芯片后端流程简介

微电子技术涉及的行业很多,包括化工、光电技术、半导体材料、精密设备制造、软件等,其中又以集成电路技术为核心,包括集成电路的设计、制造.集成电路(IC)常用基本概念有:

晶圆,多指单晶硅圆片,由普通硅沙拉制提炼而成,是最常用的半导体材料,按其直径分为4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等规格,近来发展出12英寸甚至更大规格.晶圆越大,同一圆片上可生产的IC就多,可降低成本;但要求材料技术和生产技术更高.

前、后工序:IC制造过程中, 晶圆光刻的工艺(即所谓流片),被称为前工序,这是IC制造的最要害技术;晶圆流片后,其切割、封装等工序被称为后工序.

光刻:IC生产的主要工艺手段,指用光技术在晶圆上刻蚀电路.

线宽:4微米/1微米/0.6微未/0.35微米/035微米等,是指IC生产工艺可达到的最小导线宽度,是IC工艺先进水平的主要指标.线宽越小,集成度就高,在同一面积上就集成更多电路单元.

封装:指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.

存储器:专门用于保存数据信息的IC.

逻辑电路:以二进制为原理的数字电路。

1.集成电路

随着电子技术的发展及各种电器的普及，集成电路的应用越来越广

几款功放芯片与效果器芯片简介

2010-11-27 14:46

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TDA1521/TDA1514A

TDA1521/TDA1514A是荷兰飞利浦公司专门为数字音响在播放时的低掉真度及高稳度而设计推出的两款芯片。所以用来接驳CD机直接输出的音质出格好。此中的参数为：TDA1521在电压为±16V、阻抗为8Ω时，输出功率为2×15W，此时的掉真仅为0.5％。 TDA1514A的工作电压为±9V~±30V,在电压为±25V、RL=8Ω时，输出功率达到50 W，总谐波掉真为0.08％ 。输入阻抗20KΩ, 输入灵敏度600mV,信嘈比达到85dB。其电路设有等待、静嘈状态，具有过热庇护，低掉调电压高纹波按捺，而且热阻极低，具有极佳的高频解析力和低频力度。其音色通透纯正，低音力度丰满厚实，高音清亮明快，很有电子管的韵味。以上两款功放的外围零件都比力少，是\傻瓜\型的功放芯片，非常适合初级发烧友组装，只要按照电路图，不需调试就可获得很好的效果。由于该芯片的输入电平比力低，我们在制作是不需前置放大器，只要直接接到我们的电脑声卡、光驱、随身听上即可。著名的电脑多媒体音箱安步者也是采用这两种芯片

主流平板电脑芯片方案简介

新岸线NS115

??双核Cortex-A9 1.5GHz, 40nm, 512KB二级缓存

?? Mali400 2D/3D图形加速器, OpenGL ES 2.0, OpenGL ES 1.1 and OpenVG1.1 ? 32 位 LPDDR2/DDR3 ??专用2D硬件加速器

??1080P 视频解码和 720P 视频编码, H.264, MVC, SVC, MPEG-2/4, DivX, VC-1, RealVideo, AVS, VP8(WebM, WebP), Sorenson, MJPEG, MVC, AAC+, WMA, MP3, MPEG-2 等多格式支持. ? ? ? ? ?

支持5百万像素双摄像头 支持双屏显示 支持HDMI Tx 1.4

支持SD 3.0, SDIO 2.0 和 MMC/eMMC 4.41接口 支持USB2.0、I2C,SPI, UART, I2S 等接口

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性能篇

双核平板电脑已经开始普及，厂商纷纷推出自己的双核产品，核心部件芯片的性能成为了各大厂商宣传推广的重要点，国内芯片厂商新岸线的第三代高性能低功耗芯片NS1

集成电路芯片封装技术简介自从美国Intel公司1971年设计制造出4位微处

a理器芯片以来，在20多年时间内，CPU从Intel4004、80286、80386、80486发展到Pentium和PentiumⅡ，数位从4位、8位、16位、32位发展到64位;主频从几兆到今天的400MHz以上，接近GHz;CPU芯片里集成的晶体管数由2000个跃升到500万个以上;半导体制造技术的规模由SSI、MSI、LSI、VLSI达到 ULSI。封装的输入/输出（I/O）引脚从几十根，逐渐增加到几百根，下世纪初可能达2千根。这一切真是一个翻天覆地的变化。 对于CPU，读者已经很熟悉了，286、386、486、Pentium、Pentium Ⅱ、Celeron、K6、K6-2 ……相信您可以如数家珍似地列出一长串。但谈到CPU和其他大规模集成电路的封装，知道的人未必很多。所谓封装是指安装半导体集成电路芯片用的外壳，它不仅起着安放、固定、密封、保护芯片和增强电热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁--芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印制板上的导线与其他器件建立连接。因此，封装对CPU和其他LSI集成电路都起着重要的作用

