多晶硅回收氢中微量金属元素的作用

说明了各微量元素在钢铁中的作用

1、磷(P) 、 )

使钢产生冷脆和降低钢的冲击韧性； 使钢产生冷脆和降低钢的冲击韧性；但可改善钢的切 削性能。 削性能。

2、硅(Si) 能增加钢的强度、弹性、耐热、耐酸性及电阻系数等。 、 ) 能增加钢的强度、弹性、耐热、耐酸性及电阻系数等。 冶炼中的脱氧剂能增加钢的过热和脱碳敏感性。 冶炼中的脱氧剂能增加钢的过热和脱碳敏感性。 3、 (Mm) 能提高钢的强度和硬度及耐磨性。冶炼时的脱氧剂和 、锰 ) 能提高钢的强度和硬度及耐磨性。 脱硫剂。 脱硫剂。 4、铬(Cr) 能增加钢的机械性能和耐磨性，可增大钢的淬火度和 、 ) 能增加钢的机械性能和耐磨性， 淬火后的变形能力。同时又可增加钢的硬度、弹性、 淬火后的变形能力。同时又可增加钢的硬度、弹性、 抗磁力和抗强力，增加钢的耐蚀性和耐热性等。 抗磁力和抗强力，增加钢的耐蚀性和耐热性等。 5、镍(Ni) 可以提高钢的强度、韧性、耐热性、防腐性、抗酸性、 、 ) 可以提高钢的强度、韧性、耐热性、防腐性、抗酸性、 导磁性等。增加钢的淬透性及硬度。 导磁性等。增加钢的淬透性及硬度。 6、钒(V 、 可赋于钢的一些特殊机械性能：如提高抗张强 张强度和屈 可赋于钢的一些特殊机械

二氯二氢硅歧化反应的综述

摘要：二氯二氢硅（Dichlorosilane ,简称DCS）是多晶硅行业中产生的废料之一，如何充分利用二氯二氢硅，减少污染，增加三氯氢硅的产量，是多晶硅行业中比较重要的问题之一。本文详细综述了国内外二氯二氢硅歧化反应的有关技术，并对二氯二氢硅歧化反应的催化剂进行了详细的叙述，为今后进一步研究二氯二氢硅的歧化反应提供了理论依据。

关键词：二氯二氢硅，歧化，多晶硅

英文摘要：Dichlorosilane is one of the by-products from the reaction of at least one of meatallurgical silicon and silicon tetrachloride with at least one of anhydrous hydrogen chloride and hydrogen to produce trisilane.It is important to the silicon industry how to take advantage of the dichlorosilane. This paper introduced the disprop

摘要

光伏阵列将太阳能转化为电能成为一个经济体的替代能源发电，提供一个低成本材料的充足供应。一个关键的要求经济光伏电池价格合理的硅。目前，光伏产业是依赖于多晶硅的精制过程主要由西门子集成电路，电力deviczs，和半导体分立器件。此相关性预计将持续到美国能源部赞助的低硅冶炼技术的发展成熟，他们在商业点使用。光伏产业可以发展自己的供应源。自1979以来，喷气推进实验室的技术开发应用铅中心，现在的程序分析与整合中心，定期检查精制硅的有效性和美国能源部的地位发起的低成本硅精炼技术发展。三报告已经公布，进行的调查的基础上由喷气推进实验室顾问在1979，1.981，和1983。本报告更新的硅材料的供应和市场定价预测的1988，根据收集的数据在1984年初。它也综述了硅炼油工业计划来满足日益增长的需求该半导体器件和光伏产品行业。一段该报告已于美国能源部赞助的技术研究综述用于生产低成本的探讨，微晶硅，成本的概率分析的两个最有前途的生产过程，实现能源成本的目标，和DOE光伏硅精炼程序的影响在商业多晶硅炼油工业的研究。

多晶硅产业政策

2011年，中国太阳能电池产量占全球光伏市场五成的份额，向欧洲市场出口光伏组件11.4GW，占据全部出口量的74.7%，所以欧洲各国光伏政策直接决定全球未来的光伏走势，中国的政策影响着未来光伏产业的发展，而作为新兴光伏市场的美国、东南亚等国家的能源政策影响着未来光伏的分布。

欧洲市场

2005年，欧盟发起可再生能源运动，这是驱动欧洲光伏产业发展的重要标志。欧洲的德国、丹麦、意大利、英国、西班牙等国先后颁布了可再生能源法案。欧洲各国通过给予大量补贴和政策优惠，加速驱动了光伏产业的发展，目前欧洲是全球最大的太阳能消费市场。以德国、西班牙、意大利、捷克、法国、比利时、英国等光伏热点国家为代表的欧洲光伏市场政策直接关系着未来光伏市场的发展。

1、 德国，上网补贴持续下降

2010年7月，德国联邦参议院通过了可再生能源法光伏发电上网补贴修订案，7月1日后在德境内建造光伏发电系统补贴额减少13%，转换地区（原非电站用地改成电站用地）补贴额减少8%，其他地区补贴额减少12%。到2010年10月1日，补贴额将在7月1日的基础上再减少3%。其补贴逐渐递减的政策，清晰地传达了德国政府逐步放手，试探并鼓励光伏产业降低成本、自主发展的意图，如下

