mosfet伏安特性

MOSFET的重要特性

（1）为什么E-MOSFET的阈值电压随着半导体衬底掺杂浓度的提高而增大？而随着温度的升高而下降？

【答】E-MOSFET的阈值电压就是使半导体表面产生反型层（导电沟道）所需要加的栅极电压。对于n沟道E-MOSFET，当栅电压使得p型半导体表面能带向下弯曲到表面势ψs≥2ψB时，即可认为半导体表面强反型，因为这时反型层中的少数载流子（电子）浓度就等于体内的多数载流子浓度（～掺杂浓度）；这里的ψB是半导体Fermi势，即半导体禁带中央与Fermi能级之差。阈值电压VT包含有三个部分的电压（不考虑衬偏电压时）：栅氧化层上的电压降Vox；半导体表面附近的电压降2ΨB：抵消MOS系统中各种电荷影响的电压降——平带电压VF。

在阈值电压的表示式中，与掺杂浓度和温度有关的因素主要是半导体Fermi势ψB。当p型半导体衬底的掺杂浓度NA提高时，半导体Fermi能级趋向于价带顶变化，则半导体Fermi势ψB增大，从而就使得更加难以达到ψs≥2ψB的反型层产生条件，所以阈值电压增大。

当温度T升高时，半导体Fermi能级将趋向于禁带中央变化，则半导体Fermi势ψB减小，从而导致更加容易达到ψs≥2ψB的反型层产生条件，所以阈值电

武汉华能阳光电气

PT伏安特性讲解

第一章：技术参数

仪器侧板上装有仪器供电电源插口（带2A保险）和散热风

机，仪器电源插口可接受220V和380V电源输入，仪器会根据输入的电源进行自适应调整。

输入电压

输出范围 测量范围 测量精度 220V 仪器主机 0～600V、0～20A 0～600V、0～20A 0.5% 380V 220V 220V 0～1000V、0～20A 0～1000V、0～20A 0.5% 0～600A 0～600A 变比测量精度1% 0～1650V、0～3A 0～1650V、0～3A 0.5% 外接升压器 380V 外接升流器 外接调压器 仪器工作电源 0～2000V、0～3A 0～2000V、0～3A 0.5% 变比测量精度1% 220V 0～1000A 0～1000A 0～1000V、0～30A 0.5% AC 220V/380V 50HZ 外形尺寸 420×330×320㎜ 重量 24㎏ 表1.1 仪器技术参数 1.3面板结构介绍

1、CT一次侧接线柱 2、CT/PT二次侧接线柱

数字集成电路设计

集成电设路计列系第3章 MSFOT物理E特性与1

上一

数字集成电路设计

讲要内容主 :1传.门输用：应始终控，制数据流制控要点如何进：行钟同步；如时何改数据保持时善间

2 MOSF.T空间E构结点：构成I要及MOSCEFT的向结横构和向结纵，构及以此衍由的工艺生 次层和平面版图；MSFOE开T的基本物关理程。

过 .半导3物体理基础要点：半导的体定义特性、、型类；几参个：数掺杂、电阻率迁移率、2

Updta e012.190

数字集成电路设计

上一主讲内要容 :1.传 门输应用始：控终制数，据流控制要点:如进行何钟同时；步如改何数据保善持时

间 .M2SFOE空T结间构要点：构成ICM及OSETF的向横结构和向纵构，结以由及衍此的工生 层艺和次平面版图M;OFETS开关的本基理过程。物

3 半.导物理体础要基点：半体导的定义、特性、类型几；个参：数掺杂电阻、率、迁移率3

Udatp e2101.90

数字集成电路设计

本章概要 述概 导体物理半基础 pn结 MOFSTE物理学 nFE I-VT特 性 尺寸小EF T p FT EI-特V性 FT开E关性特 COM物S理结构 SIPE模型C4

Updaet 210

实验一电路元件的伏安特性

、实验目的:

1、研究电阻元件和直流电源的伏安特性及其测定方法。

2、学习直流仪表设备的使用方法。

、原理及说明：

1、独立电源和电阻兀件的伏安特性可以用电压表、电流表测定，称为伏安测量法(伏安表法)

伏安表法原理简单，测量方便，同时使用于非线性元件伏安特性的测定。

2、理想电压源的端电压U s(t)是确定的时间函数，而与流过电源的电流大小无关。如果U s(t)不随时间变化(即为常数)，则该电压称为理想直流电压源U s(t)，其伏安特性曲线如图1-1中

