半导体四个特性

半导体器件的检测和选用

(1)二极管的检测与选用 1)二极管的检测根据PN结的单向导电性原理，最简单的方法是用万用表测其正、反向电阻。用万用表红表笔接二极管负极、黑袁笔接二极管正极，测得的是正向电阻，将红、黑表笔对调，测得的是反向电阻。 正向电阻测量：小功率锗管的正向电阻一般为lOOfl～lkC/,之间，硅管的正向电阻一般为几百欧到几千欧之间。 反向电阻测量：锗管和硅管的反向电阻一般都在几百千欧以上，且硅管比锗管大。 根据二极管的单向导电性，即二极管的正向电阻小，反向电阻大的特性，可以通过测量的方法确定二极管的正、负极。 由于二极管的伏安特性的非线性，测量时用不同的欧姆挡或灵敏度不同的万用表，所得的数据不同。测量时，对于小功率二极管，通常可选用万用表R×100或R×lk挡；对于中、大功率二极管通常应选用万用表R×1。或R×10挡。 如果测得正向电阻为无穷大，说明二极管内部断线，如果反向电阻值近似为零，说明管子内部短路（击穿），如果测得正反向电阻相差不多，说明管子性能差或失效。以上三种情况的二极管皆不能使用。 实际使用中应注意，硅管和锗管不能替换。同类型管子可以代替，其原则是，对于检波管，只要工作频率高于原来的管子就可代换；对于整流管，只要反向

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参

数测量

作者：本站 来源：www.elecfans.com 发布时间：2009-3-9 9:12:09 [收 藏] [评 论]

半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量 一、实验目的

1、了解半导体特性图示仪的基本原理

2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。

二、预习要求

1、阅读本实验的实验原理，了解半导体图示仪的工作原理以及XJ4810 型半导体

管图示仪的各旋钮作用。

2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。

三、实验原理

（一）半导体特性图示仪的基本工作原理

任何一个半导体器件，使用前均应了解其性能，对于晶体三极管，只要知道其输入、 输出特性曲线，就不难由曲线求出它的一系列参数，如输入、输出电阻、电流放大倍、 漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。但如何得到这两组曲线呢？最早是利用图4-1 的 伏安法对晶体管进行逐点测试，而后描出曲线，逐点测试法不仅既费时又费力，而而且 所得数据不能全面反映被测管的特性，在实际中，广泛采用半导体特性图示仪测量的晶

体管输入、输出特性曲线。

图4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路

用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是

XJ4822型半导体管特性图示仪

使用说明书

上海新建仪器设备有限公司

1. 概述

XJ4822型半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。

与其它同类型图示仪相比，主要区别在于采用了微机控制技术，引入了字符显示，光标测量功能，使半导体管的各种静态参数，包括β（hfe）、Gfs(gm) 均可光标测量、数字读出, 给用户带来更多方便。

1.1 本仪器由下列几部分组成

X轴、Y轴放大器 阶梯信号发生器 集电极电源 二簇电子开关 低压电源供给

高频高压电源及示波管控制电路 CRT读测微机电路 过流报警电路

1.2 仪器的特点

1.2.1 本仪器由于采用微机控制, 数字插入技术，引入字符显示, 光标测量功能, 面板上增添了六个操作键,CRT屏幕上实时显示Y(电流) 、X（电压）、S（阶梯）开关档位（位标）量、通过主光标［+］操作,能直接显示测得的I(电流) 、U(电压) 测量值，辅光标［×］配合操作, 能自动计算显示, 读出β（hfe）、Gfs(gm) 等器件的参数。

1.2.2 通过配合高压测试台, 使反向电压UR可达3000V。

1. 2. 3 由于

XJ4822型半导体管特性图示仪

使用说明书

上海新建仪器设备有限公司

1. 概述

XJ4822型半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器。

与其它同类型图示仪相比，主要区别在于采用了微机控制技术，引入了字符显示，光标测量功能，使半导体管的各种静态参数，包括β（hfe）、Gfs(gm) 均可光标测量、数字读出, 给用户带来更多方便。

