MOSFET驱动芯片

功率MOSFET管驱动芯片UC3875

Unitrode公司的UC3875，它有4个独立的输出驱动端可以直接驱动四只功率MOSFET管，见图5，其中OUTA和OUTB相位相反，OUTC和OUTD相位相反，而OUTC和OUTD相对于OUTA和OUTB的相位θ是可调的，也正是通过调节θ的大小来进行PWM控制的。

图1 UC3875芯片引脚图

1 VREF 基准电压 10 VCC 电源电压

2 E/AOUT 误差放大器的输出 11 VIN 芯片供电电源

3 E/A－ 误差放大器的反相输入 12 PWRGND 电源地

4 E/A＋ 误差放大器的同相输入 16 FREQSET 频率设置端

5 C/S＋ 电流检测 17 CLOCK/SYNC 时钟/同步

6 SOFT－START 软起动 18 SLOPE 陡度

7,15 DELAYSETA/B,C/D 输出延迟控制 19 RAMP 斜波

14,13,9,8 OUTA～OUTD 输出A～D 20 GND 信号地

UC3875各个管脚的具体使用说明

管脚1可输出精确的5V基准电压，其电流可以达到60mA。当VIN比较低时，芯片进入欠压锁定状态VREF消失。直到VREF达到4.75V以上时才脱离欠压锁定状态。最好的办法是接一个0.1μ

功率MOSFET管驱动芯片UC3875

Unitrode公司的UC3875，它有4个独立的输出驱动端可以直接驱动四只功率MOSFET管，见图5，其中OUTA和OUTB相位相反，OUTC和OUTD相位相反，而OUTC和OUTD相对于OUTA和OUTB的相位θ是可调的，也正是通过调节θ的大小来进行PWM控制的。

图1 UC3875芯片引脚图

1 VREF 基准电压 10 VCC 电源电压

2 E/AOUT 误差放大器的输出 11 VIN 芯片供电电源

3 E/A－ 误差放大器的反相输入 12 PWRGND 电源地

4 E/A＋ 误差放大器的同相输入 16 FREQSET 频率设置端

5 C/S＋ 电流检测 17 CLOCK/SYNC 时钟/同步

6 SOFT－START 软起动 18 SLOPE 陡度

7,15 DELAYSETA/B,C/D 输出延迟控制 19 RAMP 斜波

14,13,9,8 OUTA～OUTD 输出A～D 20 GND 信号地

UC3875各个管脚的具体使用说明

管脚1可输出精确的5V基准电压，其电流可以达到60mA。当VIN比较低时，芯片进入欠压锁定状态VREF消失。直到VREF达到4.75V以上时才脱离欠压锁定状态。最好的办法是接一个0.1μ

MOSFET的驱动技术详解

1、简介

MOSFET作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件，其驱动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间，一点点来解析MOSFET的驱动技术，以及在不同的应用，应该采用什么样的驱动电路。

首先，来做一个实验，把一个MOSFET的G悬空，然后在DS上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师都知道，MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢？因为我根本没有加驱动电压，MOS怎么会导通？用下面的图，来做个仿真：

去探测G极的电压，发现电压波形如下：

G极的电压居然有4V多，难怪MOSFET会导通，这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。

这种情况有什么危害呢？实际情况下，MOS肯定有驱动电路的么，要么导通，要么关掉。问题就出在开机，或者关机的时候，最主要是开机的时候，此时你 的驱动电路还没上电。但是输入上电了，由于驱动电路没有工作，G级的电荷无法被释放，就容易导致MOS导通击穿。那么怎么解决呢？在GS之间并一个电阻.

那么仿真的结果呢？几乎为0V。

2、驱动能力和驱动电阻

什么叫驱动能力，很多PWM芯片，或者专门的驱动芯片都会说驱动能力，比如384X的驱

MOSFET的驱动技术详解

1、简介

MOSFET作为功率开关管，已经是是开关电源领域的绝对主力器件。虽然MOSFET作为电压型驱动器件，其驱动表面上看来是非常简单，但是详细分析起来并不简单。下面我会花一点时间，一点点来解析MOSFET的驱动技术，以及在不同的应用，应该采用什么样的驱动电路。

