半导体材料课后题答案

“半导体材料课后题答案”相关的资料有哪些?“半导体材料课后题答案”相关的范文有哪些?怎么写?下面是小编为您精心整理的“半导体材料课后题答案”相关范文大全或资料大全,欢迎大家分享。

半导体材料

标签:文库时间:2025-02-17
【bwwdw.com - 博文网】

发光材料的发展及研究

庞雪

(贵州大学 大数据与信息工程学院)

摘要: 发光材料是光电信息功能材料领域的研究热点之一。本文着重是关于现有的纳米发光材料、小分子有机电致发光材料、树枝状有机电致发光材料、芴类电致发光材料的发展与研究情况。介绍了国内外在研究发光材料方面所取得的一些最新进展,并对一些有待进一步研究的问题做了展望。 关键词: 发光材料

Abstract: The development of luminescent materials is one of the forefronts and hot areas of the optoelectronic information materials. This paper is about the existing

luminescence

surface

modification,

organic

small

molecular

electroluminescent materials, dendrimers electroluminescent materials, fluorene-based electroluminescent materials develop

半导体材料术语1

标签:文库时间:2025-02-17
【bwwdw.com - 博文网】

3.1 受主 acceptor

半导体中的一种杂质,她接受从价带激发的电子,形成空穴导电。 3.2 电阻率允许偏差 allowable resistivity tolerance

晶片中心点或晶锭断面中心点的电阻率与标称电阻率的最大允许差值,它可以用标称值的百分数来表示。

3.3 厚度允许偏差 allowable thickness tolerance

晶片的中心点厚度与标称值的最大允许差值。 3.4 各向异性 anisotropic

在不同的结晶学方向有不同物理特性。又称非各向同性,非均质性。

3.5 各向异性腐蚀anisotropic etch

沿着特定的结晶学方向,呈现腐蚀速率增强的一种选择性腐蚀。 3.6 退火 annealing

改变硅片特性的热过程。 3.7 退火片 annealing wafer

在惰性气氛或减压气氛下由于高温的作用在近表面形成一个无缺陷(COP)区得硅片。

3.8 脊形崩边 apex chip

从晶片边缘脱落的任何小块材料的区域。该区域至少含有2个清晰的内界面,而形成一条或多条清晰交叉线。 3.9 区域沾污 area contamination

在半导体晶片上,非有意地附加到晶片表面上的物质,它的线度远大于局部

半导体物理课后习题

标签:文库时间:2025-02-17
【bwwdw.com - 博文网】

半导体物理学课后习题

第一章 半导体的电子状态

1. [能带结构计算]

设晶格常数为a的一维晶格,导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量

Ev(k)分别为

2?2k123?2k2?2k2?2?k?k1? Ev?k?? ?Ec?k???6m0m03m0m0式中,m0为电子惯性质量,k1??/a,a?0.314nm。试求: ① 禁带宽度;

② 导带底电子有效质量; ③ 价带顶电子有效质量;

④ 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。

解:①先找极值点位置

dE3dEc2?2k2?2?k?k1??2k12当k?k1时, 同理由v?0得???0得出,Ec(min)?4dkdk3m0m04m0当k?0时,Ev(max)?2k12 ?6m0?2k12=0.636eV ?12m0所以禁带宽度Eg?Ec(min)?Ev(max)3m0?2②m?2 ?dEc8dk2*ncm?2③m?2??0

dEv6dk2*nv④

知,准动量的变33h?P?Pv?Pc???k?0???k1??????7.9?10?29(kg?m?s?1)

48a

由①可化为

2. [能带动力学相关]

晶格常数为0.25nm的一维晶格,当外加102V/m,107V/m的电场时,试分别

大学半导体材料课后习题答案期末考试复习资料 - 图文

标签:文库时间:2025-02-17
【bwwdw.com - 博文网】

半导体材料复习资料

绪论

1. 半导体的基本特性?

① 电阻率大体在10-3~109Ω?cm范围 ② 整流效应 ③ 负电阻温度系数 ④ 光电导效应 ⑤ 光生伏特效应 ⑥ 霍尔效应 2. 为什么说有一天,硅微电子技术可能会走到尽头? ① 功耗的问题 存储器工作靠的是成千上万的电子充放电实现记忆的,当芯片集成度越来越高耗电量也会越来越大,如何解决散热的问题? ② 掺杂原子均匀性的问题 一个平方厘米有一亿到十亿个器件,掺杂原子只有几十个,怎么保证在每一个期间的杂质原子的分布式一模一样的呢?是硅微电子技术发展遇到的又一个难题 ③ SiO2层量子隧穿漏电的问题 随着器件尺寸的减小,绝缘介质SiO2的厚度也在减小,当减小到几个纳米的时候,及时很小的电压,也有可能使器件击穿或漏电。量子隧穿漏电时硅微电子技术所遇到的另一个问题。 ④ 量子效应的问题 如果硅的尺寸达到几个纳米时,那么量子效应就不能忽略了,现有的集成电路的工作原理就可能不再适用 第一章

