光电子技术安毓英课后答案

课后题答案

1.1设半径为Rc的圆盘中心发现上，距圆盘中心为l0处有一辐射强度为Ie的点源S，如下图所示。试计算该点光源发射到圆盘的辐射功率。

思路分析：要求?e由公式Ee?题过程如下： 法一

d?ed?e，Ie?都和?e有关，根据条件，都可求出。解dAd?Ee?故：?e?d?e dA2?Rc?0EedA

Ie l02又：Ee?代入上式可得：

?e?法二：

Ie2 ?Rc2l0Ie?d?e d??e??2?Rc2l00Ied?

Ie?Rc2?e?2

l01.2如下图所示，设小面源的面积为?As，辐射亮度为Le，面源法线与l0的夹角为被照面的面积为?Ac，到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角，?s；

试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。

思路分析：若求辐射照度Ee，则应考虑公式Ee?虑如何求Ie。通过课本上的知识可以想到公式Le?题过程如下：

解：

Ie。又题目可知缺少Ie，则该考2l0dIe，通过积分则可出Ie。解

dScos?Ee?由Le?Ie 2l0dIe可得

dScos?Ie???As0Lecos?dS

= Lecos??As，故：

Ee?IeLecos??As ?22l0l01.3假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射

第一章

1. 设在半径为Rc的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。 解：因为

d??dSr2Ie??d?ed?Rc，

S ?0sin?d?d??2??1?cos??l0l0?Rc22l0 Rc 且

??2??1???????l0l0?Rc22第1.1题图

?? ??所以?e

??Ied??2?Ie?1???2. 如图所示，设小面源的面积为?As，辐射亮度为Le，面源法线与l0的夹角为?s；被照面的面积为?Ac，到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角，试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。 解：亮度定义:

Le?dIe?Arcos?r

?s Le 强度定义:Ie?d?ed?

?Le?Ascos?sd? ?As ?Ac l0 第1.2题图

?c 可得辐射通量：d?e

20在给定方向上立体角为：d???Accos?cl

d?edA?Le?Ascos?scos?cl20则在小面源在?Ac上辐射照度为：Ee?

3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度Le均相同，试计算该扩展源在面积为Ad的探测器表面上产生的辐

第一章

1. 设在半径为Rc的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。

d?ed?， 解：因为

RcdSd??2??sin?d?d??2??1?cos??0r 且 ??l0??2??1??l02?Rc2?????l0?? 所以?e?Ied??2?Ie1?2?l0?Rc2???Ie?S l0 Rc 第1.1题图

2. 如图所示，设小面源的面积为?As，辐射亮度为Le，面源法线

与l0的夹角为?s；被照面的面积为?Ac，到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角，试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。

dIe?s ?Arcos?r Le l0 解：亮度定义:

?As ?c d?e强度定义:Ie?

d?第1.2题图

可得辐射通量：d?e?Le?Ascos?sd?

?Acos?在给定方向上立体角为：d??c2c

l0d?L?Acos?cos?c则在小面源在?Ac上辐射照度为：Ee?e?es2s

dAl0Le??Ac

3.假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度Le均相同，试计算该扩展源在面积为Ad的探测器表面上产生的辐

光电子技术解答

（收集整理版）

配套 光电子技术（第三版）

安毓英 编著

电子工业出版社

习 题1

1. 设在半径为Rc的圆盘中心法线上，距盘圆中心为l0处有一个辐射强度为Ie的点源S，如图所示。试计算该点源发射到盘圆的辐射功率。

S l0 Rc

第1题图

1

d?eπRc2解：Ie?， d??2

d?l0

πRc2d?e?Ied??Ie2

l0

2. 如图所示，设小面源的面积为?As，辐射亮度为Le，面源法线与l0的夹角为?s；被照面的面积为?Ac，到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角，试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。

?s ?Ac

Le l0 ?As ?c

第2题图

解：用定义Le?d?edIe和Ee?求解。

dA?Arcos?r3.假设有一个按郎伯余弦定律发射辐射的大扩展源（如红外装置面对的天空背景），其各处的辐亮度Le均相同。试计算该扩展源在面积为Ad的探测器表面上产生的辐照度。 解：辐射亮度定义为面辐射源在某一给定方向上的辐射通量，因为余弦辐射体的辐射亮

度为

Le?dIeo?L

课后题答案

1.1设半径为Rc的圆盘中心发现上，距圆盘中心为l0处有一辐射强度为Ie的点源S，如下图所示。试计算该点光源发射到圆盘的辐射功率。

思路分析：要求?e由公式Ee?题过程如下： 法一

d?ed?e，Ie?都和?e有关，根据条件，都可求出。解

d?dAEe?故：?e?d?e dA2?Rc?0EedA

Ie l02又：Ee?代入上式可得：

?e?法二：

Ie2?R c2l0Ie?d?e d?Ied?

