晶圆自动光学检测

AXI/ICT组合测试是否会成为SMT测试的主流技术?

由于市场竞争日趋激烈，电子产品制造商对如何提高产品成品率和产量格外关注。而在SMT生产线中采用何种测试技术对以上两点的影响举足轻重。

目前线路板越来越复杂，传统的ICT测试受到了极大限制。随着线路板的密度不断增大，ICT测试必须不断增加测试接点数，这会有两个弊端：一、将导致测试编程和针床夹具的成本呈指数倍上升。开发测试程序和夹具通常需要几个星期的时间，更复杂的线路板则要一个多月。二、将导致ICT测试出错和重测次数的增多。对ICT构成挑战的还有不断减小的引脚距离。目前高引脚数的封装包括PGA、 QFP、 BGA等，它们的封装密度可达到每平方厘米有几百只引脚。这种引脚密度使测试探针难以插入，也无法增加专用测试焊盘。因此，ICT测试已不能满足未来线路板的测试要求，电子制造商们需要寻找新的测试手段。

自动光学检测系统(AOI)是近几年发展起来的以光学系统为主的检测系统。AOI系统的优点是测试速度快、缺陷捕捉率高。AOI不但可对焊接质量进行检验，还可对光板、焊膏印刷质量、贴片质量等进行检查。因此，采用AOI系统，不仅可以提高生产效率，也能提高产品质量。目前，已有越来越多的厂商采用了AOI系统。

晶圆制造过程

集成电路的生产从抛光硅片的下料开始。图4.16的截面图按顺序展示了构成一个简单的MOS栅极硅晶体管结构所需要的

基础工艺。每一步工艺生产的说明如下：

第一步：增层工艺。对晶圆表面的氧化会形成一层保护薄膜，它

可作为掺杂的屏障。这层二氧化硅膜被称为场氧化层。 第二步：光刻工艺。光刻制程在场氧化层上开凹孔以定义晶体管

的源极、栅极和漏极的特定位置。

第三步：增层工艺。接下来，晶圆将经过二氧化硅氧化反应加工。晶圆暴露的硅表面会生长一层氧化薄膜。它可作为栅极氧化层。 第四步：增层工艺。在第四步，晶圆上沉积一层多晶硅作为栅极

构造的。

第五步：光刻工艺。在氧化层/多晶硅层按电路图形刻蚀的两个

开口，它们定义了晶体管的源极和漏极区域。

第六步：掺杂工艺。掺杂加工用于在源极和漏极区域形成N阱。 第七步：增层工艺。在源极和漏极区域生长一层氧化膜。 第八步：光刻工艺。分别在源极、栅极和漏极区域刻蚀形成的孔，

称为接触孔。

第九步：增层工艺。在整个晶圆的表面沉积一层导电金属，该金

属通常是铝的合金。

第十步：光刻工艺。晶圆表面金属镀层在芯片和街区上的部分按照电路图形被除去。金属膜剩下的部分将芯片的每个元件准确无

误地按照设计要求互相连接

自动光学检测技术的应用与发展

自动光学检测技术的应用与 发展Automated Optical Inspection

自动光学检测技术的应用与发展

Innovating Customer Value

AOI是什麼? 是什麼? 是什麼Automated Optical Inspection 自动光学检查机 一般区分为: 一般区分为: COLOR CCD CAMERA B/W CCD CAMERA

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AOI可以做什麼? 可以做什麼? 可以做什麼 外观检查 PCB制造业 制造业 电子加工业 半导体产业 汽车灯泡内壳 零组件生产 其他3

自动光学检测技术的应用与发展

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AOI and Electrical Test Are Best Used TogetherAOILow solder Unwetted pins Missing bypass caps Skewed / misplaced devices Billboarded devices Open power or parallel pins Surface defectsLifted

晶圆（Wafer） 制程工藝學習

晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」。一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒。一支85公分长，重76.6公斤的8吋 硅晶棒，约需2天半时间长成。经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料 晶圆片。

光 学 显 影

光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻 下面的薄膜层或硅晶上。光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、 曝光和显影等程序。小尺寸之显像分辨率，更在 IC 制程的进步上，扮演着 最关键的角色。由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光。因此俗称此区为 黄光区。

干 式 蚀 刻 技 术

在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除。干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应。

电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响。首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子。此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带

晶圆切片和线锯制造技术 一，高（PI）的

和五普拉萨德，j的李米Bhagavat

机械工程学系，纽约州立大学石溪分校，纽约11794-2300

摘要：线锯，其能力削减半导体材料非常薄硅片多晶硅铸锭从大直径， 已经成为一个领先的技术和光伏产业的晶圆生产半导体。 不过，该电线 锯切过程中仍缺乏理论方法和不正确的理解。 近代强制 更准确，高效的制造，使人们必须明白这研磨液和切削过程 优化它。 由于认识到这个续集，控制工具，可以发展成为监测的最佳工艺。 本文

