cmos设置程序

CMOS设置，有时又称BIOS设置，也许大家觉得这里的设置比较神秘,那蓝色的禁区对于菜鸟来说一直都是个难以逾越的障碍.其实，在平时的操作过程中，我们也不是用得很多，只须掌握一些最常用的设置方法便可以，更多的功能会在你熟悉这些基本的操作之后一步一步地学会。今天我就带着大家一起来跨过这座大山,让你对它的设置不再一无所知。 第一步：

在开机时，屏幕上学有这样的提示——\SETUP\

方框中这行英文的意思是说“按Delete键进入CMOS设置”，我们在这时候按键盘上的\或数字小键盘上的“DEL”键，便可以进入CMOS设置界面。 第二步：

不同的电脑因主板不同可能有不同的CMOS界面，但总的也就是AWARD、AMI、Phoenix等几种。界面形式虽然不同，但是功能基本一样，所要设置的项目也差不多。这是AWARD的CMOS设置画面，是最常见的一种。其实你只要明白一种CMOS的设置方法，其它是就可以触类旁通了。它们的下面有很多个参数可以设置，大部分项本来就已经设置了正确的参数值，或者说很多先期对电脑的运行影响不太在，所以一般我们只要注意几个关键项就可以了。 设置CMOS时，只简单地做以下几步：

1、

BIOS和CMOS设置

第 6 章 BIOS设置与升级 6.1 认识 BIOS 6.2 BIOS设置剖析 6.3 BIOS 的升级

BIOS和CMOS设置

6.1 认 识 BIOS 谈到BIOS,离不开Firmware和ROM(Read Only Memory,只读存储器)芯片.Firmware是软件 ,但与普通的软件完全不同,它是固化在集成 电路内部的程序代码,集成电路的功能就是由 这些程序决定的.ROM是一种可在一次性写入 Firmware(这就是"固化"过程)后,多次读 取的集成电路芯片.由此可见,ROM仅仅只是 Firmware的载体,而通常所说的BIOS正是固化 了系统主板Firmware的ROM芯片.

BIOS和CMOS设置

– 6.1.1 BIOS的分类 的分类 –1.按芯片类型分类 按芯片类型分类,BIOS可分为如下几种. ① ROM(Read Only Memory,只读存储器), 如图6-2所示.图 6 2 ROM

BIOS和CMOS设置

② PROM ( Programmable ROM , 可 编 程 ROM),如图6-3所示.

图6-3 PROM

BIOS和CMOS设置

EPROM ( Erasable P

目录实训1实训2 实训3

奔腾计算机的组装多媒体奔腾计算机的组装 计算机系统的CMOS设置

实训4实训5 实训6

计算机系统软件的安装计算机系统的测试和优化 计算机的网络

实训7实训8

计算机主要的外部设备微型计算机系统的维护维修

退出

实训3

计算机系统的CMOS设置

实训目的: (1)理解计算机COMS设置方法 (2)掌握计算机分区和高级格式 化操作方法

3.1 CMOS的设置3.1.1 CMOS和BIOS的基本概念 CMOS RAM本身是一块存储器，只有保存数据的功能，而对CMOS 中各项参数的设定要通过专门的程序BIOS进行。BIOS是厂家事先烧录 在主板上只读存储器中的软件，此软件不会因计算机关机而丢失，称为 系统基本输入输出程序。 3.1.2 常见的CMOS设置方法 1.开机启动时的快捷键 在开机时按下特定组合键可以进入CMOS设置。不同类型的计算机进 入CMOS设置的按键不同，有的在屏幕上给出提示，有的不给出提示。 2.系统提供的软件 这是CMOS设置发展的一个趋势。现在，很多主板都提供DOS下对系 统CMOS设置信息进行管理的DMI(桌面管理接口)程序。 3.可以读写CMOS的应用软件 一些应用程序提供了对CMOS的读、写、修改功能，通过它们可以

CMOS门电路

以MOS（Metal-Oxide Semiconductor）管作为开关元件的门电路称为MOS门电路。由于MOS型集成门电路具有制造工艺简单、集成度高、功耗小以及抗干扰能力强等优点，因此它在数字集成电路产品中占据相当大的比例。与TTL门电路相比，MOS门电路的速度较低。