?e??2?Rc2l00Ie?Rc2?e?2

l01.2如下图所示，设小面源的面积为?As，辐射亮度为Le，面源法线与l0的夹角为

?s；被照面的面积为?Ac，到面源?As的距离为l0。若?c为辐射在被照面?Ac的入射角，

试计算小面源在?Ac上产生的辐射照度。

思路分析：若求辐射照度Ee，则应考虑公式Ee?虑如何求Ie。通过课本上的知识可以想到公式Le?题过程如下：

解：

Ie。又题目可知缺少Ie，则该考2l0dIe，通过积分则可出Ie。解

dScos?Ee?由Le?Ie 2l0dIe可得

dScos?Ie???As0Lecos?dS

= Lecos??As，故：

Ee?IeLecos??As ?l02l021.3假如有一个按朗伯余弦定律发射辐射

《光电子技术》参考答案

第三章

1.一纵向运用的 KD*P电光调制器，长为 2cm，折射率 n=2.5，工作频率为 1000kHz。试求此 时光在晶体中的渡越时间及引起的相位延迟。

解：渡越时间为：

2

2 10??L nL ??2.5??????m ?1.67?10?10s

????????d 3?10 8 m / s c / n c

在本题中光在晶体中的渡越引起的相位延迟量为：

对相位的影响在千分之一级别。

????????2???10 m d

6Hz?1.67?10?10 ?1.05?10?3 ??1

3.为了降低电光调制器的半波电压,采用 4块 z切割的 KD*

P晶体连接(光路串联,电路并联)成

纵向串联式结构。试问:(1)为了使 4块晶体的电光效应逐块叠加,各晶体 x和 y轴取向应如何?(2)若

????0.628?m,n0 ?1.51,????????23.6 ?? 10? 12 m/V,计算其半波电压,并与单块晶体调制器比较之.。

63

答：

⑴用与 x轴或 y轴成 45夹角（为 45°-z切割）晶体，横向电光调制，沿 z轴方向加电场，通 光方向垂直于 z轴，形成(光路串联,电

成都信息工程学院考试试卷

2011 ——2012 学年第1学期

课程名称：光电子技术 使用班级：电科2009级试卷形式：开卷 闭卷 √ ． 试题 系名____________班级____________姓名____________学号____________ 得分

一、填空题（30分，每小题3分）

1、光是一种以光速运动的光子流，光子和其它基本粒子一样，具有 、 和质量；其静止质量为 。

一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 密封线内不答题 2、激光与普通光源相比具有如下明显的特点： 。 3、光波在大气中传播时，由于 会引起光束的能量衰减；由于 会引起光波的振幅和相位起伏。

4、声波在声光晶体中传播会引起晶体中的质点

成都信息工程学院考试试卷

2011 ——2012 学年第1学期

课程名称：光电子技术 使用班级：电科2009级试卷形式：开卷 闭卷 √ ． 试题 系名____________班级____________姓名____________学号____________ 得分

一、填空题（30分，每小题3分）

1、光是一种以光速运动的光子流，光子和其它基本粒子一样，具有 、 和质量；其静止质量为 。

一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 密封线内不答题 2、激光与普通光源相比具有如下明显的特点： 。 3、光波在大气中传播时，由于 会引起光束的能量衰减；由于 会引起光波的振幅和相位起伏。

4、声波在声光晶体中传播会引起晶体中的质点

第一章

绪 论

1. 光电子器件按功能分为哪几类？每类大致包括哪些器件？

光电子器件按功能分为光源器件、光传输器件、光控制器件、光探测器件、光存储器件。

光源器件分为相干光源和非相干光源。相干光源主要包括激光和非线性光学器件等。非相干光源包括照明光源、显示光源和信息处理用光源等。

光传输器件分为光学元件(如棱镜、透镜、光栅、分束器等等)、光波导和光纤等。 光控制器件包括调制器、偏转器、光开关、光双稳器件、光路由器等。

光探测器件分为光电导型探测器、光伏型探测器、热伏型探测器、各种传感器等。 光存储器件分为光盘(包括CD、VCD、DVD、LD等)、光驱、光盘塔等。 2．谈谈你对光电子技术的理解。

光电子技术主要研究物质中的电子相互作用及能量相互转换的相关技术，以光源激光化，传输波导（光纤）化，手段电子化，现代电子学中的理论模式和电子学处理方法光学化为特征，是一门新兴的综合性交叉学科。 3．谈谈光电子技术各个发展时期的情况。

20世纪60年代，光电子技术领域最典型的成就是各种激光器的相继问世。

20世纪70年代，光电子技术领域的标志性成果是低损耗光纤的实现，半导体激光器的成熟特别是量子阱激光器的问世以及CCD的问世。

20世纪80年代，

赖老师的课到期中考试为止一共有9次作业，依次分别由冯成坤、饶文涛、黄善津、刘明凯、郑致远、黄瑜、陈奕峰、周维鸥和陆锦洪同学整理，谨此致谢！

作业一：

1、桌上有一本书，书与灯至桌面垂直线的垂足相距半米。若灯泡可上下移动，灯在桌上面多高时，书上照度最大？（假设 灯的发光强度各向通性，为I0） 解：设书的面积为dA，则根据照度的定义公式：

E?d?I0d?? （1） dAdA

其中d?为上图所示的立体角。 因而有：

d??将（2）式代入（1）式得到：

dA?cos?dA?h （2） ?L2?h2(L2?h2)3/2E?I0h （3） 223/2(L?h)dE?0 dh为求最大照度，对（3）式求导并令其等于零，

计算得：

h?122122m

因而，当高度为

m时书上的照度最大。

2、设He-Ne激光器中放电管直径为1mm，发出波长为6328埃的激光束，全发散角为?=10-3rad，辐射通量为3mW，视见函数取 V(6328)=0.24，求： （1）光通量，发光强度，沿轴线方向的亮度？

（2）离激光器10米远处观察屏上照明区中心的照度？

（3）若人眼只宜看一熙提的亮度，保护眼镜的透射系数应为多少？