⒈比较SiHCl3氢还原法和硅烷法制备高纯硅的优缺点? ⑴ 三氯氢硅还原法

1

优点:产率大,质量高,成本低,是目前国内外制备高纯硅的主要方法。 缺点:基硼、基磷量较大。 ⑵ 硅烷法

半导体物理习题答案

标签:文库时间:2025-02-17
【bwwdw.com - 博文网】

第一章半导体中的电子状态

例1. 证明:对于能带中的电子,K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零。

解:K状态电子的速度为:

(1)

同理,-K状态电子的速度则为:

(2)

从一维情况容易看出:

(3)

同理

有: (4) (5)

将式(3)(4)(5)代入式(2)后得:

(6)

利用(1)式即得:v(-k)= -v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关,即:E(k)=E(-k)故电子占

半导体物理习题答案

标签:文库时间:2025-02-17
【bwwdw.com - 博文网】

第一章半导体中的电子状态

例1. 证明:对于能带中的电子,K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零。

解:K状态电子的速度为:

(1)

同理,-K状态电子的速度则为:

(2)

从一维情况容易看出:

(3)

同理

有: (4) (5)

将式(3)(4)(5)代入式(2)后得:

(6)

利用(1)式即得:v(-k)= -v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关,即:E(k)=E(-k)故电子占

半导体物理习题答案

标签:文库时间:2025-02-17
【bwwdw.com - 博文网】

第一章半导体中的电子状态

例1. 证明:对于能带中的电子,K状态和-K状态的电子速度大小相等,方向相反。即:v(k)= -v(-k),并解释为什么无外场时,晶体总电流等于零。

解:K状态电子的速度为:

(1)

同理,-K状态电子的速度则为:

(2)

从一维情况容易看出:

(3)

同理

有: (4) (5)

将式(3)(4)(5)代入式(2)后得:

(6)

利用(1)式即得:v(-k)= -v(k)因为电子占据某个状态的几率只同该状态的能量有关,即:E(k)=E(-k)故电子占

半导体物理与器件课后习题1

标签:文库时间:2025-02-17
【bwwdw.com - 博文网】

习题1

1.1 确定晶胞中的原子数:(a)面心立方;(b)体心立方;(c)金刚石晶格。 解:(a)面心立方: 8个拐角原子×1=1个原子

8 6个面原子×1=3个原子

2 ? 面心立方中共含4个原子

(b)体心立方:8个拐角原子×1=1个原子

8 1个中心原子 =1个原子 ? 体心立方中共含2个原子

(c)金刚石晶格:8个拐角原子×1=1个原子

8 6个面原子×1 =3个原子

2 4个中心原子 =4个原子 ? 金刚是晶格中共含8个原子

1.15 计算如下平面硅原子的面密度:(a)(100),(b)(110),(c)(111)。 解:(a):(100)平面面密度,通过把晶格原子数与表面面积相除得:

面密度=

2个原子?5.43?10?-82=6.78?1014个原子/cm2

4个原子25.43?104个原子35.43?10-8(b):(110)表面面密度=

?-82?=

半导体材料硅的基本性质

标签:文库时间:2025-02-17
【bwwdw.com - 博文网】

半导体材料硅的基本性质

一.半导体材料

1.1 固体材料按其导电性能可分为三类:绝缘体、半导体及导体,它们典型的电阻率如下:

图1 典型绝缘体、半导体及导体的电导率范围

1.2 半导体又可以分为元素半导体和化合物半导体,它们的定义如下:

元素半导体:由一种材料形成的半导体物质,如硅和锗。 化合物半导体:由两种或两种以上元素形成的物质。 1) 二元化合物 GaAs — 砷化镓 SiC — 碳化硅

2) 三元化合物

AlGa11As — 砷化镓铝

AlIn11As — 砷化铟铝

1.3 半导体根据其是否掺杂又可以分为本征半导体和非本征半导体,它们的定义分别为:

本征半导体:当半导体中无杂质掺入时,此种半导体称为本征半导体。 非本征半导体:当半导体被掺入杂质时,本征半导体就成为非本征半导体。

1.4 掺入本征半导体中的杂质,按释放载流子的类型分为施主与受主,它们的定义分别为:

施主:当杂质掺入半导体中时,若能释放一个电子,这种杂质被称为施主。如磷、砷就是硅的施主。

受主:当杂质掺入半导体中时,若能接受一个电子,就会相应地产生一个空穴,这种杂质称为受主。如硼、铝就是硅的受主。

图1.1 (a)带有施主(

【书】硅晶圆半导体材料技术

标签:文库时间:2025-02-17
【bwwdw.com - 博文网】

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献

台湾,林明献