曲线a所示，实际电压源的特性曲线如图1-1中曲线b所示，它可以用一个理想电压源U s(t)和电阻R s相串联的电路模型来表示(图1-2)。显然R s越大，图1-1中的0角也越大，其正切的

绝对值代表实际电源的内阻R s。

图1-2

图1-1

3、理想电流源向负载提供的电流是确定的函数，与电源的端电压大小无关。如果

间变化(即为常数)，则该电流源称为理想直流电流源I s(t)，其伏安特性曲线如图

I s(t)不随时

1-3中曲线a 所示，实际电流源的特性曲线如图1-1中曲线b所示，它可以用一个理想电流源I s和电导G s相并联的电路模型来表示(图实

际电源的内导G s。

1-4)。显然G s越大，图1-

中国石油大学（华东）现代远程教育

实验报告

课程名称：大学物理(二)

实验名称：电学元件伏安特性研究 实验形式：在线模拟+现场实践 学生姓名： 号： 年级专业层次： 网络秋高起专 学习中心：

习中心

提交时间： 2014 年 4 月 26 日

(1) 动态电阻为

(2) 显然，非线性元件的电阻是工作状态的函数。 2.二极管的伏安特性 半导体二极管根据所用材料的不同可分为硅二极管和锗二极管等。 二极管最重要的导电特性就是 PN 结 的单向导电性。当外加正向电压时，二极管呈现的电阻值很小，能够通过很大的电流。当外加反向电压时， 二极管所呈现的电阻则很大，流过的电流却很小。二极管的电流随电压变化的规律常用伏安特性曲线描述， 某种二极管

的伏安特性曲线如图 2 所示。在二极管的正端接高电位、负端接低电位(正向接法)的条件下， 两端电压不到 1V 时，电流就可达 400mA。在二极管的负端接高电位、正端接低电位(反向接法)条件下， 两端电压小于 100V 时，反向电流很小；但电压超过 110V 时，反向电

实验十五 循环伏安特性的研究

1 目的要求

(1) 了解循环伏安法的基本原理及其在电化学研究中的应用

(2) 测定镍在碱性溶液中的循环伏安曲线

(3) 通过本实验加深对几种镍的氢氧化物之间相互转化及稳定性的理解

2 基本原理

线性电位扫描伏安法是电化学研究中最基本的实验方法之一，常用的线性电位扫描有单程伏安法和循环伏安法。

所谓单程伏安法就是恒电位仪处在控制电位状态下，选择某初始电位使电极电位按指定的方向和速度随时间线性变化到某一指定的电位并计录极化电流和极化电位的相互关系。

所谓循环伏安法就是使恒电位仪处在崆制电位状态下选择某一初始 电位，然后使电极电位按指定的方向和速度随时间线性变化，达到某一指定电位后又自动地以同样的速度逆回到初始电位,同时纪录极化电流和极化电位的关系, 若这种只进一次, 称单循环伏安法。若这种过程重复多次，直至相对稳定后才记录伏安曲线称为重复循环伏安法。 在扫描电位范围内，若在某一电位

出现电流峰，就表现在电位发生了电极反

应（有时与法拉第吸附过程有关）。每一个

电流峰对应一个反应。在扫描过程中，若

在正向扫描时电极反应的产物是足够稳定

的，能在电极表面发生电极反应，那么在

逆回扫描电位范围内将出现于正相电流峰

相对应的逆向电流峰

实验一 电路元件伏安特性的测试（验证性）

一、实验目的

1.学会识别常用电路元件的方法。

2.掌握线性电阻、非线性电阻元件伏安特性的测绘。 3.掌握实验台上直流电工仪表和设备的使用方法。 二、原理说明

任何一个二端元件的特性可用该元件上的端电压U与通过该元件的电流I之间的函数关系I＝f(U)来表示，即用I-U平面上的一条曲线来表征，这条曲线称为该元件的伏安特性曲线。

1.线性电阻器（由欧姆定律U(t)=R i(t)定义， 关联参考方向，阻值R为常数，元件对不同方向的电流或不同极性的电压，其表现是一样的，两个端钮没有任何区别，这种性质为所有的线性电阻所具备，称为双向性。）的伏安特性曲线是一条通过坐标原点的直线，如图1-1中a曲线所示，该直线的斜率的倒数等于该电阻器的电阻值。