驱动芯片IR2110功能简介

驱动芯片IR2110功能简介

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正文

在功率变换装置中，根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。

IR2110引脚功能及特点简介

内部功能如图4.18所示:

LO（引脚1）:低端输出

COM（引脚2）:公共端

Vcc（引脚3）:低端固定电源电压

Nc（引脚4）: 空端

Vs（引脚5）:高端浮置电源偏移电压

VB (引脚6):高端浮置电源电压

HO（引脚7）:高端输出

Nc（引脚8）: 空端

VDD（引脚9）:逻辑电源电压

HIN（引脚10）: 逻辑高端输入

SD（引脚11）:关断

LIN（引脚12）:逻辑低端输入

Vss（引脚13）:逻辑电路地电位端，其值可以为0V

Nc（引脚14）:空端

驱动芯片IR2110功能简介

IR2110的特点：

（1）具有独立的低端和高端输入通道。

（2）悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V。

（3）输出的电源端（脚3）的电压范围为10—20V。

（4）逻辑电源的输入范围（脚9）5—15V，可方便的与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率电源地之间允许有 V的便移

一般线路板制作流程知识

n全方位了解PCB的工艺流程。

n熟悉PCB工艺流程的基本原理与操作过程。

n探讨无铅制程的疑难技术

第一部分：前言

第二部分：多层线路板基本结构

第三部分：制作流程简介

第四部分：内层制作原理阐述

第五部分：外层制作原理阐述

第六部分：PCB功能性问题分析

nPCB就是印制线路板英文的缩写（printed circuit board），也叫印刷电路板。

一、PCB工艺首先先分为单面板工艺、双面板工艺，多层板工艺（刚性

线路板）；挠性线路板（软板）；软硬结合板。

单面板又根据表面工艺和客户的要求不同，分为普通单面板（如电线插

座等）；假双面板（复杂一点的电话机板）；碳油单面板（简单的计算

器板）；碳油灌孔板（打印机）；碳油线路板（打印机）；银浆灌孔板

（打印机）等；

双面板根据工艺和客户要求的不同，可分为抗氧化板（防氧化板）（汽

车音响）；喷锡板（大部分板都是）；镍金板（复杂的计算器上、高频

板）；沉金板；沉银板；金手指板（一些卡板类，如显卡等）.

多层板是防氧化板和喷锡板为主，常见的用于电脑主机板上，还有一些

高科技产品上，如生命系统、导航系统等；

挠性板我们都知道大部分用在手机上和一些高科技产品上

二、根据PCB制造工艺材料上主要是铜基板、阻焊油墨

1 PR

Q1:IR Drop

IR压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降的一种现象。随着半导体工艺的演进金属互连线的宽度越来越窄，

导致它的电阻值上升，所以在整个芯片范围内将存在一定的IR压降。IR压降的大小决定于从电源PAD到所计算的逻辑门单元之间的等效电阻的大小。SoC设计中的每一个逻辑门单元的电流都会对设计中的其它逻辑门单元造成不同程度的IR压降。如果连接到金属连线上的逻辑门单元同时有翻转动作，那么因此而导致的

IR压降将会很大。然而，设计中的某些部分的同时翻转又是非常重要的，例如时钟网络和它所驱动的寄存器，在一个同步设计中它们必须同时翻转。因此，一定程 度的IR压降是不可避免的。

