电流定律：电路中任一个节点上，在任一时刻，流入节点的电流之和等于流出节点的电流之和。

7、基尔霍夫电压定律：在任何一个闭合回路中，从一点出发绕回路一周回到该点时，各段电压的代数和恒等于零，即∑U=0。

8、正弦交流电:电压与电流大小和方向随时间按照正弦函数规律变化。 9、直流电：大小和方向随时间周期性变化的电压和电流

二、填空题：

1、沿任何闭合回路绕行一周时，回路中各电阻的 电压降 的代数和等于回路．中各电源的 电动势

影像电子学基础复习题

影像电子学基础复习题

一、名词解释：

1、支路：不含分支的一段电路（至少包含一个元件)

2、节点:三条或三条以上支路的连接点

3、闭合电路欧姆定律：闭合电路的电流跟电源的电动势成正比，跟内、外电路的电阻 之和成反比。公式为I=E/(R+r)，I表示电路中电流，E表示 电动势，R表示外总电阻，r表示电池内阻。

4、部分电路欧姆定律：导体中的电流跟导体两端的电压成正比，跟导体的电阻成反比, 公式：I=U/R

5、等效变换：在电路分析计算时，有时可以将电路某一部分用一个简单的电路代替，

使电路得以简化。

6、基尔霍夫电流定律：电路中任一个节点上，在任一时刻，流入节点的电流之和等于

流出节点的电流之和。

7、基尔霍夫电压定律：在任何一个闭合回路中，从一点出发绕回路一周回到该点时，

各段电压的代数和恒等于零，即∑U=0。

8、正弦交流电:电压与电流大小和方向随时间按照正弦函数规律变化。

9、直流电：大小和方向随时间周期性变化的电压和电流

二、填空题：

1、沿任何闭合回路绕行一周时，回路中各电阻的电压降中

各电源的 电动势 的代数和。

2、感抗的单位是欧（ 。

3、电感

第7章习题答案

7.1.1 选择题。

（1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基本不失真情况下，负载上可能获得的最大___A____。

A. 交流功率 B. 直流功率 C. 平均功率 （2）功率放大电路的转换效率是指___B____。 A. 输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B. 最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C. 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比

（3）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有__B D E____。 A. β B. ICM C. ICBO D. U（BR）CEO E. PCM F. fT

（4）在OCL乙类功放电路中，若最大输出功率为1 W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为___C____。

A. 1 W B. 0.5 W C. 0.2 W

（5）与甲类功率放大器相比较，乙类互补推挽功放的主要优点是____B_____。

A. 无输出变压器 B. 能量转换效率高 C. 无交越失真

（6）所谓能量转换效率是指____B_____。

A. 输出功

1.电 路 如 图 所 示， D为 硅 二 极 管， 根 据 所 给 出 的 电 路 参 数 判 断 该 管 为 (b )。

(a) 正 偏 (b) 反 偏 (c) 零 偏

2.电路如图所示，RC＝3kΩ，晶体管的β＝50，欲使晶体管工作在放大区， RB 应调至( c )。 (a) 10 kΩ (b) 100 kΩ (c) 300 kΩ (d) ∞

3. 在 运 算 放 大 器 电 路 中， 引 入 深 度 负 反 馈 的 目 的 之 一 是 使 运 放 ( c )。

(a) 工 作 在 线 性 区 ， 降 低 稳 定 性

(b) 工 作 在 非 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性 (c) 工 作 在 线 性 区 ， 提 高 稳 定 性 4.

5.

6.

7

8.

. 10.

11.两个稳压管

篇一：微电子国内排名

微电子主要有两个大方向:设计和工艺,尤其设计很缺人.

工艺应该是清华第一,北大第二.

在设计方向的排名如下:

1.复旦大学微电子系:复旦是个传统的偏文的学校,工科大多数很烂,但却出了复旦大学微电子这个怪胎.全国五大集成电路公司的老总,三个是复旦的.拥有全国最好的实验设备,最优秀的师资.其实,就学术上看,复旦微电子未必是最有成就的,但就经济成就、学以至用,复旦确是最成功的.系主任闵昊同时兼任华虹的总经理，个人资产约6亿人民币。复旦微电子历史上出过7个个人资产在1亿人民币以上的教师。你看看微电子考研的专业课科目:模拟电路、数字逻辑、模拟CMOS集成电路设计、数字集成电路、专用集成电路,很多都是别的学校研究生才上的课程.据我所知，在集成电路设计企业，刚毕业硕士的起薪，一般复旦就要比华中科技大学、浙江大学、东南大学、成电、西电高百分之五十，当然是平均水平，个体的特殊情况例外。

2.清华微电子.

3.北大微电子.

4.微电子.

5.华中科技大学

6.浙江大学

7.东南大学(指的是东南系的射光所,而东南电子工程系的微电子很烂)

8.成电

9.西电

在这九所学校中，复旦、清华应该属于第一档次；北大属于第二档次；上海交通大学属于第三档次；华中科技大学、浙江大学、