2.一般的白炽灯在工作时灯丝处于高温状态，其灯丝电阻随着温度的升高而增大，通过白炽灯的电流越大，其温度越高，阻值也越大，灯丝电阻可视为非线性电阻。（电阻元件凡不是线性的就称为非线性的）一般灯泡的“冷电阻”与“热电阻”的阻值可相差几倍至十几倍，所以它的伏安特性如图1-1中b曲线所示。

图1-1

3.一般的半导体二极管是一个非线性电阻元件，其伏安特性如图1-1中c所示。正向压降

测量小灯泡的伏安特性曲线

系别： 化学与药学系 专业班级：药物制剂7班 姓名： 袁楚婷 孙思琪 指导老师：张玲玲

摘要：小灯泡在电流一定范围内电压与电流的关系为U=KI^n，K和n是小灯泡有关的系数 关键词：外接法;分压式;伏安特性曲线;最小二乘法

一. 实验目的

（一） （二） （三）

掌握各仪器的使用方法及正确的连接方法 掌握用伏安法测量电阻的基本方法及误差分析 测定非线性带内阻的伏安特性

二. 实验要求

（一） 设计测量小灯泡的伏安特性曲线的电路。伏安法中有电流表内

接和外接法两种，应分析使用哪一种？若用数字万用表的直流电压档测量又如何呢？设计中要考虑电压表、电流表的等级、量程等参数。 （二） （三） （四）

验证公式：V=KI^n

用电脑软件处理实验数据，求系数K和n。

思考如何求室温下灯丝的静态电阻和动态电阻(R=dU∕dI)

三. 实验方案

电学元件的电流和电压之间关系曲线称为伏安特性曲线，不同电学元件的伏

安特性曲线不同。电阻的伏安特性曲线――线性，小灯泡的伏安特性曲线――非线性，二极管（正向和反向）的伏安特性曲线――非线性。

根据部分电路欧姆

武汉市华天电力自动化有限责任公司

HTFA-V伏安特性测试仪

第一章 产品介绍 1.1概述

CT伏安特性测试仪是一款全自动化的PT、CT特性测试仪器，仪器可以完成的试验包括： CT伏安特性试验、PT伏安特性试验，CT极性试验、PT极性试验，CT变比极性试验和PT变比极性试验，自动计算CT的任意点误差曲线，CT/PT变比比差等结果参数，仪器具有以下特性：

仪器操作安全方便，全微机化装置，内置进口高性能CPU，可靠性高，按界面提示设定测试值后，不需人工接触被测试设备，仪器自动完成测试，使试验人员远离高压电路，确保其人身安全。 输出容量大，伏安特性试验最大输出电压高达1000V，变比测试最大电流高达600A，仪器输出容量为5KVA。

可选配件包括外接升压器，外接升流器，外接调压器，外接升压器最高电压可升至2000V，3A，外接升流器可升至1000A，外接调压器最大输出可达1500V，20A，采用外接升压器时，最高可做500KV等级1A电流互感器的伏安特性试验。

大屏幕320*240点阵汉字图形界面，测试完成后可直接显示伏安特性曲线图，图形清晰，美观，易于分析，自带微型打印机，可随时

实验一 电路元件伏安特性的测试（验证性）

一、实验目的

1.学会识别常用电路元件的方法。

2.掌握线性电阻、非线性电阻元件伏安特性的测绘。 3.掌握实验台上直流电工仪表和设备的使用方法。 二、原理说明

任何一个二端元件的特性可用该元件上的端电压U与通过该元件的电流I之间的函数关系I＝f(U)来表示，即用I-U平面上的一条曲线来表征，这条曲线称为该元件的伏安特性曲线。

1.线性电阻器（由欧姆定律U(t)=R i(t)定义， 关联参考方向，阻值R为常数，元件对不同方向的电流或不同极性的电压，其表现是一样的，两个端钮没有任何区别，这种性质为所有的线性电阻所具备，称为双向性。）的伏安特性曲线是一条通过坐标原点的直线，如图1-1中a曲线所示，该直线的斜率的倒数等于该电阻器的电阻值。

2.一般的白炽灯在工作时灯丝处于高温状态，其灯丝电阻随着温度的升高而增大，通过白炽灯的电流越大，其温度越高，阻值也越大，灯丝电阻可视为非线性电阻。（电阻元件凡不是线性的就称为非线性的）一般灯泡的“冷电阻”与“热电阻”的阻值可相差几倍至十几倍，所以它的伏安特性如图1-1中b曲线所示。

图1-1

3.一般的半导体二极管是一个非线性电阻元件，其伏安特性如图1-1中c所示。正向压降