西南科技大学大学物理期末考试
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电子科技大学大学物理II期末考试要求
电子科技大学大学物理II期末考试要求
(1)静电场 掌握库仑定律,电场和电场强度,电场叠加原理, 电力线和电通量,高斯定律与散度,电场的环路 定理与旋度,电势差和电势,电势叠加原理,电 势梯度。 掌握导体的静电平衡,导体上的电荷分布,静电
屏蔽;了解电介质的极化;掌握电位移矢量,电介质中的高斯定律,电容器及电容,电场的能量;
了解传导电流,电源及电动势,稳恒电流。
电子科技大学大学物理II期末考试要求
(2)稳恒磁场 掌握磁场和磁感应强度,磁场叠加原理,磁力线和磁 通量,磁场的高斯定律与散度,匀速运动点电荷的磁 场,毕奥一萨伐尔定律,安培环路定理与旋度。 掌握安培力,安培定律;带电粒子在磁场中的运动, 洛仑兹力;霍耳效应。 了解磁介质及其磁化;掌握磁场强度矢量,磁介质中 的环路定理;了解铁磁质。 (3)电磁感应及麦克斯韦方程组 掌握法拉第电磁感应定律;动生电动势,感生电动势 和感应电场,互感,自感;磁场的能量。 掌握位移电流;麦克斯韦方程组;了解电磁波的基本 性质,电磁波的能量,坡印廷矢量。
电子科技大学大学物理II期末考试要求
(1)早期量子理论 了解黑体辐射;掌握光电效应,光子与光的二象性, 康普顿散射,原子的核模型,玻尔的原子理论,激 光理论初步。
电子科技大学大学物理II期末考试要求
电子科技大学大学物理II期末考试要求
(1)静电场 掌握库仑定律,电场和电场强度,电场叠加原理, 电力线和电通量,高斯定律与散度,电场的环路 定理与旋度,电势差和电势,电势叠加原理,电 势梯度。 掌握导体的静电平衡,导体上的电荷分布,静电
屏蔽;了解电介质的极化;掌握电位移矢量,电介质中的高斯定律,电容器及电容,电场的能量;
了解传导电流,电源及电动势,稳恒电流。
电子科技大学大学物理II期末考试要求
(2)稳恒磁场 掌握磁场和磁感应强度,磁场叠加原理,磁力线和磁 通量,磁场的高斯定律与散度,匀速运动点电荷的磁 场,毕奥一萨伐尔定律,安培环路定理与旋度。 掌握安培力,安培定律;带电粒子在磁场中的运动, 洛仑兹力;霍耳效应。 了解磁介质及其磁化;掌握磁场强度矢量,磁介质中 的环路定理;了解铁磁质。 (3)电磁感应及麦克斯韦方程组 掌握法拉第电磁感应定律;动生电动势,感生电动势 和感应电场,互感,自感;磁场的能量。 掌握位移电流;麦克斯韦方程组;了解电磁波的基本 性质,电磁波的能量,坡印廷矢量。
电子科技大学大学物理II期末考试要求
(1)早期量子理论 了解黑体辐射;掌握光电效应,光子与光的二象性, 康普顿散射,原子的核模型,玻尔的原子理论,激 光理论初步。
西南科技大学大学物理考核要求
《大学物理A2》课程考试要求
本考试要求根据西南科技大学《 大学物理A2 》课程教学大纲的教学要求,以四年制本科人才培养规格为目标,按照大学物理学科的理论知识体系,提出了考核的知识点和考核的目标。考核目标分为三个层次;了解、掌握(或会、能)\\熟练掌握。
静电场 考核知识点
1、库仑定律、静电力叠加原理;
2、电场强度、场强叠加原理、电场强度的计算、带电体在外电场中所受的作用;
3、电通量、真空中的静电场高斯定理;
4、电场力的功、静电场的环路定理、电势能、电势、电势差、电势叠加原理、电势的计算;
5、场强与电势的关系、电势梯度;
6、带电粒子在外电场中受到的力及其运动。 考核要求
1、正确理解静电场的E、U、△U的定义;
2、熟练地应用静电场的高斯定理和场强迭加及场强与电势的微分关系计算E,从而计算U、△U;
3、正确理解保守力的概念,掌握计算电场能量的方法; 4、掌握计算带电粒子在外电场中受到的力,并分析其运动。 静电场中的导体和电介质 考核知识点
1、静电平衡时导体上的电荷分布、静电平衡时导体表面附近的场强; 2、电容器的电容、电容器电容的计算;
