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华中科技大学IC课程设计报告

题目：自适应波特率的UART设计

院系：控制科学与工程系

专业班：自动化0902班 姓名：

组 员： 学 号： 指导教师： 2012 年 1 月

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华中科技大学IC课程设计报告

摘 要

通用异步接收发送器具有可编程性和高度兼容性, 在嵌入式系统设计中得到了广泛的应用。本文介绍了一种利用Verilog HDL语言设计UART 核心功能的方法, 具体描述了发送、接收以及波特率发生器模块的设计, 最后给出了该核心模块的整体功能仿真和综合结果。结果表明该UART 功能正确、稳定、可靠, 可以很好地应用于异步通讯中。

关键词： UART 异步通信Verilog HDL

I

华中科技大学IC课程设计报告 Abstract

Universal asynchronous receiver and transmitter are widely used in embedded system for itsprogrammable and high compatibility. A design of UART core with Verilog HD

中国IC卡及读写器行业市场研究与投资前景评估报告(2014-2019)

中国IC卡及读写器行业市场研究与投资前景评估报告(2014-2019)

中国报告网 出版时间：2014年

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中国IC卡及读写器行业市场研究与投资前景评估报告(2014-2019)

IC卡及读写器行业市场调研报告相关问题解答

1、什么是IC卡及读写器行业调研

IC卡及读写器行业调研是开展一切咨询业务的基石，通过对特定IC卡及读写器行业的长期跟踪监测，分析市场需求、供给、经营特性、获取能力、产业链和价值链等多方面的内容，整合IC卡及读写器行业、市场、企业、用户等多层面数据和信息资源，为客户提供深度的IC卡及读写器行业市场研究报告，以专业的研究方法帮助客户深入的了解IC卡及读写器行业，发现投资价值和投资机会，规避经营风险，提高管理和运营能力。

IC卡及读写器行业研究是对一个行业整体情况和发展趋势进行分析，包括行业生命周期、行业的市场容量、行业成长空间和盈利空间、行业演变趋势、行业的成功关键因素、进入退出壁垒、上下游关系等。

关于IC卡及读写器

第一章 磁 卡

1、磁卡分类

磁条型：一般抗磁力卡（300oe）指抗磁大小 高抗磁力卡 （3500oe）

直接涂印型：低抗磁力卡（300oe） （如：公园门票） 高抗磁力卡（2700oe）（如：地铁卡、电话卡）

2．磁条和磁道

磁条上有３个磁道。磁道１与磁道２是只读磁道，在使用时磁道上记录的信息只能读出而不允许写或修改。磁道３为读写磁道，在使用时可以读出，也可以写入。

磁道１可记录数字（０－９）、字母（Ａ－Ｚ）和其他一些符号（如括号、分隔符等），最大可记录79个数字或字母。

磁道２和３所记录的字符只能是数字（０－９）。磁道２最大可记录４０个字符，磁道３最大可记录107个字符。

3．磁卡读写器

一般非金融领域用磁卡，只将信息记录在第2磁道，单2轨的只读阅读器售价400元/台，单2轨的可读可写的读写器售价1800元/台。

金融领域用磁卡，磁道1、2、3都可能用，如工行用1、3磁道，建行用2、3磁道。1、2、3磁道均可读写的读写器售价4800元/台。

以上可看出，磁卡的阅读器很便宜，但读写器较贵，由于一般的应用中，磁卡只记录个人帐号等只读信息，使用时并

DC/DC升压IC,DC/DC升压芯片

LY1038A27M 2.7V升压IC 2.7V升压芯片SOT23-3 阳先生15012776766 LY1038A27P 2.7V升压IC 2.7V升压芯片SOT89-3 阳先生15012776766 LY1038A27T 2.7V升压IC 2.7V升压芯片SOT89-3 阳先生15012776766 LY1038A28M 2.8V升压IC 2.8V升压芯片SOT23-3 阳先生15012776766 LY1038A28P 2.8V升压IC 2.8V升压芯片SOT89-3 阳先生15012776766 LY1038A30M 3V升压IC 3V升压芯片SOT23-3 阳先生15012776766 LY1038A30P 3V升压IC 3V升压芯片SOT89-3 阳先生15012776766 LY1038A33M 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT23-3 阳先生15012776766 LY1038A33P 3.3V升压IC 3.3V升压芯片SOT89-3 阳先