首先，来做一个实验，把一个MOSFET的G悬空，然后在DS上加电压，那么会出现什么情况呢？很多工程师都知道，MOS会导通甚至击穿。这是为什么呢？因为我根本没有加驱动电压，MOS怎么会导通？用下面的图，来做个仿真：

去探测G极的电压，发现电压波形如下：

G极的电压居然有4V多，难怪MOSFET会导通，这是因为MOSFET的寄生参数在捣鬼。

这种情况有什么危害呢？实际情况下，MOS肯定有驱动电路的么，要么导通，要么关掉。问题就出在开机，或者关机的时候，最主要是开机的时候，此时你 的驱动电路还没上电。但是输入上电了，由于驱动电路没有工作，G级的电荷无法被释放，就容易导致MOS导通击穿。那么怎么解决呢？在GS之间并一个电阻.

那么仿真的结果呢？几乎为0V。

2、驱动能力和驱动电阻

什么叫驱动能力，很多PWM芯片，或者专门的驱动芯片都会说驱动能力，比如384X的驱

UC3724／UC3725功率MOSFET驱动电路芯片组的应用

维普资讯

20 0 1年 3月第 1 8卷第 1期

沈阳航空工业等院学报 Jun/ f hn agIs tt f eo a ta E gneig oro o e yn tueo rn ui l n ier S ni A c n

Ma . 0 l r2 0 V0 . 8 No. 11 1

文章缡号：0 7 3 5 20 )1 0 3 3 10—1 8 (0 1 0—0 4—0

UC 7 4 UC 7 5功率 M0S E 3 2/ 32 F T驱动电路芯片组的应用周晨松沈颂华(京航空航天大学 )北

摘 Nl

要

高电压、大电流 N沟道 M0跚

越来越广泛地应用于大功率的电力电子设备中。u.

公司的 u0 7 4 u 75芯片组通过使用一种独特的调制技木——诵过小型的高频 2/ 0 2

脉冲变压器同时传输信号和功率，实现简单高教的带有电气隔离的 MO F T驱动电路。此电 SE路具有可工作在任意占空比下、实用性强、电路结构简单、响应速度快、输出阻抗小等特点。 关键词驱动电路，功率 M。 F s ET

中田分类号： TM4 7 1

文献标识码： A

0引言在高压电力电子装置中，如 H桥。计者例设

而采用脉冲

TA8345H:

THB6064AH

? ? ? ? ? ?

华博远科技开发有限公司

双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.4Ω

高耐压50VDC，大电流4.5A（峰值）

多种细分可选（1/2、1/8、1/10、1/16、1/20、1/32、1/40、1/64） 自动半流锁定功能 4档衰减方式可调 内置温度保护及过流保护

二、管脚图：

三、管脚说明：

管脚 编号 1 2 输入/输出 符号 功 能 描 述 输出 ALERT — 温度保护及过流保护输出端（常态为1，过流保护时为0） SGND 信号地外部与电源地相连 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25

输入 输入 输入 输入 输入 输入 输入 输出 — 输出 — 输出 — 输出 — 输入 输入 输入 输入 输入 — 输入 DCY1 DCY2 Vref VMB M1 M2 M3 OUT2B NFB OUT1B PGNDB OUT2A NFA OUT1A PGNDA ENABLE RESET VMA CLK CW/CCW OSC2 VDD 衰减方式控制端 衰减方式控制

电力电子

第3 5卷第 6期20 0 1年 1月 2

电力电子技术P E| to i o憎 e rnc c s,

vd 5 No 6 3. De e e . 0 1 c mb r 2 0

功率 MO F T高速驱动电路的研究 SE鲁莉容，李晓帆，蒋(中科技大学，武汉华

平

40 7 ) 3 04

摘要：基于特定情况下对驱动电路特殊的要求，介绍了一种输出电流大、带负载能力强的 MO F T高速驱动 SE电路。对电路的工作特性进行了详细的讨论，并给出了不同频率下该电路的实验结果。 关键词：驱动电路/功率场效应晶体管：带负载能力中圉分类号： N3 6 T 8文献标识码： A文章编号：0 0—10 (0 1 0 0 4—0 10 0 X 20 )6— 0 5 3