之间作出比较，有丝锯和内径（ID）的锯已用于切割半导体晶片。 这种比较优势带出了线锯锯过身份证尊重多数。

简介：线锯，技术操作上的自由磨料加工（FAM的），是一种新兴技术 大直径薄壁晶体和晶圆生产半导体光电（PV）产业。 它的优点

跨度从生产产量和生产效率非常薄的硅片小切口损失高。 自中世纪时代 线锯已被认定的石头用于切割各种材料，如硬和其他花岗岩砖。

不过，线锯裁剪质量要求的条件，并在晶圆厚度是非常不同的电子产品 和光电应用的过程比传统的。

评价一个线锯切割过程表明，它是一个不好理解的现象，没有模型

存在的仿真

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非接触晶圆测试原理及应用

张林海 张俊 赖海波 无锡华润华晶微电子有限公司五分厂

摘 要：本文介绍非接触晶圆测试系统的原理和在半导体生产中的主要应用，包括以表面光电压测试（SPV）为基础的介质层可动电荷测试、C-V测试和I-V测试，体硅表面掺杂以及扩散长度、载流子寿命等应用。 关键词：非接触、电荷、SPV

Abstract：This paper introducing non-contact electrical measurement system produce a medium application in the semi-conductor, mainly include the test principle, Surface photo voltage，Mobile charge, C-V and I-V, at the same time still some applications aiming at other equipmentses and materials in the semi-conductor. Key word: non-contact charge SPV

一、 引言

随着非接触

Halcon检测圆(blob外接圆法） （转） 原图如下：

检测结果如下：

代码如下：

dev_close_window ()

dev_update_window ('off')

read_image (Image, 'C:/Documents and Settings/Administrator/桌面/样品图.jpg')

get_image_size (Image, Width, Height)

dev_open_window_fit_image (Image, 0, 0, Width, Width, WindowID) set_display_font (WindowID, 12, 'Courier', 'true', 'false') dev_set_draw ('margin') dev_set_line_width (4) dev_display (Image)

* 定位检测区域

threshold (Image, Regions, 0, 45)

connection(Regions,ConnectedRegions)

select_shape (ConnectedRegions, SelectedRegions, 'a

文档参考了相关资料,加以完整。

药物晶型常用的检测分析方法

物质在结晶时由于受各种因素影响，使分子内或分子间键合方式发生改变，致使分子或原子在晶格空间排列不同，形成不同的晶体结构。同一物质具有两种或两种以上的空间排列和晶胞参数，形成多种晶型的现象称为多晶现象(polymorphism)。虽然在一定的温度和压力下，只有一种晶型在热力学上是稳定的，但由于从亚稳态转变为稳态的过程通常非常缓慢，因此许多结晶药物都存在多晶现象。固体多晶型包括构象型多晶型、构型型多晶型、色多晶型和假多晶型。物质在结晶时由于受各种因素影响，使分子内或分子间键合方式发生改变，致使分子或原子在晶格空间排列不同，形成不同的晶体结构。同一物质具有两种或两种以上的空间排列和晶胞参数，形成多种晶型的现象称为多晶现象(polymorphism)。虽然在一定的温度和压力下，只有一种晶型在热力学上是稳定的，但由于从亚稳态转变为稳态的过程通常非常缓慢，因此许多结晶药物都存在多晶现象。固体多晶型包括构象型多晶型、构型型多晶型、色多晶型和假多晶型。

药物分子通常有不同的固体形态，包括盐类，多晶，共晶，无定形，水合物和溶剂合物；同一药物分子的不同晶型，在晶体结构，稳定性，可生产性和生物利用度等性质方面可

浅谈粗晶材料及其超声检测技术

安东石油技术（集团）有限公司 陈先富

[摘要]本文介绍了几种常见粗晶材料的组织结构特点，理论上分析了粗晶材料晶粒度

对超声检测的影响，总结了粗晶材料的现有超声检测方法。

超声检测是常规无损检测方法之一。与其他方法相比，超声检测具有灵敏度高、穿透力强、指向性好、检测速度快、成本低等优点，因此在机械制造、冶金、航空航天、石油化工、铁路运输等众多工业领域中得到了广泛应用。然而，当被检测材料的微观结构（如钢中的晶粒和铸铁中的石墨片）较大时，会造成严重的材料噪声和声波衰减，致使超声检测的高灵敏度、强穿透力等优越性严重下降。因此，提高强散射材料缺陷检出能力和信噪比是无损检测领域中的重要研究课题。

粗晶材料是超声探伤中经常遇到的强散射材料，其对超声检测能力的影响是由材料本身组织特点决定的。

1． 几种常见粗晶材料 ⑴奥氏体不锈钢

工业生产中，通过向钢中添加镍、锰、氮等奥氏体化合金元素，抑制奥氏体转化温度，使常温下奥氏体相呈稳定状态，以获得奥氏体不锈钢。奥氏体钢冷却时不经过相变，常温下的晶粒就是高温时的粗大奥氏体晶粒。这使奥氏体不锈钢对超声的散射很大，散射信号作为噪声，在探伤仪屏幕上