多晶硅专业英文词汇 A：

a-si 无定形硅

amorphous 无定型的，无组织的 Arsenic 砷 Acceptor 受主 B：

Boron 硼

Block 模块，单元

Basic design package 基本设计包，工艺包 Bulk metals 体内金属 Bulk 批量的、大批的 C：

Chlorine 氯气['kl?:ri:n]Liquid chlorine 液氯Chloride 氯化物['kl?:raid] CVD chemical vapour deposition 化学气相积淀 Crucible.坩锅

Cost simulation 成本估算 Commissioning 调试 Chlorosilanes 氯硅烷

convertor氢化炉（STC to TCS convertor）[k?n'v?:t?(r)] Czochralski crystal growth 直拉单晶 Coke 焦炭 Chunk 大块 Chuck 卡盘 D：

Dopant 掺杂物，掺杂剂['d?up?nt]Distillation 精馏，蒸馏[?disti'lei??n]Discomposition 分解 Doping (半导体)掺杂(质), 加

清洗方案

多晶硅设备的清洗主要工艺为酸洗、脱脂、钝化、干燥等，其中最关键是脱脂工艺和干燥技术。油脂和水对多晶硅的产品有巨大影响。因此在多晶硅设备的清洗中，以脱脂工艺和干燥工艺为要点。主要清洗还原炉、氢化炉、CDI设备、合成车间、还原氢化车间、精馏系统、中间罐、管道等主要设备。并且为了保证脱脂和干燥的质量，多晶硅设备清洗需要对单台设备进行单台清洗并验收后，再进行安装。

一、污垢主要对多晶硅影响因素

1、油脂：在多晶硅生产过程中，油分子对多晶硅的危害十分严重。实际证明，整个工艺系统几PPM的油含量就可能造成多晶硅反应速度减慢，产量降低，甚至硅反应停止。因此，多晶硅设备的脱脂工艺尤为重要。

2、水分：水中含有大量的氯离子，氯离子对多晶硅的反应十分敏感。设备及系统干燥工艺很关键。

3、氯离子残留：水和其他溶液在设备表面残留的氯离子对多晶硅影响十分大。因此，在清洗后对设备进行纯水冲洗工艺十分重要。

4、氧化物、灰尘其他杂质：其他污垢的存在，对多晶硅的生产影响也很大。因此，在设备清洗过程中，采用酸洗工艺对其他污垢进行清洗十分必要。

二、国内大、中型化工生产装置清洗现状

国外对设备、管道的清洗十分重视，有专门从事清洗的研究机构。再国外，设计单位在设计化工工艺流程及要求时已

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Boron 硼

Block 模块，单元

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多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

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7 多晶硅 单晶硅 非晶硅的区别

名 称： 单晶硅

英文名： monocrystalline silicon 分子式： si

单晶硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分。硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999％，甚至达到99.9999999％以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅具有准金属的物理性质，有较弱的导电性，其电导率随温度的升高而增加，有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅲa族元素，如硼可提高其导电的程度，而形成p型硅半导体；如掺入微量的ⅴa族元素，如磷或砷也可提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于

安徽职业技术学院

中能硅业方向

安徽职业技术学院 毕业论文(设计)

( 2008届 )

设计题目 中能硅业探索

系部 化工系

班级

生化821班 专业 生物化工工艺 学号 2008277041 作者姓名 周超 指导老师 徐灏溪 2011完稿时间 ．03.22 成绩

- 1 -

安徽职业技术学院

中能硅业方向

目 录

摘要 ?????????????????????????????? 4 英文摘要 ???????????????????????????? 4 第一章 概述 ???????????????????

多晶硅杂质对少子寿命有着重要的影响。本文探讨杂质对少子寿命的影响。

第２８卷第２期

２００ｒ７年２月

太阳能学报

Ａ（ｊＩ’ＡＥＮＥＲＧＩＡＥＳＯＬＡＲＩｓＳＩＮＩＣＡ

Ｖ０１．２８．Ｎｏ．２

Ｆｅｂ．．砌

铸造多晶硅中杂质对少子寿命的影响

邓

海１，杨德仁１，唐

骏２，席珍强１，阙端麟１

（１．浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州３１００２７；２．浙江精工太阳能有限公司，宁波３１５０００）

摘要：应用微波光电导衰减仪（肚一ＰＣＤ）测得了铸造多晶硅硅锭沿生长方向少子寿命的分布图。结果显示：距离硅锭底部４。５ｃｍ以及顶部约２ｃｍ的范围内均存在一个少子寿命值过低的区域，而硅锭中间区域的少子寿命值较高且分布均匀。通过将样品在２００℃下热处理１０ＩＩｌｉｎ，根据处理前后少子寿命值的变化，获得了间隙铁浓度沿硅锭方向的一维线性分布曲线。从曲线中可以发现铁在硅锭两端浓度较高，这与硅锭冷却过程中铁从坩埚向硅锭底部发生的固相扩散以及铁的分凝特性有关。另外通过傅立叶变换红外光谱仪（ＦＴｍ）测试发现间隙氧浓度在硅锭底部较高，呈现从硅锭底部向顶部逐渐降低的趋势。研究结果表明硅锭中存在的高浓度的氧、铁等杂质为影响其少子寿命值的关键因素。

关键词：铸造多晶硅；少子寿命；间隙铁；氧

中图分类号：瞰１４