3、介质对电容的影响、电介质的极化现象和极化机理; 4、电介质中的电场、有介质时的高斯定理
西南科技大学大学物理考核要求
《大学物理A2》课程考试要求
本考试要求根据西南科技大学《 大学物理A2 》课程教学大纲的教学要求,以四年制本科人才培养规格为目标,按照大学物理学科的理论知识体系,提出了考核的知识点和考核的目标。考核目标分为三个层次;了解、掌握(或会、能)\\熟练掌握。
静电场 考核知识点
1、库仑定律、静电力叠加原理;
2、电场强度、场强叠加原理、电场强度的计算、带电体在外电场中所受的作用;
3、电通量、真空中的静电场高斯定理;
4、电场力的功、静电场的环路定理、电势能、电势、电势差、电势叠加原理、电势的计算;
5、场强与电势的关系、电势梯度;
6、带电粒子在外电场中受到的力及其运动。 考核要求
1、正确理解静电场的E、U、△U的定义;
2、熟练地应用静电场的高斯定理和场强迭加及场强与电势的微分关系计算E,从而计算U、△U;
3、正确理解保守力的概念,掌握计算电场能量的方法; 4、掌握计算带电粒子在外电场中受到的力,并分析其运动。 静电场中的导体和电介质 考核知识点
1、静电平衡时导体上的电荷分布、静电平衡时导体表面附近的场强; 2、电容器的电容、电容器电容的计算;
3、介质对电容的影响、电介质的极化现象和极化机理; 4、电介质中的电场、有介质时的高斯定理
西南科技大学大学物理单元练习
《大学物理1》单元练习一
一、选择题
?????t?01.质量为0.25kg的质点,受力F?ti的作用,时该质点以v?2jm/s的速度通过坐标原点,
则该质点任意时刻的位臵矢量是 ( ) A、2t2?i?2j m;
?????23?34?23? B、ti?2tjm; C、ti?tj m; D、条件不足无法判断;
343????2.一个质点在几个力同时作用下得位移为?r?(4i?5j?6k)m,其中一个力为恒力?????67J B、则这个力在该位移过程中所做的功为( ) A、F?(?3i?5j?9k)N,
91J C、17J D、67J
3.一特殊的弹簧,弹性力F??kx,k为倔强系数,x为形变量。现将弹簧水平放臵,一端固定,一端与质量为m的滑块相连,滑块自然静止于光滑水平面上。今沿弹簧长度方向给滑块一个冲量,如图所示。使滑块获得一速率v,并压缩弹簧,则弹簧被压缩的最大长度为( )
14143kmlm A、v B、
k
?4mv2??2mv2?kv C、 ?? D、?? m
西南科技大学
西南科技大学
关于辅导员入住学生公寓实施办法
学生公寓是学生日常生活学习的主要场所,是对学生进行思想政治工作和素质教育的重要阵地。为加强学生思想政治工作和日常行为管理,落实教育部党组《关于进一步加强高等学校学生思想政治工作队伍建设的若干意见》《四川省高校学生公寓管理暂行办法》和教育部《关于加强学生公寓安全管理的若干意见》,根据《西南科技大学学生公寓工作相关部门职责》制定本实施办法。
一、辅导员入住学生公寓要求
1、各学院结合实际,选派有学生工作经验、工作责任心强的优秀辅导员入住学生公寓。
2、入住学生公寓的辅导员由学院根据住宿学生人数安排。 3、在有条件的公寓由公寓中心给入住学生公寓的辅导员提供必要的住宿和工作条件,没有住宿条件的可安排轮流值班。
二、入住学生公寓辅导员职责
1、负责住宿学生思想情况的掌握、教育和思想政治工作; 2、负责住宿学生的安全教育、养成教育、遵纪守法教育; 3、负责住宿学生中重点人员的帮教和转化工作;
4、负责学生在公寓发生的突发事件、打架斗殴、酗酒、赌博、偷盗等违纪和同学间发生矛盾的处理;
5、负责学生公寓学生的党、团组织建设;
6、组织室长检查、处理学生未归、晚归问题和学生寝室卫生管理; 7、组织学生开展公寓文化娱
西南科技大学2012模拟电子技术基础期末考试_试题
预测试卷;
西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十
