半导体做光器件时为什么要进行掺杂?

雪崩击穿

电子和空穴受到强电场作用，向相反的方向加速运动，获得很大的动能和很高的速度，就会发生碰撞电离，产生电子—空穴对。 电子和空穴还会继续发生碰撞，产生下一代载流子。如此继续下去，载流子的数量大量增加，这种产生载流子的方式称为载流子的倍增。 当反向电压增大到一数值时，载流子的倍增如同雪崩现象一样，载流子迅速增多，使反向电压急剧增大，从而产生了PN结的击穿，称为雪崩击穿。 缓变基区的自建电场（NPN晶体管）

缓变基区晶体管的基区存在杂质浓度梯度，基区的多数载流子（空穴）相应具有相同的浓度分布梯度，这将导致杂质向浓度低的方向扩散，空穴一旦离开，基区的电中性将被破坏。为了维持电中性，必然在基区中产生一个电场，使空穴反方向的漂移运动来抵消空穴的扩散运动，这个电场称为缓变基区的自建电场。 JFET的本征夹断电压UP0

当栅压UGS增至耗尽层宽度时，成为全沟道夹断，沟道电导下降为零，定义使导电沟道消失所加的栅-源电压为夹断电压UP，此时，栅结上相应总电势差称为本征夹断电压UP0。 简要说明平衡PN结的空间电荷区是如何形成的（5分）。

P型和N型半导体接触，由于在界面处存在着电子和空穴的浓度差，N区中的电子要向P区扩散，P区中的空穴要向N区扩散。这样

雪崩击穿

电子和空穴受到强电场作用，向相反的方向加速运动，获得很大的动能和很高的速度，就会发生碰撞电离，产生电子—空穴对。 电子和空穴还会继续发生碰撞，产生下一代载流子。如此继续下去，载流子的数量大量增加，这种产生载流子的方式称为载流子的倍增。 当反向电压增大到一数值时，载流子的倍增如同雪崩现象一样，载流子迅速增多，使反向电压急剧增大，从而产生了PN结的击穿，称为雪崩击穿。 缓变基区的自建电场（NPN晶体管）

缓变基区晶体管的基区存在杂质浓度梯度，基区的多数载流子（空穴）相应具有相同的浓度分布梯度，这将导致杂质向浓度低的方向扩散，空穴一旦离开，基区的电中性将被破坏。为了维持电中性，必然在基区中产生一个电场，使空穴反方向的漂移运动来抵消空穴的扩散运动，这个电场称为缓变基区的自建电场。 JFET的本征夹断电压UP0

当栅压UGS增至耗尽层宽度时，成为全沟道夹断，沟道电导下降为零，定义使导电沟道消失所加的栅-源电压为夹断电压UP，此时，栅结上相应总电势差称为本征夹断电压UP0。 简要说明平衡PN结的空间电荷区是如何形成的（5分）。

P型和N型半导体接触，由于在界面处存在着电子和空穴的浓度差，N区中的电子要向P区扩散，P区中的空穴要向N区扩散。这样

2014/10/16

2.2 PN结的直流电流电压方程PN结在正向电压下电流很大，在反向电压下电流很小，这说明 PN结具有单向导电性，可作为二极管使用。 PN结二极管的直流电流电压特性曲线，及二极管在电路中的符号为

本节的重点 1、中性区与耗尽区边界处的少子浓度与外加电压的关系。这称为“结定律”,并将被用做求解扩散方程的边界条件； 2、PN结两侧中性区内的少子浓度分布和少子扩散电流； 3、PN结的势垒区产生复合电流

P区 -xp xn

N区

2.2.1外加电压时载流子的运动情况平衡 PN结的能带图 P区 N区外加正向电压 V后，PN结势垒高度由 qVbi降为 q(Vbi -V), xd与 Emax减小，使扩散电流大于漂移电流，形成正向电流。外加电场内建电场

EC Ei

EF EVqVbi

EC EF Ei EV

P

N

E

平衡时外加正向电压时面积为 Vbi面积为 Vbi-V

0

x

正向电流密度由三部分组成： 1、空穴扩散电流密度 Jdp (在 N区中推导 ) 2、电子扩散电流密度 Jdn (在 P区中推导 ) 3、势垒区复合电流密度 Jr (在势垒区中推导 ) P区

