半导体考试试题答案
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电子科技大学2009半导体物理期末考试试卷B试题答案
学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
电子科技大学二零 九 至二零 一零 学年第 一 学期期 末 考试
半导体物理 课程考试题 B卷 （ 120分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 2010年 元月 18日
课程成绩构成：平时 10 分， 期中 5 分， 实验 15 分， 期末 70 分
复核人 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 签名 得分 签名 得 分 一、填空题: （共16分，每空1 分）
1. 简并半导体一般是 重 掺杂半导体，这时 电离杂质 对载流子的散射作用不可忽略。
2. 处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会 下降/减小 ，电阻
率会 上升/增大 。 3. 电子陷阱存在于 P/空穴 型半导体中。
4. 随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号 由正变为负
半导体复习参考试题
一、填空题
h2k2E(k)?2m0）
1. 自由电子的能量与波数的关系式为（，孤立原子中的电子能量（大小为?m0q4En?2228?0hn的分立能级），晶体中的电子能量为（电子共有化运动）所形成的（准连续）
的能带。
2. 温度一定时，对于一定的晶体，体积大的能带中的能级间隔（小），对于同一块晶体，当原子间距变大时，禁带宽度（变小）。 3. 玻尔兹曼分布适用于（非简并）半导体，对于能量为E的一个量子态被电子占据的概率
E?EfB(E)?exp(F)?exp()kTkT00为（），费米分布适用于（简并）半导体，对于能量为E的
f(E)?一个量子态被电子占据的概率为（（
1E?EF1?exp()k0T），当EF满足
EC?EF?2k0T或EF?EV?2k0T）时，必须考虑该分布。
4. 半导体材料中的（能带结构（直接复合））、（杂质和缺陷等复合中心（间接复合））、（样
品形状和表面状态（表面复合））等会影响非平衡载流子的寿命，寿命值的大小反映了材料晶格的（完整性），是衡量材料的一个重要指标。 5. Si属于（间接）带隙半导体。导带极小值位于布里渊区的（<100>方向）上由布里渊区中心点Г到边界X点的（0.85倍）处，导带极值附近的等能面是（长轴沿<100>方向的旋转椭球面），在
半导体复习参考试题2
学院 姓名 学号 任课老师 选课号
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
一、选择填空（22分）
1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。
A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大；D. 小； E. 重空穴；F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质
3、在通常情况下，GaN呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（ F ）半导体材料。
A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性；D. 立方对称性；E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4， mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。
A.甲
弱电考试试题答案
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考生姓名： 马国栋
多选题
第1题(多选题) 分数：1.0
引起铅酸蓄电
题目：
池“热失控”故障的原因有（ ）
选项：
A. 电池的氧循环气路过于畅通
B. 单格电池提前失效故障
C. 电池失水引起电池热失控
D. 充电器与铅酸蓄电池组不匹配
阅卷人:暂无
复评人：暂无
阅卷方式： 自动
考生答案： 参考答案： 该题得分：
B,C,D A,B,C,D
0.
阅卷人:暂无
复评人：暂无
阅卷方式： 自动
第2题(多选题) 分数：1.0
一个较为完整
题目：
的制冷系统主要有那几部分 组成的
选项： A. 压缩机
B. 蒸发器
C. 膨胀阀
D. 冷凝器
考生答案： 参考答案： 该题得分：
A,B,C,D A,B,C,D
1.
阅卷人:暂无
复评人：暂无
阅卷方式： 自动
第3题(多选题) 分数：1.0
导体的电阻和
题目：
下列哪些因素有关（）
选项：
A. 材料性质 B. 湿度 C. 温度
D. 材料尺寸
考生答案： 参考答案： 该题得分：
A,C,D A,C,D
1.