O绝密启用前O
班级:___________姓名:___________学号:___________
1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分)
(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度
D.晶体缺陷
(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态
(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管
(4 )温度上升时,半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大,uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小,ICEO和uBE增大
①
-
-8V 图1
③ -2.2V
D.β、ICEO和uBE均增大
(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路
西南科技大学2012模拟电子技术基础期末考试_试题
预测试卷;
西南科技大学2012模拟电子技术期末试卷 试卷十
O绝密启用前O
班级:___________姓名:___________学号:___________
1.单项选择题(在每一小题的四个备选答案中,选出一个正确的答案,并将其序号写在题干后的( )内。每一小题2分,共20分)
(1)杂质半导体中的少数载流子浓度取决于( ) A.掺杂浓度 B.工艺 C.温度
D.晶体缺陷
(2 )硅稳压管在稳压电路中稳压时,工作于( ) A.正向导通状态 B.反向电击穿状态 C.反向截止状态 D.反向热击穿状态
(3 )测得一放大电路中的三极管各电极相对一地的电压如图1所示,该管为( ) A.PNP型硅管 B.NPN型锗管 C.PNP型锗管 D.PNP型硅管
(4 )温度上升时,半导体三极管的( ) A.β和ICEO增大,uBE下降 B.β和uBE增大,ICEO减小 C.β减小,ICEO和uBE增大
①
-
-8V 图1
③ -2.2V
D.β、ICEO和uBE均增大
(5 )在共射极、共基极、共集电极、共漏极四种基本放大电路中,uo与ui相位相反、|Au|>1的只可能是( ) A.共集电极放大电路 B.共基极放大电路
青岛科技大学大学物理期末试题及答案
2010-2011 学年 2 学期 大学物理B上(Ⅰ卷) 课程考试试题
拟题学院(系) : 数理学院 拟题人: 48学时 各专业 适 用 专 业: 校对人:
(答案写在答题纸上,写在试题纸上无效)
一、选择题(每小题3分,共36分)
1. 质量为m=0.5 kg的质点,在Oxy坐标平面内运动,其运动方程为x=5t,y=0.5t2(SI),
从t=2 s到t=4 s这段时间内,外力对质点作的功为:[ ] (A) 1.5 J. (B) 3 J. (C) 4.5 J. (D) -1.5 J.
v =0.5 m/s2. 两辆小车A、B,可在光滑平直轨道上运动.第一次实验, AB静止,A以0.5 m
青岛科技大学大学物理期末试题及答案
2010-2011 学年 2 学期 大学物理B上(Ⅰ卷) 课程考试试题
拟题学院(系) : 数理学院 拟题人: 48学时 各专业 适 用 专 业: 校对人:
(答案写在答题纸上,写在试题纸上无效)
一、选择题(每小题3分,共36分)
1. 质量为m=0.5 kg的质点,在Oxy坐标平面内运动,其运动方程为x=5t,y=0.5t2(SI),
从t=2 s到t=4 s这段时间内,外力对质点作的功为:[ ] (A) 1.5 J. (B) 3 J. (C) 4.5 J. (D) -1.5 J.
v =0.5 m/s2. 两辆小车A、B,可在光滑平直轨道上运动.第一次实验, AB静止,A以0.5 m