1.1 本仪器由下列几部分组成

X轴、Y轴放大器 阶梯信号发生器 集电极电源 二簇电子开关 低压电源供给

高频高压电源及示波管控制电路 CRT读测微机电路 过流报警电路

1.2 仪器的特点

1.2.1 本仪器由于采用微机控制, 数字插入技术，引入字符显示, 光标测量功能, 面板上增添了六个操作键,CRT屏幕上实时显示Y(电流) 、X（电压）、S（阶梯）开关档位（位标）量、通过主光标［+］操作,能直接显示测得的I(电流) 、U(电压) 测量值，辅光标［×］配合操作, 能自动计算显示, 读出β（hfe）、Gfs(gm) 等器件的参数。

1.2.2 通过配合高压测试台, 使反向电压UR可达3000V。

1. 2. 3 由于

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四个强化”力促“四个到位”

作者：王诗双

来源：《湖北教育·综合资讯》2014年第10期

为落实党风廉政建设主体责任，洪湖市教育局党委狠抓“四个强化”，力促“四个到位”，营造出教育系统反腐倡廉建设和教育事业相辅相成、互促共进的良好态势。

强化教育引导，力促思想认识到位。加强学习，提高主体责任意识。结合第二批党的群众路线教育活动，洪湖市教育局党委完善了教育系统党员干部学习制度。党委书记带头，班子成员上党课、作主题学习报告，组织观看警示教育片，开展预防廉政风险点大讨论；机关干部和市直事业单位领导班子成员、全市中小学校长做到学习时间、教材、内容三落实。通过学习反省，全体党员干部常思贪欲之害，常怀律己之心，增强了党风廉政建设的自觉意识。率先垂范，做落实主体责任的表率。党委集体带头践行《廉政准则》，做廉洁自律的标杆和正气的化身，态度鲜明地反对“四风”，传递正能量。教育引导，营造落实主体责任的氛围。层层签订党风廉政建设责任状，细化党风廉政建设的各项考核指标。通过民主生活会、谈心交心、廉政文化进科室进校园、演讲比赛等形式，加强党性教育、宗旨教育、廉政法规教育等，严明

篇一：四个全面

“四个全面”战略布局，即“全面建成小康社会、全面深化改革、全面依法治国、全面从严治党”，

是以**同志为**的党XX从坚持和发展中国特色社会主义全局出发提出的战略布局，是党XX治

国理政的总方略，是实现“两个一百年”奋斗目标、走向中华民族伟大复兴中国梦的“路线图”。

全面建成小康社会奠定实现“两个一百年”奋斗目标和民族复兴中国梦的坚实基础。全面深化改革

提供实现“两个一百年”奋斗目标和民族复兴中国梦的基本动力。全面推进依法治国成为实现“两个一百

年”奋斗目标和民族复兴中国梦的基本保障。全面从严治党锻造实现“两个一百年”奋斗目标和民族复兴

中国梦政治保证。“四个全面”相辅相成、相互促进、相得益彰，是我们党治国理政方略的又一次与时俱

进。“四个全面”相辅相成、相互促进、相得益彰，是我们党治国理政方略的又一次与时俱进。

“四个全面”总方略是马克思主义基本原理与当今中国具体实际相结合的理论创新

初试科目：半导体物理学

参考书：半导体物理学 顾祖毅 田立林 富力文 电子工业出版社 考试大纲：

第一章 半导体的晶格结构和缺陷 1 半导体的基本特性 2 常见半导体材料

3 主要半导体器件及其可选用的材料 4 常见半导体的结构类型 5 名词解释

化学键 共价键 离子键 分子键 金属键 晶格缺陷 间隙式杂质 代位式杂质 反晶格缺陷 层错 扩散系数 晶粒间界 第二章 半导体中的电子状态

1 在周期性势场中，电子薛定谔方程的解为布洛赫函数，即波函数：

?1(r)?uk(r)eik?r

uk(r)?uk(r?an)