J J dp J dn J r

Jdp N区

Jdn

势垒高度降低后不能再阻止 N区电子向 P区的扩散及

2014/10/16

2.2 PN结的直流电流电压方程PN结在正向电压下电流很大，在反向电压下电流很小，这说明 PN结具有单向导电性，可作为二极管使用。 PN结二极管的直流电流电压特性曲线，及二极管在电路中的符号为

本节的重点 1、中性区与耗尽区边界处的少子浓度与外加电压的关系。这称为“结定律”,并将被用做求解扩散方程的边界条件； 2、PN结两侧中性区内的少子浓度分布和少子扩散电流； 3、PN结的势垒区产生复合电流

P区 -xp xn

N区

2.2.1外加电压时载流子的运动情况平衡 PN结的能带图 P区 N区外加正向电压 V后，PN结势垒高度由 qVbi降为 q(Vbi -V), xd与 Emax减小，使扩散电流大于漂移电流，形成正向电流。外加电场内建电场

EC Ei

EF EVqVbi

EC EF Ei EV

P

N

E

平衡时外加正向电压时面积为 Vbi面积为 Vbi-V

0

x

正向电流密度由三部分组成： 1、空穴扩散电流密度 Jdp (在 N区中推导 ) 2、电子扩散电流密度 Jdn (在 P区中推导 ) 3、势垒区复合电流密度 Jr (在势垒区中推导 ) P区

J J dp J dn J r

Jdp N区

Jdn

势垒高度降低后不能再阻止 N区电子向 P区的扩散及

为什么我们要进行土地整治规划

现在我们国家大力推动土地整治工作，进行土地整治工作就必然有土地整治规划，很多人会感觉奇怪，为何要这样进行土地整治规划，土地整治规划有何含义？苏信集团了解到，要想明白为何要进行土地整治规划首先得了解何为土地整治规划。

土地整治规划是指在土地利用总体规划的指导和控制下，对规划区内未利用、暂时不能利用和已利用但利用不充分的土地，确定实施开发、利用、改造的方向、规模、空间布局和时间顺序。土地整治规划内容主要包括：制订规划期内土地整治战略，评价农用地整治、建设用地整治、未利用地开发和土地复垦潜力，明确土地整治的指导原则和目标任务，划定土地整治重点区域，安排土地整治工程（项目），提出规划实施的保障措施和重大政策等。

目前，土地整治在范围上已由分散的土地开发整理向集中连片的田、水、路、林、村综合整治转变；在内涵上已由增加耕地数量为主向增加耕地数量、提高耕地质量、改善生态环境并重转变；在目标上已由单纯的补充耕地向建设性保护耕地与推进新农村建设和城乡统筹发展相结合转变；在手段上已由以项目为载体向以项目、工程为载体结合城乡建设用地增减挂钩政策的运用转变，土地整治管理模式有了显著改变，综合效益有了质的飞跃。

苏信集团认为，进行土地整治

论为什么要进行三大改造 及对三大改造的评价

三大改造，即中华人民共和国建立后，中国共产党领导的对农业、手工业和资本主义工商业的社会主义改造。1953年至1956年，新中国仅仅用了4年时间，就完成了对农业、手工业和资本主义工商业的社会主义改造，使中国从新民主主义社会跨入了社会主义社会。1952年9月，毛泽东在一次中央会议上提出：我们现在就要开始用10年到15年的时间，基本上完成到社会主义的过渡。第二年9月，中共中央公布了过渡时期总路线，就是在一个相当长的时期内，逐步实现国家对农业、对手工业，对资本主义工商业的社会主义改造。 从特定的历史条件看，三大改造运动确具有一定的“必然”性和“惟一选择”性，这些“特定的历史条件”就是意识形态的作用、执政党的价值取向、一边倒的立场、帝国主义的威胁、苏联模式的影响。但统而观之，这些特定的历史条件严格地说都不是构成历史必然性的充分条件，所以在这些条件下发生的“必然”很难说就是历史的必然性，在这些条件下发生的“惟一选择”很难说就是代表历史发展方向的惟一选择。一种直到现在仍然占主导地位的观点认为：虽然三大改造运动存在一定问题，但三大改造是历史的必然，是当时历史条件下的惟一选择。 “三大改造”的依据是“党在过渡时期的总

第八章 金属/半导体接触和MESFET

自从Lilienfeld和Heil在1930年提出场效应晶体管（FET）的概念起，直到20世纪50年代半导体材料工艺发展到一定水平后才做出了可以实际工作的器件。所谓场效应就是利用电场来调制材料的电导能力，从而实现器件功能。除了前面讨论过的MOS、MNOS、MAOS、MFS等都属于场效应器件外,还发展了结型场效应管(J-FET), 肖特基势垒栅场效应管（MES FET）等。本章从金属与半导体接触出发，讨论MES FET的结构和工作原理。