IR压降可能是局部或全局性的。当相邻位置一定数量的逻辑门单元同时有逻辑翻转动作时，就引起局部IR压降现象，而电

源网格某一特定部分的电阻值特别高时，例如R14远远超出预计时，也会导致局部IR压降；当芯片某一区域内的逻辑动作导致其它区域的IR压降时，称之为全 局现象。

IR压降问题的表现常常类似一些时序甚至可能是信号的完整性问题。如果芯片的全局IR压降过高，则逻辑门就有功能故障，使芯片彻底失效，

尽管逻辑仿真显示设计是正确的。而局部IR压降比较敏

1 PR

Q1:IR Drop

IR压降是指出现在集成电路中电源和地网络上电压下降的一种现象。随着半导体工艺的演进金属互连线的宽度越来越窄，

导致它的电阻值上升，所以在整个芯片范围内将存在一定的IR压降。IR压降的大小决定于从电源PAD到所计算的逻辑门单元之间的等效电阻的大小。SoC设计中的每一个逻辑门单元的电流都会对设计中的其它逻辑门单元造成不同程度的IR压降。如果连接到金属连线上的逻辑门单元同时有翻转动作，那么因此而导致的

IR压降将会很大。然而，设计中的某些部分的同时翻转又是非常重要的，例如时钟网络和它所驱动的寄存器，在一个同步设计中它们必须同时翻转。因此，一定程 度的IR压降是不可避免的。

IR压降可能是局部或全局性的。当相邻位置一定数量的逻辑门单元同时有逻辑翻转动作时，就引起局部IR压降现象，而电

源网格某一特定部分的电阻值特别高时，例如R14远远超出预计时，也会导致局部IR压降；当芯片某一区域内的逻辑动作导致其它区域的IR压降时，称之为全 局现象。

IR压降问题的表现常常类似一些时序甚至可能是信号的完整性问题。如果芯片的全局IR压降过高，则逻辑门就有功能故障，使芯片彻底失效，

尽管逻辑仿真显示设计是正确的。而局部IR压降比较敏

AD8302幅相检测芯片简介

原理

AD8302是ADI公司的用于RF/IF幅度和相位测量的单片集成电路，主要由精密匹配的两个宽带对数检波器、一个相位检波器、输出放大器组、一个偏置单元和一个输出参考电压缓冲器等部分组成，能同时测量从低频到2.7GHz频率范围内的两输入信号之间的幅度比和相位差，在进行幅度测量时, 其动态范围可扩展到60dB , 而相位测量范围则可达180 度。此外，该器件还有以下特点：对于50Ω的测量系统, 其输入范围为-62dBm～-2dBm；精确幅度测量比例系数为30mV/ dB；精确典型值小于0. 5dB；精确相位测量比例系数为10mV/度。AD8302引脚如图1所示，原理图如图2所示。

图1

图2

AD8302主要有测量、控制器和电平比较器三种工作方式，但其主要的功能是

测量幅度和相位。其幅度、相位测量方程式为：

VMAG?VSLPlog(VINA/VINB) VPHS?V?[?(VINA)??(VINB)]

其中，VINA和VINB分别为A、B两通道的输入信号幅度，VSLP为斜率,VMAG为幅度比较输出；?(VINB)与?(VINA)分别为A、B 两通道的输入信号相位，V?为斜率，

VPHS为相位比较输出。

AD830

AD8302幅相检测芯片简介

原理

AD8302是ADI公司的用于RF/IF幅度和相位测量的单片集成电路，主要由精密匹配的两个宽带对数检波器、一个相位检波器、输出放大器组、一个偏置单元和一个输出参考电压缓冲器等部分组成，能同时测量从低频到2.7GHz频率范围内的两输入信号之间的幅度比和相位差，在进行幅度测量时, 其动态范围可扩展到60dB , 而相位测量范围则可达180 度。此外，该器件还有以下特点：对于50Ω的测量系统, 其输入范围为-62dBm～-2dBm；精确幅度测量比例系数为30mV/ dB；精确典型值小于0. 5dB；精确相位测量比例系数为10mV/度。AD8302引脚如图1所示，原理图如图2所示。

图1

图2

AD8302主要有测量、控制器和电平比较器三种工作方式，但其主要的功能是

测量幅度和相位。其幅度、相位测量方程式为：

VMAG?VSLPlog(VINA/VINB) VPHS?V?[?(VINA)??(VINB)]

其中，VINA和VINB分别为A、B两通道的输入信号幅度，VSLP为斜率,VMAG为幅度比较输出；?(VINB)与?(VINA)分别为A、B 两通道的输入信号相位，V?为斜率，

VPHS为相位比较输出。

AD830