R s rhO uc l rv g i ut f o e S E ee c lQ i yD ii r i o w r a l k n C c P MO F TL L -o g U i n,LIXi -a,JANG ig r a fn I o Pnc a h n nvr i S i c n e n l y.Wua 4 0 7,C ia) Hu z o g U ie t o c ne

大功率ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ驱动电路设计

彭咏龙，李荣荣，李亚斌

（华北电力大学电气与电子工程学院，河北保定０７１００３）

摘要：在实际工程应用的基础上，针对５０ｋＷ／１ＭＨｚ的高频感应加热大功率ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ电路要求及ＳｉＣＭＯＳ－要求，在现有已经成熟应用的ＳｉＭＯＳＦＥＴ驱动电路基础上对其进行改进，研究适合工作在兆赫范围内的ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ驱动电路。并采用双脉冲实验验证所设计驱动电路的基本特性及确定最佳门极电阻参数。关键词：ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ；开关特性；驱动电路；双脉冲实验中图分类号：ＴＭ１３　　　　　　文献标识码：Ｂ

ＦＥＴ开关特性进行开发研究。通过对ＳｉＣＭＯＳＦＥＴ的开通过程特性进行详细研究，得出使其可靠、安全驱动的

文章编号：１００１－１３９０（２０１５）１１－００７４－０５

DesignofhighpowerSiCMOSFETdrivercircuit

（SchoolofElectricalandElectronicEngineering，NorthChinaElectricPower

University，Baoding071003，Hebei，China）

Abstract：Ｏｎｔｈｅｂａｓｉｓｏｆｐｒｏｊｅｃｔａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ，ｏｎ

驱动芯片IR2110功能简介

驱动芯片IR2110功能简介

您现在的位置是：主页

正文

在功率变换装置中，根据主电路的结构，起功率开关器件一般采用直接驱动和隔离驱动两种方式.美国IR公司生产的IR2110驱动器，兼有光耦隔离和电磁隔离的优点，是中小功率变换装置中驱动器件的首选。

IR2110引脚功能及特点简介

内部功能如图4.18所示:

LO（引脚1）:低端输出

COM（引脚2）:公共端

Vcc（引脚3）:低端固定电源电压

Nc（引脚4）: 空端

Vs（引脚5）:高端浮置电源偏移电压

VB (引脚6):高端浮置电源电压

HO（引脚7）:高端输出

Nc（引脚8）: 空端

VDD（引脚9）:逻辑电源电压

HIN（引脚10）: 逻辑高端输入

SD（引脚11）:关断

LIN（引脚12）:逻辑低端输入

Vss（引脚13）:逻辑电路地电位端，其值可以为0V

Nc（引脚14）:空端

驱动芯片IR2110功能简介

IR2110的特点：

（1）具有独立的低端和高端输入通道。

（2）悬浮电源采用自举电路，其高端工作电压可达500V。

（3）输出的电源端（脚3）的电压范围为10—20V。

（4）逻辑电源的输入范围（脚9）5—15V，可方便的与TTL，CMOS电平相匹配，而且逻辑电源地和功率电源地之间允许有 V的便移

电机驱动芯片LMD18200原理及应用

[摘要] LMD18200是美国国家半导体公司(NS)推出的专用于直流电动机驱动的H桥组件。同一芯片上集成有CMOS控制电路和DMOS功率器件，利用它可以与主处理器、电机和增量型编码器构成一个完整的运动控制系统。LMD18200广泛应用于打印机、机器人和各种自动化控制领域。本文介绍了LMD18200芯片的结构、原理及其典型应用。

[关键词] LMD18200 MC68332 PWM 双极性驱动单极性驱动

1、主要性能

l 峰值输出电流高达6A，连续输出电流达3A；

l 工作电压高达55V；

l Low RDS(ON) typically 0.3W per switch；

l TTL/CMOS兼容电平的输入；

l 无“shoot-through” 电流；

l 具有温度报警和过热与短路保护功能；

l 芯片结温达145℃，结温达170℃时，芯片关断；

l 具有良好的抗干扰性。

2、典型应用

l 驱动直流电机、步机电机

l 伺服机构系统位置与转速

l 应用于机器人控制系统

l 应用于数字控制系统

l 应用于电脑打印机与绘图仪

3、内部结构和引脚说明

LMD18200外形结构如图1所示，内部电路框图2如图所示。它有11个引脚,采用TO-220和双列直