8.1. 肖特基势垒和欧姆接触 8.1.1. 肖特基势垒

当金属和半导体接触时，由于金属的功函数与半导体的功函数不同，在接触的界面处存在接触电势差，就会形成势垒，通常称为肖特基势垒。下面以金属与n型半导体接触为例来讨论肖特基势垒的特性。

(1) 理想情况：假定接触处的半导体表面不存在表面态，图8.1(a)是金属与半导体接触前的能带图(非平衡条件下，其中qφm和qφ

S

分别为金属和半导体的功

1

图8.1

函数，qχ为半导体的电子亲和（势）能。功函数定义为将一个电子从Fermi能级移到材料外面（真空能级）所需要的能量，电子亲和能是将一个电子从导带底移到真空能

培训机构为什么要进行微营销

一．进行营销能带来哪些好处。

营销是创造、传播、交付和交换那些对顾客、客户、合作伙伴和社会有价值的市场供应物的活动、制度和过程。它能在顾客心中营造一种观念/标签，该观念/标签就是他对于该产品的定位。当人们产生与观念相关的需求时，就会联想到对应的产品。从而给用户选择我们的产品更多的机会。

其中涉及到两点好处：一是我们让顾客对产品产生我们想要的印象/标签；二是能让顾客更便捷的选择我们。对于教育机构而言，前者对应的建设品牌，后者对应的扩大生源。

二．相比传统营销方案，微营销有什么好处。

（一）微营销的成本更低。传统的营销方案需要大量物力去带动，而微营销只需在屏幕前编辑。能够以更低的成本，达到营销推广的效果。 （二）微营销更为灵活。传统的营销方式，投入方案后就难以改动。而这时个迅速变化的时代，时刻需要准备着迭代更新。而微营销的内容可以随时做出改动，以适应市场变化。

（三）微营销更有针对性。传统的营销方案，投入到一个区域往往

被动的等待人们去接收，而其中大多不是目标客户。以培训机构为例，采取微营销方式，能直接让家长接触到一线信息，从而更有针对性。

三．培训机构为什么要采取微营销。

（一）培训机构需要采取营销，来提升其竞争力

半导体器件基础总复习

双极型晶体管部分

晶体管由两个 pn 结： 发射结和集电结将晶体管划分为三个区： 发射区、基区及集电区。 相应的三个电极称为发射极、基极和集电极，并用 E，B 和 C ( 或 e，b 和 c ) 表示。 晶体管有两种基本结构： pnp 管和 npn 管。

双极型 NPN 晶体管制造过程： 1、在 N 型衬底中扩散 P 型杂质；

2、在 P 型扩散区中再扩散 N型杂质； 3、在磷氧化层上开出基区和发射区接触孔； 4、蒸发金属；

5、光刻金属，引出及区、发射区引线； 6、制备集电极电极 7、切片、封装

发射效率 ??

JnEJnE??JEJnE?JpE1?1JpE

??1?1JnEDpepneWbDnbn0pbLpe20

可见提高 Ne / Nb，降低 R□e / R□b可提高发射效率，使γ 接近于 1。

1?Wb?JJ**?基区输运系数 ??nC?1?rB ??1??? 2?LJnEJnE?nb?1

半导体器件基础总复习

集电区倍增因子?*?1?1222qni?nC?pC?C 22两种类型晶体管均可适用

?WWnpn 晶体管共基电流放大系数 ??1?eb?b2

?bLpe2Lpe

1． 半导体硅材料的晶格结构是（ A ）

A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2． 下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（ C ） Ａ金属Ｂ半导体Ｃ绝缘体

3． 硅单晶中的层错属于（ C ）

Ａ点缺陷Ｂ线缺陷Ｃ面缺陷

4． 施主杂质电离后向半导体提供（ B ），受主杂质电离后向半导体提供（ A ），本征

激发后向半导体提供（ A B ）。 A 空穴 B 电子

5． 砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ A ）

A 直接复合 B 间接复合 C 俄歇复合 6． 衡量电子填充能级水平的是（ B ）

Ａ施主能级Ｂ费米能级Ｃ受主能级 D 缺陷能级

7． 载流子的迁移率是描述载流子( A )的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子

( B ) 的一个物理量。

A 在电场作用下的运动快慢 B 在浓度梯度作用下的运动快慢

－－

8． 室温下，半导体 Si中掺硼的浓度为 1014cm3，同时掺有浓度为 1.1×1015cm3的磷，

则电子浓度约为（ B ），空穴浓度为（ D ），费米能级（ G ）；将该半导体升