12寸芯片半导体生产线项目

重庆市职业病防治院

建设项目职业病危害评价报告信息网上公开表

一、评价报告基本情况

报告编号 项目名称 报告编制人 建设单位 项目地理位置 现场调查人员 采样、检测人员 建设单位陪同人员 报告评审专家 渝职防预评字〔2016〕第08号 12英寸功率半导体芯片制造及封装测试生产基地项目 张立 重庆万国半导体科技有限公司 重庆市两江新区水土高新技术产业园 张立、汪运 —— 戚远林 蒋学明荣、梁道康、王华、雷勇、黄进 评审时间 2017.03.08 调查时间 采样检测时间 2016.09.14 —— 建设单位联系人 戚远林 评价类别 风险类别 预评价 严重 二、项目简介

重庆万国半导体科技有限公司成立于2016年，由美国万国半导体股份有限公司（AOS）与渝富集团、两江新区战略性新兴产业股权投资基金合资经营。

美国万国半导体（ALPHA&OMEGA Semiconductor，简称“AOS公司”）成立于2000年，总部位于美国硅谷，是一家集半导体设计、晶圆制造、封装测试为一体的企业，主要从事功率半导体器件(含功率MOSFET、IGBT和功率集成电路产品)的产品设计和生产制造。目前AOS公司在美国俄勒冈有一座8英寸晶圆厂、在上海松江有二座封装工厂，在美

芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication

----A Practical Guide to Semicondutor Processing

目录:

第一章:半导体工业[1] [2] [3]

第二章:半导体材料和工艺化学品[1] [2] [3]

第三章:晶圆制备[1] [2] [3]

第四章:芯片制造概述[1] [2] [3]

第五章:污染控制[1] [2] [3] [4] [5] [6]

第六章:工艺良品率[1] [2]

第七章:氧化

第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光

第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验

第十章:高级光刻工艺

第十一章:掺杂

第十二章:淀积

第十三章:金属淀积

第十四章:工艺和器件评估

第十五章:晶圆加工中的商务因素

第十六章:半导体器件和集成电路的形成

第十七章:集成电路的类型

第十八章:封装

附录:术语表

[4] [5] 1

芯片制造-半导体工艺教程

#1 第一章 半导体工业--1

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芯片制造-半导体工艺教程

芯片制造-半导体工艺教程 Microchip Fabrication

----A Practical Guide to Semicondutor Processing

目录:

第一章:半导体工业[1] [2] [3]

第二章:半导体材料和工艺化学品[1] [2] [3]

第三章:晶圆制备[1] [2] [3]

第四章:芯片制造概述[1] [2] [3]

第五章:污染控制[1] [2] [3] [4] [5] [6]

第六章:工艺良品率[1] [2]

第七章:氧化

第八章:基本光刻工艺流程-从表面准备到曝光

第九章:基本光刻工艺流程-从曝光到最终检验

第十章:高级光刻工艺

第十一章:掺杂

第十二章:淀积

第十三章:金属淀积

第十四章:工艺和器件评估

第十五章:晶圆加工中的商务因素

第十六章:半导体器件和集成电路的形成

第十七章:集成电路的类型

第十八章:封装

附录:术语表

[4] [5] 1

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#1 第一章 半导体工业--1

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网址：efa9c2d53b3567ec112d8a69/

1

LED 芯片生产线项目可行性研究报告 （2015年版）

网址：efa9c2d53b3567ec112d8a69/

2

一、调研说明

国宇祥工程咨询全新发布的《2015年版LED 芯片生产线项目可行性研究报告》

主要依据国家统计局、国家发改委、商务部、中国海关、国务院发展研究中心、行业协会、工商、税务、海关、国内外相关刊物的基础信息以及行业研究单位等公布和提供的大量资料，结合深入的市场调研资料，由国宇祥工程咨询的资深专家和研究人员的分析。首先，报告对本行业的特征及国内外市场环境进行描述，其次，对本行业的上下游产业链，市场供需状况及竞争格局等进行了细致的详尽剖析，接着报告中列出数家该行业的重点企业，并分析相关经营财务数据。最后，对该行业未来的发展前景，投资风险及投资策略给出科学的建议。本报告是行业生产、贸易、经销等企业在激烈的市场竞争中洞察市场先机，根据市场需求及时调整经营策略，为战略投资者选择恰当的投资时机和公司领导层做战略规划提供了准确的市场情报信息及科学的决策依据。

