模电基本公式汇总

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V；锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V，导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。

2、二极管的正向电阻 小 ；反向电阻 大 。

3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。

4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。

5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟 电子技术。

6、PN结反向偏置时，PN结的内电场 增强 。PN具有 具有单向导电 特性。

7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 0.7 伏；其门坎电压Vth约为 0.5 伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由 多数 载流子的 扩散 运动形成。

9、P型半导体的多子为 空穴 、N型半导体的多子为 自由电子 、本征半导体的载

第七章 信号的运算和处理

一、分别求解图示各电路的运算关系。

二、试分别求解图示各电路的运算关系。

三、写出图示电路的运算关系。

四、在图示电路中，A1、A2为理想运算放大器，求Uo的表达式。

五、试设计一个二阶带通滤波器，要求中心频率为1KHz，带宽为250。

画出电路图，在电路上标出每一个元件的参数。

第八章 波形的发生和信号的转换

一、改错：改正图示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。要求不能改变放大电

路的基本接法（共射、共基、共集）。

二、试将图T8.3所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。

三、 判断图P8.5所示各电路是否可能产生正弦波振荡，简述理由。设图（b）中C4容量远

大于其它三个电容的容量。

四、在题三图中

（1）若去掉两个电路中的R2和C3，则两个电路是否可能产生正弦波振荡？为什么？ （2）若在两个电路中再加一级RC电路，则两个电路是否可能产生正弦波振荡？为什么？ 五、电路如图所示，试求解： （1）写出这是什么振荡电路； （2）RW的下限值；

（3）振荡频率的调节范围。

六、某同学连接了一个如图所示的文氏电桥振荡器，但电路不振荡。 （1请你指出电路中的错误，并在图中加以改正； （2）若要求振荡频率

1、 当TTL电路驱动COMS电路时，如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平（一般为

3.5V），这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻，以提高输出高电平的值。

2、OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的搞电平值。

3、为加大输出引脚的驱动能力，有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。

4、在COMS芯片上，为了防止静电造成损坏，不用的管脚不能悬空，一般接上拉电阻产生降低输入阻抗，提供泄荷通路。

5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平，从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。

6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。

7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰，加上下拉电阻是电阻匹配，有效的抑制反射波干扰。

上拉电阻阻值的选择原则包括:

1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大；电阻大，电流小。

2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小；电阻小，电流大。

3、对于高速电路，过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑

以上三点,通常在1k到10k之间选取。对下拉电阻也有类似道理

//OC门电路必须加上拉电阻，以提高输出的搞电平值。

OC门电路要输出“1”时才需要加上拉电阻 不加

一．实验目的

1.熟悉晶体管整流电路。

2.了解单相桥式整流滤波电路工作原理及各元器件所起的作用。

3.测试单相桥式整流、滤波、稳压电路各部分的输入和输出数值及波形。 4.掌握三端集成稳压器的应用电路。

二．设计内容

1）单相全波整流电路的测试

按如图所示的原理图接好电路，函数发生器产生幅值为9v，频率为1k赫兹的正弦波。单击仿真键进行仿真。用示波器观测单相全波整流时整流电路的输出波形，并用万用表的直流电压档测量出电压。记录表中。

单相全波整流电路原理图

其输出电压平均值的理论值为

Vo= VL=1/π∫√2vsinwtd(wt)=1/π∫√2vsin（2πft）*fdt=8.1v

2）整流滤波电路测试

按如图所示的原理图接好电路，函数发生器产生幅值为9v，频率为1k赫兹的正弦波。单击仿真键进行仿真。用示波器观测整流滤波电路的输出波形，并用万用表的直流电压档测量出电压。记录表中。

整流滤波电路测试原理图

电路中增加一个电容起到了滤波的作用。实验中为了得到比较平值的输出直流电压，C应该取得大一些，一般在几十微法到几千微法，而且要求RL也应取得大一些。一般要求

RLC>=（3—5）T/2

T为交流电源电压的周期‘

3）三端集成稳

二. 选择题

b1.测得BJT各电极对地电压为：VB=4.7V，VC=4.3V，则该BJT工作在（）状态。

a.截止b.饱和c.放大

a2. 测得放大电路中的BJT各电极对地电压为：VB=2.7V，VE=2V，VC=6V，则该BJT为（）。 a.NPN硅管b.NPN锗管c.PNP锗管d.PNP硅管 c3.PN结外加反向电压时，其内电场（）。 a.减弱b.不变c.增强

d4.测得BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，则该管工作在（）状态。 a.截止b.饱和c.放大d.已损坏

