电子技术基础与技能训练试题第三版答案
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模拟电子技术基础第三版课后习题答案
模拟电子技术基础第三版
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE
=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
IB
IC
VBB UBE
26μA
Rb
IB 2.6mA
UCE VCC ICRC 2V
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
IC
IB
VCC UCES
2.86mA
RcIC
28.6μA
Rb
VBB UBE
45.4k
IB
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所
模拟电子技术基础第三版课后习题答案
模拟电子技术基础第三版
一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)× 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C
三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V
五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE
=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。
六、1、
IB
IC
VBB UBE
26μA
Rb
IB 2.6mA
UCE VCC ICRC 2V
UO=UCE=2V。
2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以
IC
IB
VCC UCES
2.86mA
RcIC
28.6μA
Rb
VBB UBE
45.4k
IB
七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。 1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 ui和uo的波形如图所
电子技术基础与技能训练试题
电子技术基础(模拟篇)
第一章 半导体二极管
一、单选题
1. 当温度升高时,二极管正向特性和反向特性曲线分别( )。
A. 左移,下移 B. 右移,上移 C. 左移,上移 D. 右移,下移
2. 在PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流 漂移电流。
A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于
3. 设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程为( )
A. ISeU B. ISeUUT C. IS(eUUT-1) D. ISeUUT-1
4. 下列符号中表示发光二极管的为( )。
ABCD
5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时,其反向电流应满足( )。
A. ID = 0 B. ID < IZ且ID > IZM C. IZ > ID > IZM D. IZ < ID < IZM
6. 杂质半导体中( )的浓度对温度敏感。
A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴
7. 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管两端压降大于( )时处于正
模拟电子技术童诗白第三版答案
第一章常用半导体器件
自测题
一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。 解:(1)√(2)×(3)√(4)×(5)√(6)× 二、选择正确答案填入空内。 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压UD=0.7V。 解:UO1≈1.3V,UO2=0,UO3≈-1.3V,UO4≈2V,UO5≈1.3V, UO6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值UZ=6V,稳定电流的最小值IZmin=5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。
解:UO1=6V,UO2=5V。 五、某晶体管的输出特性曲线如图T1.5所示,其集电极最大耗散功率PCM
=200mW,试画出它的过损耗区。
解:根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将各点连接成曲线,即为临界过损耗线,如解图T1.5所示。临界过损耗线的左边为过损耗区。
解图T1.5
六、电路如图T1.6
所示,VCC=15V,β=100,UBE=0.7V。试问:
(1)Rb=50kΩ时,uO=?
模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A+
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电I/mA压各为多少?3+ U -解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?
模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行 课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。解:在20℃时的反向电流约为:2?3?10?A?1.25?A在80℃时的反向电流约为:23?10?A?80?A+
习题1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示:①如在二极管两端通过1k?的电阻加上1.5V的电压,如图(b),此时二极管的电流I 和电压U各为多少?②如将图(b)中的1.5V电压改为3V,则二极管的电流和电I/mA压各为多少?3+ U -解:根据图解法求解①电源电压为1.5V时1.5?U?I21I1.5V1k?(b)I?0.8A,3?U?II?2.2A,U?0.7V②电源电压为3V时U?0.8V0 0.5 11.52U/V(a)可见,当二极管正向导通后,如电源电压增大,则二极管的电流随之增大,但管子两端的电压变化不大。
习题1-4已知在下图中,uI= 10sinωt (V),RL=1k?
电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案1.0
电路模拟电子技术基础-查丽斌(第三版)随书课后答案
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模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)
模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)希望能对大家有帮助~ -------来自肇庆学院某学子一下午的心血!
第1章 常用半导体器件
1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小
(3)工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时,IC 从lmA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。
A.83 B.91 C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( A ) 。
A.增大; B.不变; C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知ui压可忽略不计。
10sin t(V),试画出ui与uo的波形。设二极管导通电
图P1.2 解图P1.2
解:ui与uo的波形如解
数字电子技术基础简明教程第三版1-3章(含答案)
第一章(选择、判断各20题,填空、思考27题)
一、选择题
1.以下代码中为无权码的为 。
A. 8421BCD码 B. 5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码 2.以下代码中为恒权码的为 。
A.8421BCD码 B. 5421BCD码 C. 余三码 D. 格雷码 3.一位十六进制数可以用 位二进制数来表示。 A. 1 B. 2 C. 4 D. 16 4.十进制数25用8421BCD码表示为 。
A.10 101 B.0010 0101 C.100101 D.10101 5.在一个8位的存储单元中,能够存储的最大无符号整数是 。 A.(256)10 B.(127)10 C.(FF)16 D.(255)10 6.与十进制数(53.5)10等值的数或代码为 。
A.(0101 0011.0101)8421BCD B.(35.8)16 C.(110101.1)2 D.(65.4)8 7.矩形脉冲信号的参数有
《数字电子技术(第三版)》3. 布尔代数与逻辑函数化简
《数字电子技术(第三版)》PPT课件
数字电子技术
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第3章 布而代数与逻辑函数化简学习要点: 学习要点: 三种基本运算,基本公式、定理和规则。 逻辑函数及其表示方法。 逻辑函数的公式化简法与卡诺图化简法。 无关项及其在逻辑函数化简中的应用。
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3.1 基本公式和规则3.1.1 逻辑代数的公式和定理 (1)常量之间的关系与运算: 0 0 = 0
0 1 = 0
1 0 = 0
1 1 = 1
或运算: 0 + 0 = 0非运算: 1 = 0
0 +1=10 =1
1+ 0 =1
1+1=1
(2)基本公式
A + 0 = A 0-1 律: A 1 = A互补律: A + A = 1
A +1 = 1 A 0 = 0
A A = 0
双重否定律: A = A
等幂律: A + A = A
A A = A
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(3)基本定理
A B = B A 交换律: A + B = B + A ( A B) C = A ( B C ) 结合律: ( A + B) + C = A + ( B + C )
A 0 0