布洛赫函数不是单色平面波。K为波矢，描述电子共有化运动。平面波因子e表明晶体中不再是局域化的，扩展到整个晶体之中，反映了电子的共有化运动。uk(r)反映了周期性势场对电子运动的影响，说明晶体中电子在原胞中不同位置上出现的几率不同。uk(r)的周期性说明晶体中不同原胞的各等价位置上出现的几率相同。

2 电子在周期场中运动的量子力学处理有几种近似的方法？试简述之。

（1）近自由电子近似 （2）紧束缚近似

3 由于共有化运动，晶体中电子可以看成是整个晶体共有的，因此孤立原子的能

发光材料的发展及研究

庞雪

（贵州大学 大数据与信息工程学院）

摘要： 发光材料是光电信息功能材料领域的研究热点之一。本文着重是关于现有的纳米发光材料、小分子有机电致发光材料、树枝状有机电致发光材料、芴类电致发光材料的发展与研究情况。介绍了国内外在研究发光材料方面所取得的一些最新进展,并对一些有待进一步研究的问题做了展望。 关键词： 发光材料

Abstract： The development of luminescent materials is one of the forefronts and hot areas of the optoelectronic information materials. This paper is about the existing

luminescence

surface

modification,

organic

small

molecular

electroluminescent materials, dendrimers electroluminescent materials, fluorene-based electroluminescent materials develop

四个覆盖

农村“四个覆盖”指的是：‘基层党组织全覆盖、农村民主政治组织全覆盖、农村经济合作组织全覆盖和3+1村级综治维稳组织全覆盖’以上是农村“四个覆盖” 什么是农村党组织全覆盖？

答：按照党的十七届四中全会提出的“党员走到哪里，党组织就建设到哪里”的原则，不断扩大党建工作的覆盖面，把党的组织机构延伸到各个领域、各个行业，进一步加大党组织机构在农村各个层面的覆盖密度，形成条块结合、覆盖各方的基层党建工作新格局。 什么是农民经济合作组织？

答：农民经济合作组织是以农户家庭承包经营为基础，农民自愿参加的，以某一产业或产品为纽带，以增加加入组织的成员收入为目的，实行资金、技术、生产、购销、加工等方面的互助合作，按照一定的章程进行共同生产、经营和服务活动的互助性合作经济组织。 什么是农村民主组织全覆盖？ 在搞好村民委员会换届选举的基础上，逐村建立健全村民代表会和村民监督委员会两个民主组织，真正把村民有效地组织起来，搞好村民自治，提升村民自我管理、自我教育、自我服务的能力和水平，落实好村民在农村管理中的知情权、参与权、决策权和监督权。 什么是“3+1”村级综治维稳组织？ 农村维稳组织它的结构以3+1组

1. （ D ）下面关于有效质量的叙述错误的是 。 A. 有效质量概括了半导体内部势场的作用

B. 有效质量直接把外力f和电子的加速度联系起来

C. 有效质量的引入使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时，可以不涉及到半导体内部势场的作用

D. 不是所有的有效质量都可以直接由实验测定

2. （ D ）对于只含一种杂质的非简并ｐ型半导体，费米能级随温度上升而 。 A. 上升 B. 下降 C. 不变

D. 经过一极值后趋近Ei

3. （ C ）一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的 。 A.1/4 ； B.1/e ； C.1/e2 ； D.1/2 4. （ A ）不是深杂质能级特点的是 。 A. 杂质能级离带边较近 B. 多次电离（多重能级） C. 有可能成为两性杂质 D. ED，EA 可与Eg相比拟

5.（ B ）对于补偿的半导体材料，下列叙述正确的是 。 A.载流子浓度取决于杂质浓度较大者，载流子迁移率取决于电离杂质总浓度 B.载流子浓