公交IC卡项目推介和运营模式的探讨

一、项目推介背景

推介我市公交IC卡项目建设的大环境是:国务院转发的建设部、发改委、科技部、公安部、国土资源部六部委《关于优先发展城市公共交通的意见》中，确立了优先发展城市公共交通的总体发展战略，重点提出了“推进智能公共交通系统的发展”，其含义是要积极利用高新技术，改进传统的公共交通系统，以信息化为基础，促进乘客、车辆、场站设施以及交通环境等要素之间的良性互动，推进智能公共交通系统建设。

本地特有环境是:承德是我国著名的历史文化名城及风景园林旅游城市,尤其是近年在我市推行的“三年大变样”等提高城市形象工程,在这种环境下推介城市公交IC卡项目是提高文化名城市档次与提升城市形象的一个新亮点。

二、对公交ＩＣ卡项目的分析 1、公交IC的作用

ＩＣ卡作为身份认证和支付手段的工具，极大地方便了

持卡人，无论在公交领域、校园一卡通、小区物业管理各方面都显示了它方便性和灵活性。随着时代的发展，人的活动范围增加，携带的卡也将会越来越多，这样老百姓手上的卡太多后，不同的应用服务商要求持卡人去不同的地点补充不同的后续服务，也就变得不方便。从个人应用角度上来看，出行、购物使用ＩＣ卡的比率最大，而公交卡具有支付快速、

第1章 Cadence IC 5.1.41 的基本设置

本章是 Cadence IC 5.1.41 是设计 的简明入门教程，目的是让读者在刚接触该软件的时候 对它的基本功能有一个总体的了解。本章主要内容如下：[1] 启动 Cadence IC 前的准备；[2] Command Interpreter Window (CIW, 命令行窗口)；[3] Library Manager 设计库管理器；[4] Virtuoso? Schematic Editor 电路图编辑器简介；[5] Virtuoso? Analog Design Environment (ADE) 简 介。

1.1 启动前的准备

要在 Unix/Linux 使用 Cadence IC 5.1.41 工具应当保证以下的条件：

[1] 保证 Cadence IC 5.1.41 已经由管理员正确地安装在电脑上；并且软件授权密钥已经设置

完成。 [2] 在 Shell 中设置了正确的环境变量。 必须将 Cadence IC 的安装路径加入 Shell 环境变量，Cadence IC 5.1.41 才能正常运行。以 Cshell 为例，Cadence IC 被安装在了/tools/

RFID破解方法

网上看了很多RFID破解的文章，大部分都是工具使用，一步步该怎么操作，基本上没有讲原理的，估计导致了很多初学者非常迷惑，特别是一旦按照操作步骤操作的时候出错时更加迷惑，不知道是什么状况，国内radiowar也同样没有看到过特别介绍原理性的文章。

建议大家还是多看看外文原版的资料说明，会理解的更透彻些，才能更快的加入到RFID安全研究及测试中。

参考站点：

http://www.proxmark.org 多看看论坛里面提问跟回答

http://nfc-tools.orghttp://www.openpcd.org/http://www.rfdump.orghttp://www.libnfc.org

这篇文章就当是我自以为是的普及性介绍，我想应该还是会给很多人解惑。 首先，先说说目前RFID破解涉及到的几种方法，我尽量以最直白的语言描述。

1、最简单ID卡破解

常见破解办法：ID卡复制，ID卡除了复制也没有其他研究的了，毕竟太简单了。 基本原理介绍：

ID卡属于大家常说的低频卡，一般大部分情况下作为门禁卡或者大部分大学里使用的饭卡，一般为厚一些的卡，是只读的，卡里面只保存有一串唯一的数字序号ID，可以把这串数字理解为你的身份证号