MOS门电路有三种类型：使用P沟道管的PMOS电路、使用N沟道管的NMOS电路和同时使用PMOS和NMOS管的CMOS电路。其中CMOS性能更优，因此CMOS门电路是应用较为普遍的逻辑电路之一。 1. CMOS非门

图3-16所示是一个N沟道增强型MOS管TN和一个P沟道增强型MOS管TP组成的CMOS非门。

图3-16 CMOS非门电路 图3-17 CMOS与非门电路

两管的栅极相连作为输入端，两管的漏极相连作为输出端。TN的源极接地，TP的源极接电源。为了保证电路正常工作，VDD需要大于TN管开启电压VTN和TP管开启电压VTP的绝对值的和，即UDD> UTN+ |UTP|。当Ui=0V时，TN截止，TP导通，Uo≈UDD为高电平；当Ui=UDD时，TN导通，TP截止，Uo≈0V为低电平。因此实现了非逻辑功能。

CMOS非门除了有较好的动态特性外，由于C

第二章：MOS器件物理

1．概念：

熟悉增强型NMOS管的工作原理，画出NMOS输出特性曲线并指出线性区和饱和区，NMOS漏电流随VGS的变化曲线，画出NMOS截止区，线性区和饱和区的实际物理结构图，NMOS工作在线性区，深线性区和饱和区的直流导通电阻。NMOS管的衬底效应，NMOS管的衬底效应阈值电压的计算公式；NMOS管的沟道调制效应；NMOS管考虑沟道调制效应时的输出电阻表达式。NMOS管的亚阈值效应，NMOS管在亚阈值区域的电流Id和Vgs的关系表达式。

当Vgs小于Vth时，NMOS管截止；当Vgs大于Vth时，在NMOS管漏极和源极间形成反型层，即导电沟道。这时在Vds的正向电压的作用下，NMOS管漏极和源极间有电流产生。当Vds

2．直流导通电阻：

⑴ 线性区的直流导通电阻（Vgs>Vth, Vds

Ron?Vds1? IdsKn2(Vgs?Vth)?Vds⑵ 深线性区的直流导通电阻（Vgs>Vth, Vds<<2(Vgs-Vth）:

Ron?Vds1? IdsKn2(Vgs?Vth)⑶ 饱和区的直流导通电阻 （Vgs>Vth, Vds≧Vgs-Vth）:

Ron?Vds1? IdsKn(Vgs?Vth)23．衬底效应：

1

由于

wince 自动启动程序设置

修改注册表[HKEY_LOCAL_MACHINE\\init] “Launch80〃=”app.exe” “Depend80〃=hex:14,00,1e,00

这个是设定启动顺序，launch后面的数字越大的越是后启动，Depend80后面的指定依赖项，为16进制，上面的语句表明依赖项为launch20 定义的device.exe和launch30中定义的gwes.exe， 注意Launch后面的数字范围为0到99

如何让应用程序随wince操作系统自启动

如何让应用程序随wince操作系统自启动呢？我搜索了一下，网上有不少方法，但有时也会有疏漏的地方，通常一点小小的错误也会导致整个环节不能进行下去。在此，我想跟大家共同探讨一下，欢迎大家指正。

首先，假设你的应用程序为：MyApp.exe。

方法一：主要思想：将应用程序及其快捷方式也添加到映像里，再将快捷方式添加到StartUp目录下，这样当系统运行后应用程序就能自动运行。

步骤：

1先保证原工程文件是可以编译成功的。假设编译好的nk.bin文件所在文件夹为xxx_Relase。

2创建快捷方式文件MyApp.lnk，文件内容如下： 10#”\\W

实验一 HSPICE实践

一、实验目的

1、熟悉电路仿真工具Hspice的基本语法及其使用方法。

2、会使用Hspice编写程序对简单RCL电路及双极型电路进行仿真。

3、结合MOS器件的工作原理，会使用Hspice编写程序查看MOS器件的各种特性曲线。

二、实验原理

在电学上MOS管作为一种电压控制的开关器件。当栅-源电压Vgs等于开启电压VT时，该器件开始导通。当栅—源间加一电压Vds以及Vgs=VT时，由于源-漏电压和栅-衬底电压而分别产生的电场水平起着使电子沟道向漏极运动的作用。随着源-漏电压的增加，沿沟道电阻的压降会改变沟道的形状。MOS管的这个行为特性如图1所示。在沟道源端，栅极电压在使沟道反型过程中全部有效；然而在沟道漏端，只有栅极和漏极间的电压差才是有效的。当有效栅电压（Vgs-VT）比漏极电压大时，随着Vgs的增加，沟道变得更深，这时沟道电流Ids既是栅极电压也是漏极电压的函数，习惯上称这个区域为“线性”区或“电阻”区，或“非饱和”区。如果Vgs大于Vds-VT；即，当Vgd