报告名称

2015年版LED 芯片生产线项目可行性研究报告 出版日期

5-10工作日 报告格式

电子版或印刷版 交付

常用术语翻译

active region 有源区 2.active component有源器件 3.Anneal退火

4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS

7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度

10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积

11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散

15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅

21.IC reliability 集成电路可靠性

22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.io

工作岗位实习周记

--半导体芯片制造工岗位

（本人在半导体芯片制造工相关岗位3个月的实习，十二篇周记，总结一篇，系全部原创，供大家学习参考）

姓 名：巴菲特 学 号：20180921009 专 业：××学 班 级：××学01班 指导老师：巴菲特 实习时间：XXXX-XX-XX—XXXX-XX-XX

目录

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第01周··············································· 3 第02周··············································· 5 第03周··············································· 6 第04周··············································· 8 第05周······

常用术语翻译

active region 有源区 2.active component有源器件 3.Anneal退火

4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS

7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度

10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积

11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散

15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅

21.IC reliability 集成电路可靠性

22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.io

常用术语翻译

active region 有源区 2.active component有源器件 3.Anneal退火

4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积 5.BEOL（生产线）后端工序 6.BiCMOS双极CMOS

7.bonding wire 焊线，引线 8.BPSG 硼磷硅玻璃 9.channel length沟道长度

10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积

11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化 12.damascene 大马士革工艺 13.deposition淀积 14.diffusion 扩散

15.dopant concentration掺杂浓度 16.dry oxidation 干法氧化 17.epitaxial layer 外延层 18.etch rate 刻蚀速率 19.fabrication制造 20.gate oxide 栅氧化硅

21.IC reliability 集成电路可靠性

22.interlayer dielectric 层间介质（ILD） 23.io

喷粉涂装技术方案

附： 生产线平面布置图一张

一、工艺设计说明

1． 设计依据 涂装 基本设计条件

2、工件材质： 钢材

3、处理工件最大组合尺寸：3500×2 ×1300 mm (L×W×H) 4、工件吊挂： 工件采用人工滑轮吊挂架子车。 5、 甲方提供的动力条件和其它相关参数： 电 源 380V×50HZ 5～8 kg/ cm2（压缩空气的含水量、含压 缩 空 气 油量和含尘量达到喷粉喷漆设备的要求） 二、

上件 → 喷粉 → 粉末固化 → 自然冷却 → 下件 工艺参数表： 序号 1 2 3 4 5 工艺名称 上件 喷粉， 粉末固化 自然冷却 下件 / Abt15-20 min Abt ≥15 min / 工艺时间 / / 180～220 R.T / 工艺温度(℃) / 人工 人工 人工 备注 三、喷粉室：

3.1、主要技术参数： 序号 1 2 3 4 5 6 7 内 容 外形尺寸 手动喷枪 室内照度 排风量 综合噪音 设备总功率 压缩空气耗量（平均/最大） 技术参数 5000×1200×2700 2 ＞400 5500X2 ＜85 3x2 0.3x2 单位

常用术语翻译

active region 有源区

2.active component有源器件

3.Anneal退火

4.atmospheric pressure CVD (APCVD) 常压化学气相淀积

5.BEOL（生产线）后端工序

6.BiCMOS双极CMOS

7.bonding wire 焊线，引线

8.BPSG 硼磷硅玻璃

9.channel length沟道长度

10.chemical vapor deposition (CVD) 化学气相淀积

11.chemical mechanical planarization (CMP)化学机械平坦化

12.damascene 大马士革工艺

13.deposition淀积

14.diffusion 扩散

15.dopant concentration掺杂浓度

16.dry oxidation 干法氧化

17.epitaxial layer 外延层

18.etch rate 刻蚀速率

19.fabrication制造

20.gate oxide 栅氧化硅

21.IC reliability 集成电路可靠性

word版本.

22.interlayer dielectric 层间介质（ILD）

23.ion implanter 离子注入机

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