a１．测得BJT的ＩＢ=30μA时，IC =2.4mA；IＢ=40μA时， IC=3.2mA，则它的?值为（）。 a、80 b、60 c、75 d、100

c２.OCL功放电路的输出端直接与负载相联，静态时，其直流电位为（）。 a.VCC b.(1/2)VCC c. 0 d. 2VCC

b３.OTL功放电路的输出端通过耦合电容与负载相联。静态时，该电容上的电压为（）。 a. VCC b. VCC／２ c. 2VCC

b４．多级放大电路电压放大倍数

【2-1】 填空：

1．本征半导体是 ，其载流子是 和 。两种载流子的浓度 。

2．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。

3．漂移电流是 在 作用下形成的。

4．二极管的最主要特征是 ，与此有关的两个主要参数是 和 。

5．稳压管是利用了二极管的 特征，而制造的特殊二极管。它工作在 。描述稳压管的主要参数有四种，它们分别是 、 、 、和 。 6．某稳压管具有正的电压温度系数，那么当温度升高时，稳压管的稳压值将 。

1. 完全纯净的半导体，自由电子，空穴，相等。 2. 杂质浓度，温度。

3. 少数载流子，(内)电

…

… …… … … … 线 … … … 号…学… … … … … … … … … 名订 姓… … … … … … … … … 级… 班…装 … …… … …… … …

中 原 工 学 院 信 息 商 务 学 院 8 乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现 ，在整个信号周期2009 ～20010 学年 第 1 学期 A内，三极管的导通角θ等于 。 建环、机自、电气、自动 专业 模拟电子技术 课卷 二、选择题（每题2分，共20分，）： 程期末考试试卷 1．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻Rb的值（ ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总不能确定 分 2．电流源的特点是（ ）。 A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。 3．关于理想运算放大器的错误叙述是（ ）。 满分 20 20 12 48 A．输入

- 1 -

二、

（一）

1、当PN结外加反向电压时，PN结的空间电荷区变 。 2、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。

3，在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度则与 有很大关系。

4、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是 性。 5、在N型半导体中，电子浓度 空穴浓度。 6．稳压二极管稳压时，工作在 状态。

7．图1所示电路中，二极管为理想元件，则AO两端电压VAO为 V。

8、正偏时二极管处于 状态，此时呈现的电阻很 。

（二）

1、已知右图所示电路中稳压管的稳压值VZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。 则VO为

（A.10V， B.5V， C. 6V）

R

+ 10V _ 2k? DZ +

RL Vo _ 2、稳压管的稳压区是其工作在

（A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿）

3、利用硅PN结反向击穿特性陡直的特点而制造的二极管，称为 （A）稳压二极管， （B）变容

模拟电子技术基础试卷及参考答案

试卷三（本科）及其参考答案

试卷三

一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分） 1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ ）

a. 输入电阻大 b. 输入电阻小 c. 输出电阻大 d. 输出电阻小 2．共模抑制比KCMR越大，表明电路（ ）。

a. 放大倍数越稳定 b. 交流放大倍数越大

c. 抑制温漂能力越强 d. 输入信号中的差模成分越大 3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（ ）。

a. 变宽 b. 变窄 c. 不变 d. 与各单级放大电路无关

4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（ ）。

a. 43dB b. 40dB c. 37dB d. 3dB

一、物理爆炸能量

1、压缩气体与水蒸气容器爆破能量

当压力容器中介质为压缩气体，即以气态形式存在而发生物理爆炸时，其释放的爆破能量为：

pV0.1013E?[1?()k?1pk?1k]?103

式中，E为气体的爆破能量（kJ）， 为容器内气体的绝对压力（MPa），V为容器的容积（m3）， k为气体的绝热指数，即气体的定压比热与定容比热之比。 常用气体的绝热指数 气体 名称 K值 气体 名称 K值 空气 1.4 二氧 化碳 1.295 氮气 1.4 一氧 化氮 1.4 氧气 1.397 二氧 化氮 1.31 氢气 1.412 氨气 1.32 甲烷 1.316 氯气 1.35 乙烷 1.18 过热 蒸气 1.3 乙烯 1.22 丙烷 1.33 一氧 化碳 1.395 氢氰 酸 1.31 干饱和蒸汽 1.135 2、介质全部为液体时的爆破能量

当介质全部为液体时，鉴于通常用液体加压时所做的功，作为常温液体压力容器爆炸时释放的能量，爆破能量计算模型如下：

(p?1)2V?tEl?

2式中，El 为常温液体压力容器爆炸时释放的能量（kJ），p为液体的绝对压力（Pa），V为容器的体积（m3），βt 为液体在压力p和温度T下的压缩系数（Pa－1）。 3、液