在源-漏电压和栅极电压固定的情况下，影响源极流向漏极（对于给定的衬底电阻率）的漏极电流Ids大小的因素有：

（1）源、漏之间的距离； （2）沟道宽度；

1.作用：用于提供编译器的初始化C库函数设置用户程序的堆栈所需要的堆栈信

息。

2。__user_initial_stackheap() 返回：

r0 中的堆基址

? r1 中的堆栈基址，即堆栈区中的最高地址

? r2 中的堆限制

? r3 中的堆栈限制，即堆栈区中的最低地址。

?

有单区模型和双区模型。

单区模型：(r0,r1)是单个堆栈和堆区。r1 大于 r0，并忽略 r2 和 r3。

r0--r1这一块内存区域被堆和栈共用，堆从r0向上生长，栈从r1向下生长。

双区模型：(r0, r2)是初始堆，(r3, r1) 是初始堆栈。r2 大于或等于 r0。r3 小于 r1。

堆和栈分别指定了单独的内存区域。

3.如果不使用分散加载文件，则__user_initial_stackheap()必须由用户自己实现。

实现例子：

; User Initial Stack & Heap

AREA |.text|, CODE, READONLY

IMPORT __use_two_region_memory EXPORT __user

实验课1 MOS管特性分析

无说明情况下,实验采用课本32页给出的MODEL。

NMOS

LEVEL=1 VT0=0.7 GAMMA=0.45 PHI=0.9 NSUB=9e+14 LD=0.08e-6 U0=350 LAMBDA=0.1 TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.56e-3 CJSW=0.35e-11 MJ=0.45 MJSW=0.2 CGDO=0.4e-9 JS=1.0e-8 PMOS

PHI=0.8 LEVEL=1 VT0=-0.8 GAMMA=0.4 NSUB=5e+14 LD=0.09e-6 U0=100 LAMBDA=0.2 TOX=9e-9 PB=0.9 CJ=0.94e-3 CJSW=0.32e-11 MJ=0.5 MJSW=0.3 CGDO=0.3e-9 JS=0.5e-8 一、实验内容和步骤

1. 执行示例中的仿真程序，给出仿真结果。并在NMOS的栅源电压为

CMOS制作的基本工艺的详细介绍,让刚入门的你对CMOS乃至集成电路的制作有一个系统的认识。

CMOS制作基本步骤

CMOS的制作步骤是需要经过一系列的复杂的化学和物理操作最终形成集成电路。而做为一名集成电路版图（ic layout）工程师，对于这个在半导体制造技术中具有代表性的CMOS工艺流程有个系统的了解是有很大帮助的。个人认为只有了解了工艺的版工才会在IC Layout的绘制中考虑到你所画的版图对流片产生的影响。

芯片制造厂（Fab）大概分为：扩散区，光刻区，刻蚀区，离子注入区，薄膜区和抛光区。扩散是针对高温工艺，光刻利用光刻胶在硅处表面刻印，刻蚀将光刻胶的图形复制在硅片上，离子注入对硅片掺杂，薄膜区淀积介质层和金属层，抛光主要是平坦化硅片的上表面。

简化的CMOS工艺由14个生产步骤组成：（1）双阱注入在硅片上生成N阱和P阱。（2）浅槽隔离用于隔离硅有源区。（3）通过生长栅氧化层、淀积多晶硅和刻印得到栅结构。（4）LDD注入形成源漏区的浅注入。（5）制作侧墙在随后的源、漏注入当中保护沟道。（6）中等能量的源、漏注入，形成的结深大于LDD的注入深度。（7）金属接触形成硅化物接触将金属钨和硅紧密结合在一起。

（8）局部互连形成晶体管和触点间的第一层