大学电子技术考试试题

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电子技术与技能诊断考试试题

标签:文库时间:2024-10-03
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定西理工中专2013-2014学年第一学期电子技能期中考试试题

出题人:黄巧萍

班级____________ 姓名____________ 总分____________

一. 填空题(每空1分,共20分)

1.二极管的核心部分是一个____________,二极管的正向电阻____________,反

向电阻____________,二极管加正向电压时____________,加反向电压时

____________,这种特性称为二极管的____________特性。

2.在一些特殊的二极管中,稳压二极管和变容二极管正常工作时加____________

电压,发光二极管正常工作时加____________电压。

3.单相半波整流电路由变压器,____________和负载电阻构成,单相全波整流

电路由变压器,______只整流二极管以及负载电阻构成,其中整流效率较高

的是____________

4.在整流滤波电路中,电容器的接法是____________,电感线圈的接法是

____________

5.三极管接两个PN结的组合方式不同,可分为____________型和

____________,三极管有三种工作状态,分别是____________,__

模拟电子技术考试试题大全及答案

标签:文库时间:2024-10-03
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《模拟电子技术》模拟试题一

一、 填空题:(每空1分 共40分)

1、PN结正偏时( ),反偏时( ),所以PN结具有( )导电性。

2、漂移电流是( )电流,它由( )载流子形成,其大小与( )有关,而与外加电

压( )。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为( ),等效成一条直线;当其反偏时,结电

阻为( ),等效成断开;

4、三极管是( )控制元件,场效应管是( )控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结( ),集电结( )。 6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic( ),发射结压降( )。 7、三极管放大电路共有三种组态分别是( )、( )、( )放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用( )负反馈,为了稳定交流输出电流采用

( )负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=( ),对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=

( )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=( )BW,其中BW=( ), (

模拟电子技术基础考试试题答案(1)

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第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上)

1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, Ic??Ib。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。

5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。

9、理想运放的两个输入端虚断是指

模拟电子技术基础考试试题答案(1)

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第1页 共5页 一、填空(共20空,每空 1 分,共 20 分,所有答案均填写在答题纸上)

1、场效应管被称为单极型晶体管是因为 。 2、晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在 区时, Ic??Ib。 3、场效应管可分为 型场效应管和结型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,共 基本放大电路只能放大电压不能放大电流。

5、在绘制电子放大电路的直流通路时,电路中出现的 视为开路, 视为短路,信号源可视为为短路但应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有直接耦合、阻容耦合、 和 耦合等。 7、晶体管是利用 极电流来控制 极电流从而实现放大的半导体器件。 8、放大电路的交流通路用于研究 。

9、理想运放的两个输入端虚断是指

《电工与电子技术》期末考试试题

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《电工与电子技术》期末考试试题

一、选择题(25分每小题1分) 1.理想二极管的反向电阻为( )。

A.零 B.无穷大 C.约几百千欧 D.以上都不对

2.在换路瞬间,下列各项中除( )不能跃变外,其他全可跃变。 A.电感电压 B.电容电压 C.电容电流 D.电阻电流

3.在电感性负载两端并联一定值的电容,以提高功率因素,下列说法正确的是( )。

A.减少负载的工作电流 B.减少负载的有功功率 C.减少负载的无功功率 D.减少线路的功率损耗 4.稳压二极管的动态电阻rZ 是指 ( )。

A.稳定电压UZ与相应电流IZ 之比

B.稳压管端电压变化量?UZ 与相应电流变化量?IZ 的比值

C.稳压管正向压降与相应正向电流的比值 D.以上都不对

5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时,若线电压

则相电压 uC=? A.2202sin(?t?30)V

B.3802sin(?t?30)V

D.2202sin(?t?30)

uBC?3802sin(?t?180)V,

C. 3802sin(?t?120)V

6.两个完全相同的交流铁心线圈,分别工作在电压

北京交通大学电工电子技术期末考试试题A

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北京交通大学电工电子技术期末考试试题A 北京交通大学考试试题A 课程名称:电工电子技术 出题人:电工基地 班级: 姓名: 学号: 题号 得分 签字 一 二 三 四 五 六 七 总分 考生注意:本试卷由闭卷和开卷两部分构成。考试时间为120分钟。闭卷部分满分为80分,答题时间为90分钟;考试进行90分钟后,交闭卷试题及答案,开始答开卷部分,开始部分满分为20分。

第一部分:闭 卷

一、单项选择题:在下列各题中,将唯一正确的答案代码填入括号内 (本大题分10小题, 每小题2分, 共20分)

1、电路如图1所示,已知US1= 4V,US2= 2V。若用图2所示的电路代替图1所示的电路,该等效理想电压源的参数US为( )。

(a) 4 V (b) -2 V (c) 2 V (d) -4 V

2、当三相交流发电机的三个绕组接成星形时,若线电压uBC=380

sinwtV,则相电压uB = ( )。

(a) (b)

(c) (

哈工大电子技术期末考试试题4

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哈工大2004年春季学期

班号 姓名 题号 分数

一、填空或选择(20分)

1、N型半导体是在半导体中掺入 五 价杂质,其中多数载流子是 电子 。 2、在模拟放大电路中,三极管一般工作在输出特性的 放大 区;在数字电路中它一般工作在 饱和 区或 截止 区,此时也称它工作在 开关 状态。

3、电路如下图所示,TG为CMOS传输门,G为TTL与非门,则C=0, P= 0 ;C=1时,P= /A 。 基 础 电 子 技 术 试 题

一 二 三 四 五 六 七 八 总分 BCATG1C4、乙类功放电路如下图所示。已知

10k?&PVCC?12V,RL?8?,UCES?0,ui为正弦电压,

则负载上可能得到的最大输出功率为 9W ;每个管子的管耗至少应为 1.8W 。

?VCCT1viT2?VCCRL

5、当温度升高时,双极性三极管的β将 增加 ,反向饱和电流ICEO 增加 ,正向结压降UBE 减小 ,晶体管的共射输入特性曲线将 左移 ,输出特性曲

电力电子技术期末考试试题及答案

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电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通,反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、

电力电子技术期末考试试题及答案

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电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。

3.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。 6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。 9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。

10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_小于__Ubo。 12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的

电力电子技术期末考试试题及答案

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电力电子技术试题

第1章 电力电子器件

1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。

2.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。 3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。 4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通,反相电压截止_。

5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。 6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。 7.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。

8.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。

9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。

10.在如下器件:电力二极管(Power Diode)、