阅卷人:暂无
复评人：暂无
阅卷方式： 自动
脱硫考试试题答案
脱硫运行人员培训考试试题答案
姓名： 成绩： 一、填空题（每空1分，25共分）
1、在本脱硫系统中吸收塔内原烟气与石灰石浆液充分接触反应脱除烟气中 SO2 , 原烟气温度进一步降低至饱和温度 50℃ 左右经烟囱排放到大气中。
2、本脱硫系统在设计入口烟气参数的情况下，脱硫系统的效率不小于 95% ，SO2排放浓度小于 400 mg/Nm3 。
3、二氧化硫吸收系统，主要用于脱除烟气中 SO2 粉尘 HCl 等污染物。
4、吸收塔自下而上可分为 浆液池区、 喷淋区 、 除雾器区 三个功能区 5、从吸收塔排出的石膏浆液含固浓度50% （wt），经 石膏旋流器 、真空脱水皮带机 使其含水量小于10% ，然后用输送机送至石膏库房堆放。
6、本脱硫系统供浆量是根据进口 烟气量 、吸收塔进口 SO2浓度 、吸收塔出口 SO2浓度、吸收塔内浆液的 PH值 、石灰石浆液 密度 来控制的。
7本脱硫系统设计入口烟气温度为 138 ℃，最高连续运行温
医疗考试试题答案
医疗人员考试试题及答案
科室： 姓名： 日期：2012年10月25日
一、单选题（每题2分，共40分）
1、病人入院3天仍诊断不明或治疗效果不好的，应组织（ C ）会诊。 A、全院会诊 B、科间会诊 C、科内会诊 D、院外会诊 2、关于医师值班、交接班错误的是 ( D )
A、二线医师实行听班制，必须去向明确，通讯畅通，随喊随到 B、医技科室医师、技师分别独立值班，疑难报告须有上级医师审核 C、医师值班期间进行的医疗处置，必须及时记录 D、危重病人、当日手术后病人无须床边交班
3、一次用血、备血量超过（ B ）时，《输血申请单》需要科主任和输血科主任签字，并报医务科批准。
A、1000ml B、2000ml C、3000ml D、5000ml 4、关于“三级查房”，正确的是 ( C ) A、副主任以上医师每周查房1次 B、主治医师每天查房两次
C、主治医师遇有疑难、危急病例，及时向上级医师或科主任报告 D、主治医师无需检查住院医师、进修医师的医
APQP考试试题答案
APQP考试试题答案
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APQP考试试题
一、 选择题（不定项选择）
1)产品/过程特性的确定是由（ A B ）决定的。
A 顾客指定 B APQP小组 C 最高管理者 D APQP小组长
2)对产品/过程特殊特性的确认，应由（ A ）批准。
A 顾客批准 B 总经理 C 董事长 D APQP小组长
3)特殊特性必须标识在（ ABCD ）中。
A 工程图纸 B 控制计划 C FMEA D 过程作业指导书
4)PPAP中给顾客提交的控制计划是（ C ）
A 样品控制计划 B 三个都要提供
C 试生产控制计划 D 生产控制计划
5)下列那些选项属于产品质量策划循环的内容（ ABD ）
A 计划 B 产品/过程开发 C 样件验证 D 研究
6)产品的前期策划包括（ ABCD ）
A 计划和项目确定 B 产品设计与开发
C 过程设计与开发 D
半导体复习参考试题2
学院 姓名 学号 任课老师 选课号
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……
一、选择填空（22分）
1、在硅和锗的能带结构中，在布里渊中心存在两个极大值重合的价带，外面的能带（ B ）， 对应的有效质量（ C ），称该能带中的空穴为( E )。
A. 曲率大； B. 曲率小； C. 大；D. 小； E. 重空穴；F. 轻空穴 2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（ F ）。 A. 施主 B. 受主 C.复合中心 D.陷阱 F. 两性杂质
3、在通常情况下，GaN呈（ A ）型结构，具有（ C ），它是（ F ）半导体材料。
A. 纤锌矿型； B. 闪锌矿型； C. 六方对称性；D. 立方对称性；E.间接带隙； F. 直接带隙。 4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4， mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（ D ）。
A.甲
半导体物理试题
一、 名词解释
1、施主杂质：在半导体中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心的杂质称为施主杂质。
受主杂质：在半导体中电离时，能够释放空穴而产生导电空穴并形成负电中心的杂质称为受主杂质。
2、本征半导体：完全不含缺陷且无晶格缺陷的纯净半导体称为本征半导体。实际半导体不可能绝对地纯净，本征半导体一般是指导电主要由本征激发决定的纯净半导体。 3、多子、少子
（1）少子：指少数载流子，是相对于多子而言的。如在半导体材料中某种载流子占少数，在导电中起到次要作用，则称它为少子。
（2）多子：指多数载流子，是相对于少子而言的。如在半导体材料中某种载流子占多数，在导电中起到主要作用，则称它为多子。 4、欧姆接触
指金属与半导体的接触，其接触面的电阻远小于半导体本身的电阻，实现的主要措施是在半导体表面层进行高参杂或引入大量的复合中心。
5、（1）费米能级: 费米能级是绝对零度时电子的最高能级。
（2）受主能级: 被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级 （3）施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态称为施主能级
6、电子亲和能：真空的自由电子能级与导带底能级之间的能量差，也就是把导带底的电子拿出到真空去而变成自由电子所需要的能量。 7、深/浅