一个基本CMOS放大器的寄生参数提取及后仿真方法

摘要：Calibre XRC是Mentor Graphics公司的全芯片寄生参数提取工具，提供晶体管级、门级和混合级别寄生参数提取的能力，支持多层次的分析和仿真。它完整的结合了Calibre LVS，并提供几种不同网表的输出，如HSPICE,ELDO,DSPF,SPEF,SPECTRE等，还可通过Calibre RVE显示寄生电阻电容的准确位置。Calibre xRC为模拟与混合信号SoC设计工程师提供了一个独立于设计风格和设计流程的单一的寄生参数提取解决方案。对于模拟电路或者小型模块的设计工程师来说，Calibre xRC提供高度的精确性以及与版图环境之间的高度集成。对于数字、大型模块以及全芯片的设计而言，Calibre的层次化多边形处理引擎为Calibre xRC提供足够的性能。Cadence ADE环境里集成了Spectre的强大仿真功能，可对电路进行精确的仿真。

关键词：Calibre XRC 寄生参数提取 Cadence ADE 后仿真

1.引言

集成电路的设计与制造都已经进入深亚微米时代，寄生参数对电路的影响已不可忽略。特

别是对于一些要求精确的模拟电路，如果不考虑寄生参数将得

第一章 外延思考题

1. 外延是在单晶衬底上生长一层单晶膜的技术。 2. 名词解释:

同质结外延：外延层和衬底为同种材料。也称子外延。 异质结外延：外延层和衬底是不同的材料。P2

正外延：在低阻衬底上外延高阻层（器件做在外延层上）； 反外延：在高阻衬底上外延低阻层（器件做在衬底上）； SOS：在绝缘的蓝宝石衬底上生长硅的特称； SOI结构：衬底为其他绝缘体时的名称

软误差：从封装材料中辐射出的a粒子进入衬底产生大量电子空穴对（约10^6量级），在低掺杂的MOS衬底中，电子空穴对可以扩散50um，易受到电场的作用进入有源区，引起器件误动作，这就是软误差。P14 3. 埋层外延中的图形漂移与滑移原因及解决办法。P13

双极电路衬底在外延前需做隐埋扩散。引起图形漂移与畸变的原因一般认为是在外延过程中，外延生长速率的差异所造成的，它与晶向、外延温度、生长速率、气相腐蚀、外延厚度、反应气体的种类等多种因素有关。 4. 分析外延中的自掺杂效应,讨论解决办法。

自掺杂效应也称无意掺杂，包括杂质外扩散、气相自残杂和系统污染三种。它的存在改变了界面附近外延层中的杂质浓度，产生了一个从衬底到外延层的杂质分布过渡区，从而限制了由掺杂控制所能生长的最小薄层厚度以及最

Cadence IC5141与IC615库相互转化 IC5141的数据格式为CDB，IC615的数据格式为OpenAccess（OA），因而5141的库和615的库相互之间不能直接调用，也就是说在调用之前必须完成CDB和OA之间的相互转化。 1、IC5141库转为IC615库

假设现有IC5141的工作目录为/home/IC5141，工艺库为tsmc018,设计库为test1。 新建文件夹IC615，即/home/615。运行virtuoso，在CIW界面进行如下操作，ToolsàConversion Tool BoxàCDB to OpenAccess Translator，找到原来5141的cds.lib(/home/IC5141/cds.lib)，然后选择需要转换的库文件。例如选择test1和tsmc018两个库。这样就可以在IC615下查看或继续原来的设计。

2、IC615库转为IC5141库

基于上面转换之后的tsmc018工艺库，新建立一个test2设计库。这时候可能会遇到一个问题，有的工艺库的layout不支持615版本。因此，必须把设计原理图导回到5141中去。具体步骤如下：

（1）把/home/IC615/tsm