104rons mos管代换
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MOS管参数代换大全
型号 参数 国内外相似替换型号 资料 2SC1885 150V,0.05A 0.75,200MHZ BF297,BF422,BF391,3DG180K NPN 2SC2336 180V,1.5A,25W,95MHZ 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660, NPN 2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, 3DA25F
2SC3306 500V,10A,100W BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13 NPN 2SC2740,2SC3042,2SC3277,2SC3365 2SC3842,2DK308C
2SC3461 1100V,8A,140W BU902,2S
MOS管驱动电路
MOS管驱动电路
首先,这都是由于疏忽造成的,一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误,所以就贴出来了!不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。
我是学机械的,电路方面基础较差,可能分析不太正确,请见谅!
两幅图中,PWM为幅值为2.8V的方波信号,两幅图中,不同之处就是:负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1,而我由于疏忽,再绘制电路原理图的时候就弄成了图2,那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢?
图1中,PWM信号为高时(即VGS=2.8V),MOS管导通,MOS管D端同电源地导通,4.2V电压全部加载在负载上,这就是我们想要的。图2中,PWM信号为高时(MOS管G极电压为2.8V),MOS管部分导通,MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右(不同MOS管,有所不同,也就是MOS管最小导通电压),也就是说VS=2.2V左右,那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了,这肯定不是我们想要的了。至于为什么,我觉得是:MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压(SI2302就是0.6V),而当VGS=0.6V左右时,只能部分导通,故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时,要多加小心,
MOS管驱动电路
MOS管驱动电路
首先,这都是由于疏忽造成的,一失足成千古恨。避免大家跟我犯同样的错误,所以就贴出来了!不能纯粹的将MOS管当做开关开哦。
我是学机械的,电路方面基础较差,可能分析不太正确,请见谅!
两幅图中,PWM为幅值为2.8V的方波信号,两幅图中,不同之处就是:负载的位置。一般MOS驱动电路采用图1,而我由于疏忽,再绘制电路原理图的时候就弄成了图2,那么负载的位置不同会带来什么样的影响呢?
图1中,PWM信号为高时(即VGS=2.8V),MOS管导通,MOS管D端同电源地导通,4.2V电压全部加载在负载上,这就是我们想要的。图2中,PWM信号为高时(MOS管G极电压为2.8V),MOS管部分导通,MOS管S极电压会比MOS管G极电压低0.6V左右(不同MOS管,有所不同,也就是MOS管最小导通电压),也就是说VS=2.2V左右,那么加载在负载两端的电压也就是2.2V左右了,这肯定不是我们想要的了。至于为什么,我觉得是:MOS管要导通必须满足条件VGS>最小导通电压(SI2302就是0.6V),而当VGS=0.6V左右时,只能部分导通,故MOS管D极和S极会有压降就很正常了。所以在设计MOS管驱动电路时,要多加小心,
MOS管原理,非常详细
MOS管的那些事儿
2012.11.15
呵呵,让我们来看看MOS管,分辨一下 他们怎么区别,怎么用吧。 我们在笔记本主板维修中见到的MOS管 几乎都是绝缘栅增强型,这里也就只说说它 的那些事儿吧。 而且,我们不谈原理,只谈应用。
我们分“电路符号”和“实物”两部分来看吧
电路符号:1 2 3 4 三个极怎么判定 区别他们是N沟道还是P沟道 寄生二极管的方向如何判定 它能干吗用呢
5
简单吗?那我们来做个挑错游戏吧
实物:12 3
三个极怎么分辨它是N沟道还是P沟道的呢 能量出它是好是坏吗
电路符号
电路符号篇
电路符号
开始之前,一个小测试:请回答: 哪个脚是S(源极)?哪个脚是D(漏极)? G(栅极)呢? 是P沟道还是N沟道MOS? 如果接入电路, D极和S极,哪一个该接输 入,哪个接输出? 你答对了吗?
电路符号
再来一个,试试看:哪个脚是S(源极)?
哪个脚是D(漏极)?G(栅极)呢? 是P沟道还是N沟道MOS? 依据是什么? 如果接入电路, D极和S极,哪一个该接输 入,哪个接输出? 这次怎么样?
电路符号 1 三个极怎么判定 ?
MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方 。S极G极,不用说比较好认。 S极, 不论是P沟道还是N沟道, 两根线相交的就是;
G极
D极
MOS管驱动电路详解
MOS管驱动电路综述连载(一)
时间:2009-07-06 8756次阅读 【网友评论2条 我要评论】 收藏 在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候,大部分人都会考虑MOS的导通电阻,最大电压等,最大电流等,也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的,但并不是优秀的,作为正式的产品设计也是不允许的。 1、MOS管种类和结构
MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET),可以被制造成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道共4种类型,但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是这两种。 至于为什么不使用耗尽型的MOS管,不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管,比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小,且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中,一般都用NMOS。下面的介绍中,也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在,这不是我们需要的,而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些,但没有办法避免,后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到,漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管,在驱动感性负载(如马
mos管门级驱动电阻计算
关于MOSFET驱动电阻的选择 等效驱动电路: VCC12VLDRIVERgCgsQ L为PCB走线电感,根据他人经验其值为直走线1nH/mm,考虑其他走线因素,取L=Length+10(nH),其中Length单位取mm。 Rg为栅极驱动电阻,设驱动信号为12V峰值的方波。 Cgs为MOSFET栅源极电容,不同的管子及不同的驱动电压时会不一样,这儿取1nF。 VL+VRg+VCgs=12V ?? 令驱动电流Id := C????tVCgs(t)????得到关于Cgs上的驱动电压微分方程: ???2??R???VCgs(t)???Vdr???0 ????C?LC?VCgs(t)VCgs(t)????t???t2?????用拉普拉斯变换得到变换函数:G := Vdr 1RgS2?LCS???S???LC???L????这是个3阶系统,当其极点为3个不同实根时是个过阻尼震荡,有两个相同实根时是临界阻尼震荡,当有虚根时是欠阻尼震荡,此时会在MOSFET栅极产生上下震荡的波形,这是我们不希望看到的,因此栅极电阻Rg阻值的选择要使其工作在临界阻尼和过阻尼状态,考虑到参数误差实际上都是工作在过阻尼状态。 LC???Rg,因此根据走线长度可以得到Rg最小取
三极管参数代换表
三极管参数代换表(2SC)
资
型号 单价 2S0680 8.00 2S0765 8.00 2S0880 8.00 3S1265 10.00 3S0765RF 15.00 5S12656 30.00
参数 - - - - - -
国内外相似替换型号
- - - - - -
BF297,BF422,BF391,3DG180K 2SC2238A,2SC2238B,2SC2660,
2SC2336 1.50 180V,1.5A,25W,95MHZ
料
2SC1885 0.20 150V,0.05A ,0.75,200MHZ N
2SD478,2SD608A,2SD760,2SD1138, N
3DA25F
BUV48A,BUV48B,BUV48C,BUW13
2SC3306 3.50
500V,10A,100W
2SC3842,2DK308C
BU902,2SC3643,2SC3847,2SC3982,
2SC3461 4.00
1100V,8A,140W
2SD1433
2SC3253,2SC3258,2SC3540,2SC3691
2SC3746 3.00
80V,5A,20W
2SC4549,2SD1270,2SC1832 2SC2979,2
笔记本常用场管代换资料
笔记本常用场管代换资料
型号封装形式极性VDS(V)IDS(A)PD(W)
AO4404SO-8
AO4406SO-8
AO4408SO-8
AO4410SO-8
AO4412SO-8
AO4414SO-8
AO4418SO-8
AO4420SO-8
AO4422SO-8
AO4403SO-8
AO4405SO-8
AO4407SO-8
AO4409SO-8
AO4411SO-8
AO4413SO-8
AO4415SO-8
AO4600SO-8
AO4601SO-8
AO4602SO-8
AO4603SO-8
AO4064SO-8
AO4606SO-8
AO4067SO-8
AO4069SO-8
AO4610SO-8
AO4700SO-8
AO4702SO-8
AO4701SO-8
AO4703SO-8
AO4705SO-8
AO4707SO-8
AO4800SO-8
AO4802SO-8
AO4806SO-8
AO4812SO-8
AO4816SO-8
AO4818SO-8
AO4822SO-8
AO4824SO-8
AO9926ASO-8
AO9926SO-8
AO9926ESO-8
AO4801SO-8
AO4801HSO-8
AO4805SO-8N沟道N沟道N沟道N沟道N沟道N沟道N沟道N沟道N沟道P沟道P沟道P沟道P沟道P
N沟道MOS管的结构及工作原理
一、N沟道增强型场效应管结构
a) N沟道增强型MOS管结构示意图
b)
(b) N沟道增强型MOS管代表符号
(c) P沟道增强型MOS管代表符号
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底上,用光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区,并用金属铝引出两个电极,分别作漏极d和源极s。然后在半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层,在漏-源极间的绝缘层上再装上一个铝电极,作为栅极g。另外在衬底上也引出一个电极B,这就构成了一个N沟道增强型MOS管。显然它的栅极与其它电极间是绝缘的。图 1(a)、(b)分别是它的结构示意图和代表符号。代表符号中的箭头方向表示由P(衬底)指向N(沟道)。P沟道增强型MOS管的箭头方向与上述相反,如图 1(c)所示。
二、N沟道增强型场效应管工作原理
1.vGS对iD及沟道的控制作用
MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好)。从图1(a)可以看出,增强型MOS管的漏极d和源极s之间有两个背靠背的PN结。当栅-源电压vGS=0时,即使加上漏-源电压vDS,而且不论vDS的极性如何,总有一个PN结处于反偏状态,漏-源极间没有导电沟道,所以这时漏极电流iD≈0。
若在栅-源极间加上正
MOS管选型(CET华瑞-台湾)-持续修改-0224
1
2
3
4
5
6
7
8
BVds Ids Pd V GS(th)(V)Vgs@10V Vgs@4.5V Vgs@2.5V Vgs@1.8V
(A)(W)Vgs=10V Vgs=4.5V
(V)-20
486078-5.2213-0.7Single *CEH2331
5562-4.8213.5-0.75Single CEH232155
62-4.829-0.75Single CEH2321A -305265119-4.928.5-1.1Single CEH23058090120
-3.127
-1Single CEH231760
90
-4.6
2
17
-1.6
Single
CEH2313
BVds Ids Pd V GS(th)(V)Vgs@10V Vgs@4.5V Vgs@2.5V Vgs@1.8V
(A)(W)Vgs=10V Vgs=4.5V
(V)203043 6.52100.8N-CH -205590-4.829.8-0.7P-CH
202224337.52 4.30.8N-CH(ESD)
-2080100150-4210.6-0.7P-CH 202225407.52100.8N-CH -2080100150
-4210.8-0.7P-CH 30142010212.2